等离子体加工装置和处理装置制造方法及图纸

通过提高微波的传播效率，得到能扩宽可形成等离子体加工条件范围的等离子体加工装置和处理装置。等离子体加工装置是具有用等离子体进行处理的处理室（１，２）和将微波导入处理室的微波导入单元（３ａ～６ａ，３ｂ～６ｂ，１９ａ，１９ｂ）的等离子体加工装置，微波导入单元（３ａ～６ａ，３ｂ～６ｂ，１９ａ，１９ｂ）包括使微波透过的电介质构件（５ａ，５ｂ，１９ａ，１９ｂ）。与微波透过的电介质构件的透过方向大致垂直方向上的电介质构件的断面形状，是可使大致单一模式的微波透过的形状。在设透过电介质构件的单一模式的微波的波长为λ，任意整数为ｍ时，透过方向上的电介质构件的厚度Ｔ，满足（λ×（２ｍ＋０．７）／４）≤Ｔ≤（λ×（２ｍ＋１．３）／４）这样的条件。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及等离子体加工装置和处理装置，特别是涉及利用了微波的等离子体加工装置和处理装置。
技术介绍
以往在半导体器件和液晶显示装置的制造工程中，为了在半导体器件和液晶显示装置的衬底上进行成膜和腐蚀处理，使用利用了等离子体的等离子体加工装置。近年来，随着半导体器件和液晶显示装置的衬底的大型化，能够处理大面积衬底的等离子体加工装置被开发。特别是关于液晶显示装置，为了研究所用的衬底尺寸大于1m2的矩形衬底，而开发可能处理这样大型衬底的等离子体加工装置。对这样的等离子体加工装置而言，提高加工的均匀性和可控性，即改善改善等离子体的均匀性和可控性，将成为大的课题之一。这里电感耦合型的等离子体源和利用了微波的等离子体源，与以往主要被使用的电容耦合型的等离子体源不同，由于能独立地控制等离子体源和衬底的偏置状态，所以，在加工控制上，自由度大。因此，当考虑上述的加工均匀性和可控性时，电感耦合型的等离子体源和利用了微波的等离子体源，比以往主要被使用的电容耦合型的等离子体源更被广泛使用。但是，上述方式的等离子体源，在把为了产生等离子体的能量，供给到进行等离子体处理的处理室的内部时，利用了如电介质窗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体加工装置，具有使用等离子体进行处理的处理室（１，２）和向上述处理室（１，２）导入使已被供给到上述处理室（１，２）的反应气体变成等离子体状态所用的微波的微波导入单元（３ａ～６ａ，３ｂ～６ｂ，１９ａ，１９ｂ），其特征在于：上 述微波导入单元（３ａ～６ａ，３ｂ～６ｂ，１９ａ，１９ｂ）包括使上述微波透过的电介质构件（５ａ，５ｂ，１９ａ，１９ｂ），在与上述微波透过上述电介质构件（５ａ，５ｂ，１９ａ，１９ｂ）的透过方向大致垂直的方向上的上述电介质构件（５ａ，５ｂ ，１９ａ，１９ｂ）的断面形状，是可以使大致单一模式的上述微波透过的形状，当设透过上述电介质构件（５ａ，５...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：大见忠弘，山本直子，山本达志，平山昌树，
申请(专利权)人：夏普株式会社，大见忠弘，
类型：发明
国别省市：JP[日本]