用于分析SiliconIngot结晶缺陷的Cu-Haze评价系统技术方案

本发明专利技术涉及一种用于分析Silicon Ingot 结晶缺陷的Cu

【技术实现步骤摘要】
用于分析Silicon Ingot结晶缺陷的Cu
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Haze评价系统


[0001]本专利技术涉及硅片加工
，具体涉及一种用于分析Silicon Ingot 结晶缺陷的Cu
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Haze评价系统。

技术介绍

[0002]随着对半导体集成电路和硅片的需求不断增加,硅片行业对硅片的质量要求也变得更加严格。晶成长过程中可能发生的缺陷有COP、FPD、OISF、LDP、BMD。晶体成长缺陷COP(crystal oriented particle)，以前满足于Low
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COP, 但现在要求无COP缺陷的COP
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free水平，相比之前品质要求更加严格。
[0003]半导体集成电路的工艺从100nm以上的水平逐渐发展为20 nm以下超细微水平。在这种情况下，虽然对COP
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Free硅片有要求，但要想晶棒在整体区间中达到完全无COP，存在技术上的局限性。因此，有必要对发生COP缺陷的区间进行检查和判定，筛选出不良的硅片。
[0004]现有方法工序为1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于分析Silicon Ingot 结晶缺陷的Cu
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Haze评价系统，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：硅片进行结晶成长过程，接着取样品；第二步：将铜溶液涂抹在样品硅片，使得样品硅片表面用Cu金属成分进行强制污染；第三步：将受Cu污染的样品（硅片）高温热处理，第一阶段，400度～800度；第二阶段，600度～950度；第三阶段，1000度～1150度；第四阶段是将1000度以上的高温慢慢降低温度的过程，来完成热处理；第四步：高温热处理第一阶段和第二阶段全部完成后,硅片的表面已经可以明确确认COP缺陷位置和区域，采用肉眼进行手动检查,或使用Camera和传感器进行自动检查。2.根据权利要求1所述的用于分析Silicon Ingot 结晶缺陷的Cu
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Haze评价系统，其特征在于：铜片或者铜粉溶解在强硝酸或者氢氟酸溶液中，受铜污染的溶液在常温条件中，采用 Cu2+浓度40000ppm～80000ppm，根据铜...

【专利技术属性】
技术研发人员：金太薰，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：