本发明专利技术公开了一种基于HTCC的交叉线连接模块及HTCC组件，所述模块包括三层以上的HTCC陶瓷板，所述HTCC陶瓷板之间以及外表面形成有金属层，矩形结构的左侧面和右侧面分别形成有一个侧壁金属化半孔，两个所述侧壁金属化半孔的上端通过位于陶瓷板之间的层间微带线连接，所述层间微带线不与陶瓷板之间的金属层接触，所述矩形结构的前侧面和后侧面分别形成有一个侧壁金属化孔，通过所述侧壁金属化半孔以及侧壁金属化孔分别与介质基板上的微带线连接。所述模块可以实现高密度同层交叉走线且能够提高装配容差，降低系统成本，在对于小型化、高集成度、轻量化要求较高的大型微波射频系统中有着巨大的应用价值。有着巨大的应用价值。有着巨大的应用价值。
【技术实现步骤摘要】
基于HTCC的交叉线连接模块及HTCC组件
[0001]本专利技术涉及射频封装
，尤其涉及一种基于HTCC的交叉线连接模块及HTCC组件。
技术介绍
[0002]随着国内外对于小型化射频微系统的需求不断增长，射频系统也逐渐从平面封装结构化转为三维立体封装，从而提高了射频微系统的纵向集成度。而随着系统复杂度的不断提高，其单位面积内的布线密度会随之升高，不可避免的会出现表层走线有交错的问题，通常解决交错的方法是通过绕线或增加基板层数的方式实现，但过长的绕线会导致损耗增加，增加基板层数也会使得系统的设计复杂度提高，并且在大型平面设计的情况下，额外增加一层介质基板的成本较大。因此，需要一种小型化低损耗的结构来处理复杂的交叉走线。
技术实现思路
[0003]本专利技术所要解决的技术问题是如何提供一种可以实现高密度同层交叉走线且能够提高装配容差，降低系统成本的基于HTCC的交叉线连接模块。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：一种基于HTCC的交叉线连接模块，其特征在于：包括三层以上的HTCC陶瓷板，所述HTCC陶瓷板之间以及外表面形成有金属层，所述陶瓷板与所述金属层层叠到一起后形成矩形结构，所述矩形结构的左侧面和右侧面分别形成有一个侧壁金属化半孔，两个所述侧壁金属化半孔的上端通过位于陶瓷板之间的层间微带线连接，所述层间微带线不与陶瓷板之间的金属层接触，其中的一个所述侧壁金属化半孔的下端用于与介质基板上的第一微带线的内侧端部连接，其中的另一个所述侧壁金属化半孔的下端用于与介质基板上的第二微带线的内侧端部连接，所述第一微带线与所述第二微带线在第一条直线上；所述矩形结构的前侧面和后侧面分别形成有一个侧壁金属化孔，两个所述侧壁金属化孔的上端通过位于最上侧的陶瓷板上表面的互联微带线连接，所述互联微带线不与陶瓷板表面的金属层接触，其中的一个所述侧壁金属化孔的下端用于与介质基板上的第三微带线的内侧端部连接，其中的另一个所述侧壁金属化孔的下端用于与介质基板上的第四微带线的内侧端部连接，所述第三微带线与所述第四微带线在第二条直线上；所述第一条直线与所述第二条直线交叉。
[0005]进一步的技术方案在于：所述矩形结构内设置有若干个隔离地孔，所述隔离地孔与所述金属层连接，将所述金属层连接到一起。
[0006]进一步的技术方案在于：所述侧壁金属化半孔以及侧壁金属化孔两侧的矩形结构上形成有侧壁金属化层。
[0007]进一步的技术方案在于：所述侧壁金属化半孔与介质基板上的第一微带线以及第二微带线之间设置有连接焊盘，侧壁金属化孔介质基板上的第三微带线以及第四微带线之间设置有连接焊盘。
[0008]优选的，所述HTCC陶瓷板设置有6层，所述金属层设置有7层，所述层间微带线设置于第三层HTCC陶瓷板与第四层HTCC陶瓷板之间。
[0009]优选的，所述矩形结构的长宽高分别为2mm、2mm和0.6mm。
[0010]优选的，所述陶瓷板使用陶瓷介质kch90。
[0011]优选的，所述交叉线连接模块应用于1GHz
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20GHz。
[0012]本专利技术还公开了一种HTCC组件，其特征在于：包括所述交叉线连接模块，还包括介质基板，所述介质基板上形成有第一微带线和第三微带线，所述第一微带线的延长线与所述第三微带线的延长线相互交叉；与所述第一微带线正对的位置设置有第二微带线， 所述第一微带线与所述第二微带线在第一条直线上，且第一微带线与第二微带线之间设置有间隔；与所述第三微带线正对的位置设置有第四微带线， 所述第三微带线与所述第四微带线在第一条直线上，且第三微带线与第四微带线之间设置有间隔；所述交叉线连接模块上的侧壁金属化半孔以及侧壁金属化孔分别与相应的第一至第四微带线连接，通过所述交叉线连接模块实现交叉的微带线之间的连接。
[0013]进一步的技术方案在于：所述介质基板的上下表面形成有接地金属层，所述介质基板内设置有隔离地孔，所述隔离地孔与所述接地金属层连接。
[0014]采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本申请采用小型化交叉线三维立体绕线模块可以实现高密度同层交叉走线；采用QFN焊接方式可以降低模块尺寸，减小对基板面积的占用，并且可通过表贴的方式减小基板厚度；利用HTCC进行等交叉绕线，其损耗较小，并且利用HTCC工艺的高密度叠层与可置高密度隔离孔以及侧壁金属化的优势，可以实现在2mm*2mm尺寸范围内实现基板表面十字交叉走线的绕行，并且隔离度较高。
附图说明
[0015]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0016]图1是本专利技术实施例所述组件的结构示意图；图2是本专利技术实施例所述组件的俯视结构示意图；图3是本专利技术实施例所述组件的剖视结构示意图；图4是本专利技术实施例所述组件去掉陶瓷板后的结构示意图；图5为本实施实例中所述连接模块的端口1和端口2之间的插入损耗S21仿真结果；图6为本实施实例中所述连接模块的端口1的回波损耗S11仿真结果；图7为本实施实例中所述连接模块的端口3和端口4之间的插入损耗S43仿真结果；图8为本实施实例中所述连接模块的端口3的回波损耗S33仿真结果；其中：1、HTCC陶瓷板；2、金属层；3、侧壁金属化半孔；4、层间微带；5、介质基板；6、第一微带线，设为端口1；7、第二微带线，设为端口2；8、侧壁金属化孔；9、互联微带线；10、第三微带线，设为端口3；11、第四微带线，设为端口4；12、隔离地孔；13、连接焊盘。
具体实施方式
[0017]下面结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0018]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0019]如图1
‑
图4所示，本专利技术实施例公开了一种基于HTCC的交叉线连接模块，包括三层以上的HTCC陶瓷板1，优选的，所述陶瓷板1可以使用陶瓷介质kch90。所述HTCC陶瓷板1之间以及外表面形成有金属层2，所述陶瓷板1与所述金属层2层叠到一起后形成矩形结构。所述矩形结构的左侧面和右侧面分别形成有一个侧壁金属化半孔3，两个所述侧壁金属化半孔3的上端通过位于陶瓷板1之间的层间微带线4连接，侧壁金属化半孔3的金属化高度由层间微带线4决定，所述层间微带线4不与陶瓷板1之间的金属层2接触，优选的，所述HTCC陶瓷板1设置有6层，所述金属层2设置有7层，所述层间微带线4设置于第三层HTCC陶瓷板与第四层HTCC陶瓷板之间。其中的一个所述侧壁金属化半孔3的下端用于与介质基板5上的第一微带线6的内侧端部连接，其中的另一个所述侧壁金本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于HTCC的交叉线连接模块，其特征在于：包括三层以上的HTCC陶瓷板（1），所述HTCC陶瓷板（1）之间以及外表面形成有金属层（2），所述陶瓷板（1）与所述金属层（2）层叠到一起后形成矩形结构，所述矩形结构的左侧面和右侧面分别形成有一个侧壁金属化半孔（3），两个所述侧壁金属化半孔（3）的上端通过位于陶瓷板（1）之间的层间微带线（4）连接，所述层间微带线（4）不与陶瓷板（1）之间的金属层（2）接触，其中的一个所述侧壁金属化半孔（3）的下端用于与介质基板（5）上的第一微带线（6）的内侧端部连接，其中的另一个所述侧壁金属化半孔（3）的下端用于与介质基板（5）上的第二微带线（7）的内侧端部连接，所述第一微带线（6）与所述第二微带线（7）在第一条直线上；所述矩形结构的前侧面和后侧面分别形成有一个侧壁金属化孔（8），两个所述侧壁金属化孔（8）的上端通过位于最上侧的陶瓷板（1）上表面的互联微带线（9）连接，所述互联微带线（9）不与陶瓷板（1）表面的金属层（2）接触，其中的一个所述侧壁金属化孔（8）的下端用于与介质基板（5）上的第三微带线（10）的内侧端部连接，其中的另一个所述侧壁金属化孔（8）的下端用于与介质基板（5）上的第四微带线（11）的内侧端部连接，所述第三微带线（10）与所述第四微带线（11）在第二条直线上；所述第一条直线与所述第二条直线交叉。2.如权利要求1所述的基于HTCC的交叉线连接模块，其特征在于：所述矩形结构内设置有若干个隔离地孔（12），所述隔离地孔（12）与所述金属层（2）连接，将所述金属层（2）连接到一起。3.如权利要求1所述的基于HTCC的交叉线连接模块，其特征在于：所述侧壁金属化半孔（3）以及侧壁金属化孔（8）两侧的矩形结构上形成有侧壁金属化层。4.如权利要求1所述的基于HTCC的交叉线连接模块，其特征在于：所述侧壁金属化半孔（3）与介质基板（5）上的第一微带线（6）以及第二微带线（7）之间设置有连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈子豪，任朝炜，赖邱亮，
申请(专利权)人：石家庄烽瓷电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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