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一种光响应场效应管制造技术
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文档序号:37194570
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本实用新型涉及场效应管技术领域,更具体地,涉及一种光响应场效应管,包括:从上自下依次设置的二硫化钨薄膜、电极、绝缘层、栅极和衬底,所述衬底为玻璃衬底。本实用新型的光响应场效应管具有高的电流开关比;同时,与传统硅基光电探测器相比,本实用新型利...
该专利属于暨南大学所有,仅供学习研究参考,未经过暨南大学授权不得商用。
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