制备金属-半导体范德华接触的方法、电子器件、电极阵列技术

一种热解制备金属

【技术实现步骤摘要】
制备金属
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半导体范德华接触的方法、电子器件、电极阵列


[0001]本专利技术涉及半导体器件制备领域，尤其是通用热解制备晶圆级金属
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半导体范德华接触


技术介绍

[0002]以过渡金属硫族化合物(TMD)为代表的二维(2D)半导体，作为一种具有原子薄厚度和表面无悬挂键的夹层结构，在晶体管的电子学应用中引起了广泛关注。迄今为止，许多2D半导体丰富而有趣的物理特性已被验证。与传统体材料相比，2D半导体的载流子可以限制在单层沟道空间内，有效降低表面电荷散射，同时仍保持较高的载流子迁移率。此外，在器件沟道不断微缩条件下，2D场效应晶体管(FET)对短沟道效应具有很强的免疫力，显著降低了器件静态功耗，弥补了硅基器件的不足。因此，2D半导体为最终体厚度缩放提供了巨大的潜力，这对于进一步扩展摩尔定律至关重要。然而，在2D半导体的超薄和精细的晶格结构上实现高质量金属接触仍然是一项关键挑战。传统硅微电子的金属化过程(例如，热/电子束蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积和电子束光刻)通常是基于金属前驱体蒸发的“高能量”制造工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热解制备金属
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半导体范德华接触的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)配置热解有机缓冲层前驱体溶液；2)将所述热解有机缓冲层前驱体溶液旋涂于半导体表面并烘干形成热解有机缓冲层薄膜；3)在所述热解有机缓冲层薄膜上蒸镀金属形成电极；4)加热退火分解所述热解缓冲层薄膜。2.如权利要求1所述一种热解制备金属
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半导体范德华接触的方法，其特征在于，所述金属熔点要高于所述热解有机缓冲层薄膜的分解温度。3.如权利要求1或2所述一种热解制备金属
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半导体范德华接触的方法，其特征在于，所述热解有缓冲层为聚碳酸乙烯酯PEC，或聚碳酸丙烯酯PPC，或超支化聚合物HB560中的一种。4.如权利要求3所述一种热解制备金属
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半导体范德华接触的方法，其特征在于，所述聚碳酸乙烯酯PEC分解温度为250℃，所述聚碳酸丙烯酯PPC分解温度为300℃，超支化聚合物HB560分解温度为600℃。5.如权利要求1
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4任一所述一种热解制备金属
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半导体范德华接触的方法，其特征在于，所述烘干温度为：80
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120℃，烘干时间为：1
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘渊，孔令安，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：