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一种氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管、显示器件，涉及半导体技术领域。该氧化物半导体薄膜的制备方法包括：提供基底；在所述基底上形成氧化物半导体薄膜；其中，所述氧化物半导体薄膜的厚度小于或等于15nm。该氧化物半导体薄膜的制备方法能够具...
该专利属于西湖大学所有，仅供学习研究参考，未经过西湖大学授权不得商用。

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