分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法及异质结结构技术

本申请公开了一种分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法及异质结结构，包括：制备衬底；在所述衬底上生长p型掺杂层；采用如下方式制备所述p型掺杂层：将碲化镉、砷化镉、碲化汞三层作为一个周期，循环多个周期形成超晶格结构，以获得所述p型掺杂层。本申请实施例通过将碲化镉、砷化镉、碲化汞三层作为一个周期，循环多个周期形成超晶格结构形成p型掺杂层，由此不需要热处理或者只经过低温热处理即获得碲镉汞异质结材料。碲镉汞异质结材料。碲镉汞异质结材料。

【技术实现步骤摘要】
分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法及异质结结构


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法及异质结结构。

技术介绍

[0002]随着红外焦平面技术的发展，目前第三代红外焦平面技术已经成为研究的重心，对HgCdTe红外焦平面技术也提出了更高的要求。组分异质结构的多层外延制备是研究难点之一。利用分子束外延原位掺杂技术可实现碲镉汞材料的n、p型掺杂。可以对碲镉汞材料进行多层结构设计，制备出多个pn结用于制备双色、多色碲镉汞红外探测器。
[0003]碲镉汞原位掺杂是指在MCT生长过程中引入杂质。n型掺杂较为容易，其中In为较佳选择元素之一，其具有扩散率低，较容易引进Hg位并可充分激活等优点。但p型掺杂较为困难，关于MBE原位p型掺杂技术，国内外研究人员做了大量的工作，通常采用常规的平面As掺杂的方法实现p型掺杂。但As的粘附系数较低，对衬底温度较为敏感，为了达到As掺杂目标浓度，就要在生长窗口中选择温度较低的生长温度。
[0004]此外，由于分子束外延生长碲镉汞是富碲生长，As在掺杂过程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法，其特征在于，包括：制备衬底；在所述衬底上生长p型掺杂层；采用如下方式制备所述p型掺杂层：将碲化镉、砷化镉、碲化汞三层作为一个周期，循环多个周期形成超晶格结构，以获得所述p型掺杂层。2.如权利要求1所述的分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法，其特征在于，所述p型掺杂层中每一层碲化镉、砷化镉、碲化汞的厚度为1nm～10nm，且同一周期各层的厚度可以不同。3.如权利要求1所述的分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法，其特征在于，制备所述p型掺杂层的方法还包括：基于所形成的超晶格结构放置于汞饱和气氛下，在目标温度下加热指定时长。4.如权利要求1所述的分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法，其特征在于，还包括：在所述衬底上生长n型掺杂层后，再生长所述p型掺杂层；或在所述衬底上生长所述p型掺杂层后，再生长n型掺杂层。5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丹，高达，李震，邢伟荣，王丛，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：