【技术实现步骤摘要】
一种应用于超声波清洗中的滚轮结构
[0001]本技术涉及硅片加工设备领域,尤其涉及一种应用于超声波清洗中的滚轮结构。
技术介绍
[0002]半导体器件生产中硅片必须经过严格的清洗,因为即使是微量污染也会导致器件失效。目前清除硅片表面污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。化学清洗即为令硅片经过清洁溶液,以除去原子、离子等不可见的污染;物理清洗包括擦洗、喷射、超声波等,以除去颗粒污染。现已出现将两种清洗方式相结合的情况,例如同时采用化学清洗和超声波清洗,但是由于超声波清洗中需要溶液具有较深的深度,而溶液深度过大则会导致槽体易漏液,以及浮力加大导致的硅片易漂浮、滚轮易损坏硅片等一系列问题。
技术实现思路
[0003]本技术提供一种应用于超声波清洗中的滚轮结构,以解决上述技术问题。
[0004]为解决上述技术问题,本技术提供一种应用于超声波清洗中的滚轮结构,安装于装有溶液的清洗槽内,所述清洗槽的上下两侧分别设有至少一组超声波清洗机,所述滚轮结构包括阻水滚轮和若干上压滚轮,所述阻水滚轮和上压滚轮均为浮动滚轮;所述阻水 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种应用于超声波清洗中的滚轮结构,安装于装有溶液的清洗槽内,所述清洗槽的上下两侧分别设有至少一组超声波清洗机,其特征在于,所述滚轮结构包括阻水滚轮和若干上压滚轮,所述阻水滚轮和上压滚轮均为浮动滚轮;所述阻水滚轮与所述上压滚轮平行设置且与硅片的传送方向垂直,所述阻水滚轮分别设置于所述清洗槽的前壁和后壁处,每组所述阻水滚轮包括垂向叠放的两层或三层;若干所述上压滚轮排布于所述清洗槽内;所述清洗槽内的溶液的液位低于最上层的所述阻水滚轮的上表面,高于所述上压滚轮的下表面,硅片从所述上压滚轮和最下层的所述阻水滚轮的下方穿过。2.如权利要求1所述的应用于超声波清洗中的滚轮结构,其特征在于,所述阻水滚轮包括第一滚轮轴、第一直齿轮以及第一套管,所述第一直齿轮固定于所述第一滚轮轴的端部,上下两层所述阻水滚轮通过所述第一直齿轮相互啮合传动;所述第一套管套设于所述第一滚轮轴上,且所述第一滚轮轴的外径与所述第一套管的内径之间设有第一间隙;所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:程强强,欧阳钊,冯华,
申请(专利权)人:釜川无锡智能科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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