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本申请公开了一种分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法及异质结结构，包括：制备衬底；在所述衬底上生长p型掺杂层；采用如下方式制备所述p型掺杂层：将碲化镉、砷化镉、碲化汞三层作为一个周期，循环多个周期形成超晶格结构，以获得所述p型掺杂层。本申...
该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。

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