螺旋谐振器型等离子体处理设备制造技术

本发明专利技术公开了一种螺旋谐振器等离子体处理设备。该等离子体处理设备包括：处理室，该处理室具有衬底托架，该衬底托架支撑待处理的衬底；设置在处理室上以便与处理室的内部空间相连通的介电管；围绕介电管的外管缠绕的螺旋线圈；以及向螺旋线圈供给ＲＦ功率的ＲＦ电源。介电管为双管形式，包括内管和外管。而在外管内设置等离子体源气体入口，用以将等离子体源气体供给到内管和外管之间的空间内。在介电管内设置控制电极，用以控制等离子体电势。这种等离子体处理设备提供了沿晶片径向的均匀等离子体密度分布，并易于控制处理室内的等离子体电势。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体处理设备，并尤其涉及一种利用螺旋线圈(helix coil)的螺旋谐振器型等离子体处理设备。
技术介绍
目前，等离子体源在半导体工业中广泛用于处理精细半导体器件或平面显示面板。即，等离子体源越来越成为蚀刻薄膜或为了制造半导体器件而在晶片表面上沉积预定的薄材料膜或者为了制造诸如LCD的平板显示器而在衬底上沉积预定的薄材料膜中不可或缺的工具。于是，处理等离子体源的设备的发展成为半导体工业的核心需求。近年来，随着半导体技术的迅猛发展，半导体器件的集成密度已经快速提高。而且，为了提高处理效率，必须增加制造半导体器件的晶片的直径。为了满足这些工业需求，对于蚀刻或沉积非常薄的膜来说，确保等离子体均匀性是必不可少的。为了这个目的，在等离子体产生机制，如电感耦合等离子体(ICP)机制、电子回旋共振机制、螺旋波等离子体机制以及螺旋谐振器等离子体机制方面，已经积极开展了各种尝试来以低温下的正规生产(normal production)获得高密度和更高密度均匀性的等离子体源。在上述等离子体产生机制中，已经发现螺旋型谐振器是在低温下触发(igniting)和保持高密度等离子体的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种螺旋谐振器型等离子体处理设备，包括：处理室，该处理室具有衬底托架，该衬底托架支撑待处理的衬底；具有双管形式的介电管，该介电管设置在处理室上，以便与处理室的内部空间相连通，该介电管包括：内管，围绕内管的外管，以及源气体入口，该源气体入口设置在外管上，以便将等离子体源气体供给到内管和外管之间的空间内；螺旋线圈，该螺旋线圈围绕介电管的外管缠绕；以及ＲＦ电源，该ＲＦ电源向螺旋线圈供给ＲＦ功率。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金大一，马东俊，金国闰，崔圣圭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]