等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，主要是改进等离子体处理装置内的上电极板的构造。本发明专利技术的上电极板包括气体分配板；绝缘盖板，其盖在气体分配板的上部；以及多个固定部，用以固定气体分配板和绝缘盖板。每个固定部包括螺钉和螺帽，螺钉包括一头部和一杆部，且螺钉头部上具有外螺纹。螺帽由绝缘物质构成，每个螺帽的内表面具有与螺钉头部的外螺纹相对应的内螺纹，以便和每个螺钉头部互相啮合。由于螺钉头部有绝缘螺帽所保护，可承受等离子体长时间的轰击，避免电弧放电现象，消除产品缺陷并提高良好率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体处理(plasma processing)装置，特别涉及一种可避免电弧放电的等离子体处理装置。
技术介绍
在TFF-LCD前段阵列(array)制造过程中，常需要采用等离子体处理装置进行蚀刻和沉积。例如，使用等离子体处理装置进行TFT中的非晶硅层或多晶硅层的蚀刻。图1显示传统等离子体处理装置的示意图，其包括一处理腔体1，腔体1内具有一上电极板10和一下电极板20。气体供应系统30和电源40与上电极板10连接，电源40可以是无线电频率(radio frequency RF)。气体供应系统30可将气体供应至腔体1内，而无线电频率则用以提供上、下电极板10、20之间的电压差。处理腔体1一般使用的材料是铝，腔体的内表面通常采用阳极氧化处理形成阳极化铝膜，以耐等离子体的侵蚀。下电极板20通常也是使用铝为材料，表面采用阳极氧化处理。基板(如玻璃基板或硅基板)S放在下电极板20上，利用腔体1内所产生的等离子体进行蚀刻或沉积。图2显示上电极板10的底面图，其包括十字形的气体分配板(showerplate)12，和盖在气体分配板12上的绝缘盖板14，例如可以是陶瓷盖板。陶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其包括：　　　　一处理腔体；　　　　一下电极板，位于所述处理腔体内，其上可放置将要进行等离子体处理的一基板；　　　　一气体供应系统，用以供应气体到所述处理腔体内；　　　　一上电极板，位于所述处理腔体内、下电极板的上方；以及　　　　一电源，用以在所述上、下电极板之间施加电压差，以使所述处理腔体内的气体转变为等离子体；　　　　其中所述上电极板包括：　　　　一气体分配板，其具有上部和底部，其底部具有多个气孔，所述气孔与所述气体供应系统连通，使得气体可经由所述气孔供应到所述处理腔体内；　　　　一绝缘盖板，其盖在所述气体分配板的上部；以及　　　　多个固定部，用以固定所述气体分配板和...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李孝忠，黄庆德，戴嘉宏，陈虹瑞，赖宏裕，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]