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本实用新型涉及场效应管技术领域，更具体地，涉及一种光响应场效应管，包括：从上自下依次设置的二硫化钨薄膜、电极、绝缘层、栅极和衬底，所述衬底为玻璃衬底。本实用新型的光响应场效应管具有高的电流开关比；同时，与传统硅基光电探测器相比，本实用新型利...
该专利属于暨南大学所有，仅供学习研究参考，未经过暨南大学授权不得商用。

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