一种光响应场效应管制造技术

本实用新型专利技术涉及场效应管技术领域，更具体地，涉及一种光响应场效应管，包括：从上自下依次设置的二硫化钨薄膜、电极、绝缘层、栅极和衬底，所述衬底为玻璃衬底。本实用新型专利技术的光响应场效应管具有高的电流开关比；同时，与传统硅基光电探测器相比，本实用新型专利技术利用玻璃为衬底降低了可见光入射的角度限制，可接收正反两面的光信息传输，此外，由于玻璃衬底的折射率与光纤相近，还可有利于光纤与该光响应场效应管的集成。的集成。的集成。

【技术实现步骤摘要】
一种光响应场效应管


[0001]本技术涉及场效应管领域，更具体地，涉及一种光响应场效应管。

技术介绍

[0002]石墨烯的发现引发了全世界对原子级薄二维材料的兴趣。遗憾的是，虽然石墨烯具有极高的载流子迁移率和优异的机械强度，但由于其固有的零带隙结构，石墨烯作为晶体管的开关比非常低，此外，由于其光吸收低和光生载流子复合时间短。碳原子单分子层寿命长、作为光电探测器的响应率低、暗电流大，这些缺点极大地限制了石墨烯在电子和光电子学中的应用。尽管已经采取了一些方法来解决这些问题，例如用量子点、表面等离子体和微腔对石墨烯进行改性以提高响应度，但新方法会带来新的问题，包括延长响应时间、增加吸收损耗、限制波长带宽等。在这种情况下，迫切需要一种能够在一定范围内替代石墨烯的新兴二维材料。
[0003]过渡金属二硫化物(TMDCs)被广泛认为是最有前途的替代材料，因为它们具有合适的带隙、稳定的耐环境性和优异的光电性能。作为TMDCs家族的代表，单层二硫化钨的奇异结构赋予了它许多令人着迷的特性，例如大的激发结合能、高载流子迁移率、大的自旋轨道分裂和不闪烁的光子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光响应场效应管，其特征在于，包括：从上自下依次设置的二硫化钨薄膜、电极、绝缘层、栅极和衬底，所述衬底为玻璃衬底。2.根据权利要求1所述的一种光响应场效应管，其特征在于，所述二硫化钨薄膜的长宽均为0.8cm～2cm。3.根据权利要求1所述的一种光响应场效应管，其特征在于，所述二硫化钨薄膜的厚度为0.6nm～1nm，为单层二硫化钨。4.根据权利要求1所述的一种光响应场效应管，其特征在于，所述电极为叉指金电极。5.根据权利要求1所述的一种光响应场效应管，其特征在于，所述栅极为ITO栅极。6.根据权利要求1所述的一种光响应场效应管，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：余健辉，陈伟栋，钟永春，林子祺，赖智聪，李志斌，
申请(专利权)人：暨南大学，
类型：新型
国别省市：