氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管、显示器件技术

一种氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管、显示器件，涉及半导体技术领域。该氧化物半导体薄膜的制备方法包括：提供基底；在所述基底上形成氧化物半导体薄膜；其中，所述氧化物半导体薄膜的厚度小于或等于15nm。该氧化物半导体薄膜的制备方法能够具备高迁移率等性能优势。性能优势。性能优势。

【技术实现步骤摘要】
氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管、显示器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管、显示器件。

技术介绍

[0002]在小尺寸领域，低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS
‑
TFT)因其高迁移率(100cm2/(V
·
s))而占有统治地位。但其存在晶界和均一性差，受限于5英寸屏幕尺寸以下；氢化非晶硅(A
‑
Si:H)均一性好，但因低迁移率(<1cm2/(V
·
s))，限制了其在高端显示领域(如大面积超清和3D维显示等)的应用。而下一代高端显示器背板需要高迁移率、高均一性和稳定性的薄膜晶体管。
[0003]相比之下，氧化物半导体因其较佳的迁移率和均一性，其适用性远超过其他半导体材料，它可以应用于包括液晶显示屏、有机发光显示屏、基底面积0
‑
70英寸以上的超清液晶显示屏、有机发光显示屏、有机发光显示屏以及柔性衬底等。然而，下一代高端显示对TFT迁移率要求更高(>4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成氧化物半导体薄膜；功率密度小于或等于3W/cm2、工作压强小于或等于0.5Pa，反应气氛包括氧气和氩气，所述氧气的分压在0％至20％之间；其中，所述氧化物半导体薄膜的厚度小于或等于15nm。2.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，在所述基底上形成氧化物半导体薄膜，包括：在所述基底上形成氧化物半导体薄膜；其中，在形成氧化物半导体薄膜时，所述功率密度在1.1W/cm2至3W/cm2之间。3.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，在所述基底上形成氧化物半导体薄膜，包括：在所述基底上形成氧化物半导体薄膜；其中，在形成氧化物半导体薄膜时，所述工作压强在0.2Pa至0.5Pa之间。4.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述在所述基底上形成氧化物半导体薄膜，包括：在所述基底上通过磁控溅射工艺和激光沉积工艺中的任意一种形成氧化物半导体薄膜。...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱博文，宋春燕，
申请(专利权)人：西湖大学，
类型：发明
国别省市：