【技术实现步骤摘要】
一种半导体硅晶圆片打磨清洗剂混合反应釜
[0001]本专利技术涉及混合反应釜领域,具体为一种半导体硅晶圆片打磨清洗剂混合反应釜。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作半导体硅电路所用的硅晶圆片,其原始材料是硅,高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅,硅晶圆片在进行打磨过程中,需要利用清洗剂进行清洗,而清洗剂在制作过程中,因其需要使用到多种原料,就需要利用反应釜对各种不同的原料进行混合,因此,反应釜在清洗剂制作的过程中,较为重要。
[0003]如公开号为CN216499323U的专利文件公开了一种清洗剂生产混合反应釜的专利,包括釜体,所述釜体顶端设有釜盖,所述釜盖顶端连接固定盒,所述固定盒中固定设有变频调速电机,所述变频调速电机连接定时器一,所述变频调速电机底端连接搅拌轴,所述搅拌轴底端贯穿固定盒与釜盖延伸至釜体中,所述搅拌轴中部固定设有螺旋上升的搅拌叶片,所述釜盖顶端设有加料口,所述加料口顶端铰接有观察窗,所述釜体内部设有加热腔,所述釜体内壁固定设有温度传感器,所述釜体底端连接出料管,所述 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体硅晶圆片打磨清洗剂混合反应釜,其特征在于:所述半导体硅晶圆片打磨清洗剂混合反应釜包括主支架(1)和安装板(5),所述主支架(1)的左侧下方焊接与连接座一(2),且连接座一(2)的顶端一侧设置有水泵(3),所述水泵(3)的一侧进液端连接有连通管(6),且连通管(6)的一侧顶端连接有量筒(7),所述水泵(3)的出液端连接有输送管(4),所述安装板(5)固定于输送管(4)的顶端,所述主支架(1)的内侧固定有混合反应釜体(10),且混合反应釜体(10)的一侧下方一体化连接有固体原料进料口(9)。2.根据权利要求1所述的一种半导体硅晶圆片打磨清洗剂混合反应釜,其特征在于:所述量筒(7)的顶端两侧固定有立杆(8),用于对量筒(7)进行稳定安装。3.根据权利要求1所述的一种半导体硅晶圆片打磨清洗剂混合反应釜,其特征在于:所述混合反应釜体(10)的底端中部固定安装有电磁阀(11),用于自动控制混合反应釜体(10)底部出液口的开闭状态。4.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵赛,
申请(专利权)人:江苏芯诺半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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