电路板及其制造方法技术

本申请提出一种电路板的制造方法，包括步骤：提供覆铜基板，覆铜基板包括基材层及设置于基材层上的铜箔层。于铜箔层上设置干膜感光图样，干膜感光图样具有开孔，部分铜箔层于开孔的底部露出，干膜感光图样包括三氟乙酸基团。于开孔内沉积形成第一导通体，第一导通体填充部分开孔，第一导通体设置于部分铜箔层上。于第一导通体上电镀形成第一电镀体，第一电镀体填充另一部分开孔，移除干膜感光图样，以及蚀刻另一部分铜箔层以形成导电线路，获得电路板，其中，每相邻两个导电线路之间的距离小于10微米，每一导电线路的宽度小于8微米。另外，本申请还提供一种电路板。本申请还提供一种电路板。本申请还提供一种电路板。

【技术实现步骤摘要】
电路板及其制造方法


[0001]本申请涉一种电路板及其制造方法。

技术介绍

[0002]一般情况下，电路板生产过程中的化学镀主要利用还原反应在已有的铜层上沉积化学镀铜层，该化学镀铜层可以作为电镀过程的晶种层，但是由于大多数干膜不耐酸碱，而化学镀需要使用较强的酸碱容易导致化学镀只能在压干膜前进行，而在压膜前进行化学镀意味着化学镀将在整版的覆铜基板上进行，不可避免地增加了整体铜层的厚度，而整体铜层的增厚不利于蚀刻形成线宽线距较小的线路层。

技术实现思路

[0003]为解决
技术介绍
中的问题，本申请提供一种电路板的制造方法。
[0004]另外，还有必要提供一种电路板。
[0005]一种电路板的制造方法，包括步骤：提供覆铜基板，所述覆铜基板包括基材层及设置于所述基材层上的铜箔层。于所述铜箔层上设置干膜感光图样，所述干膜感光图样具有开孔，部分所述铜箔层于所述开孔的底部露出，所述干膜感光图样包括三氟乙酸基团。于所述开孔内沉积形成第一导通体，所述第一导通体填充部分所述开孔，所述第一导通体设置于部分所述铜箔层上。于所述第一导通体上电镀形成第一电镀体，所述第一电镀体填充另一部分所述开孔，移除所述干膜感光图样，以及蚀刻另一部分所述铜箔层以形成导电线路，获得所述电路板，其中，每相邻两个所述导电线路之间的距离小于10微米，每一所述导电线路的宽度小于8微米。
[0006]进一步地，包括步骤：将设置有干膜感光图样的所述覆铜基板浸入胶体钯中，所述胶体钯含有钯原子，部分所述钯原子沉积于露出于所述开孔的部分所述铜箔层上以形成钯层，另一部分所述钯原子与所述三氟乙酸基团应生成可溶性络合物层，所述可溶性络合物层包覆所述干膜感光图样，以及于所述钯层上沉积所述第一导通体并溶解所述可溶性络合物层。
[0007]进一步地，所述覆铜基板具有厚度方向，所述覆铜基板沿所述厚度方向贯穿设置有通孔，所述制造方法还包括步骤：于所述通孔内沉积形成中空的第二导通体，以及于所述第二导通体的相对两端电镀形成第二电镀体，所述第二导通体填入中空的所述第二导通体内。
[0008]进一步地，所述通孔内有树脂碎屑，所述铜箔层上有氧化物碎屑，步骤“于所述通孔内沉积形成中空的第二导通体”之前还包括：于所述铜箔层喷涂第一清洁剂以清除氧化物碎屑；以及于所述通孔内喷涂第二清洁剂以清除树脂碎屑。
[0009]进一步地，所述第一清洁剂包括过硫酸钠溶液，所述第二清洁剂包括碱性高锰酸钾溶液。
[0010]进一步地，步骤“于所述铜箔层上设置干膜感光图样”之前包括：于所述铜箔层上
喷涂所述第一清洁剂以形成多个微孔结构。
[0011]进一步地，步骤“于所述铜箔层上设置干膜感光图样”包括：于所述铜箔层上设置干膜，部分所述干膜填入所述微孔结构中，以及曝光显影所述干膜以形成干膜感光图样。
[0012]进一步地，步骤“蚀刻另一部分所述铜箔层以形成导电线路”包括：通过三氯化铁溶液蚀刻所述铜箔层以形成所述导电线路层。
[0013]一种电路板，包括基材层及设置于所述基材层上的导电线路，所述基材层具有厚度方向，沿所述厚度方向，所述导电线路包括第一导通体及第一电镀体，所述第一导通体设置于所述基材层上，所述第一电镀体设置于所述第一导通体上，每相邻两个所述第一导通体之间的距离小于10微米，每一所述第一导通体沿垂直所述厚度方向的宽度小于8微米。
[0014]进一步地，所述电路板还包括中空的第二导通体及第二电镀体，所述基材层沿所述厚度方向贯穿设置有通孔，中空的所述第二导通体设置于所述通孔内，所述第二电镀体设置于所述第二导通体的相对两端，部分所述第二电镀体填入中空的所述第二导通体内。
[0015]相比于现有技术，本申请提供的电路板的制造方法通过使用含有三氟乙酸基团的所述干膜感光图样，该三氟乙酸基团使得所述干膜感光图样具有耐酸碱的性能，使得在强碱环境下沉积第一导通体与第二导通体的过程可以在设置所述干膜感光图样后进行，避免了在整版的铜箔层上进行沉积，从而有利于减少底铜的厚度，进而有利于蚀刻形成线宽线距较小的导电线路。
附图说明
[0016]图1为本申请一实施例提供的覆铜基板的示意图。
[0017]图2为图1所示的覆铜基板进行第一次蚀刻后的示意图。
[0018]图3为图2所示的覆铜基板设置通孔后的示意图。
[0019]图4为图3所示的覆铜基板进行第二次蚀刻后的示意图。
[0020]图5为图4所示的覆铜基板喷涂第二清洗剂后的示意图。
[0021]图6为图5所示的覆铜基板进行第三次蚀刻后的示意图。
[0022]图7为图6所示的覆铜基板设置干膜后的示意图。
[0023]图8为本申请一实施例提供的中间体的示意图。
[0024]图9为图8所示的中间体浸入胶体钯后的示意图。
[0025]图10为图9所示的中间体设置第一导通体和第二导通体后的示意图。
[0026]图11为图10所示的中间体设置第一电镀体和第二电镀体后的示意图。
[0027]图12为移除图11所示的干膜感光图样后的示意图。
[0028]图13为本申请一实施例提供的电路板的示意图。
[0029]主要元件符号说明
[0030]电路板
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100
[0031]覆铜基板
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10
[0032]基材层
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11
[0033]铜箔层
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12
[0034]碎屑
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14
[0035]第一导通体
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41
[0036]第二导通体
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42
[0037]第一电镀体
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51
[0038]第二电镀体
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52
[0039]导电线路
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[0040]内侧导电线路
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61
[0041]外侧导电线路
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62
[0042]干膜感光图样
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20
[0043]开孔
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21
[0044]第一开孔
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211
[0045]第二开孔
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212
[0046]干膜
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22
[0047]中间体
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30
[0048]可溶性络合物层
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3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路板的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供覆铜基板，所述覆铜基板包括基材层及设置于所述基材层上的铜箔层；于所述铜箔层上设置干膜感光图样，所述干膜感光图样具有开孔，部分所述铜箔层于所述开孔的底部露出，所述干膜感光图样包括三氟乙酸基团；于所述开孔内沉积形成第一导通体，所述第一导通体填充部分所述开孔，所述第一导通体设置于部分所述铜箔层上；于所述第一导通体上电镀形成第一电镀体，所述第一电镀体填充另一部分所述开孔；移除所述干膜感光图样，以及蚀刻另一部分所述铜箔层以形成多个导电线路，获得所述电路板，其中，每相邻两个所述导电线路之间的距离小于10微米，每一所述导电线路的宽度小于8微米。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，包括步骤：将设置有干膜感光图样的所述覆铜基板浸入胶体钯中，所述胶体钯含有钯原子，部分所述钯原子沉积于露出于所述开孔的部分所述铜箔层上以形成钯层，另一部分所述钯原子与所述三氟乙酸基团应生成可溶性络合物层，所述可溶性络合物层包覆所述干膜感光图样；以及于所述钯层上沉积所述第一导通体并溶解所述可溶性络合物层。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述覆铜基板具有厚度方向，所述覆铜基板沿所述厚度方向贯穿设置有通孔，所述通孔内有树脂碎屑，所述铜箔层上有氧化物碎屑，所述制造方法还包括步骤：于所述通孔内沉积形成中空的第二导通体，以及于所述第二导通体的相对两端电镀形成第二电镀体，所述第二电镀体填充中空的所述第二导通体内。4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，步骤“于所述通孔内沉积形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹良涛，黄钏杰，黄保钦，
申请(专利权)人：礼鼎半导体科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：