纳米片环栅场效应晶体管金属功函数波动电路仿真方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米片环栅场效应晶体管金属功函数波动电路仿真方法，属于微电子器件领域。该电路仿真方法首先基于BSIM

【技术实现步骤摘要】
纳米片环栅场效应晶体管金属功函数波动电路仿真方法


[0001]本专利技术属于微电子器件领域，具体涉及一种纳米片环栅场效应晶体管金属功函数波动电路仿真方法。

技术介绍

[0002]一方面，环栅场效应晶体管目前的研究热点之一。相较于FinFET而言，环栅场效应晶体管具有更加优越的性能，其栅材料围绕着立体的沟道区域，能够更好地抑制短沟道效应实现更好的开关比并且在沟道中载流子能够沿着准一维的弹道进行传输能够更好地提高器件的驱动电流。在3nm技术节点下，环栅场效应晶体管将成为研究的主流器件。
[0003]但另一方面，因为环栅场效应晶体管的制备工艺变得更加复杂，器件中随机涨落的影响变得更加需要重视。器件的随机涨落是由于器件制备过程中，不可避免的工艺不确定性带来的器件电学特性影响，例如阈值电压等参数的涨落。在环栅场效应晶体管中，随机涨落源主要有金属功函数波动(WFV)、线边缘粗糙度(LER)、线宽度边缘粗糙度(LWR)。对于金属功函数波动来说，目前已有有效的集约模型，该模型将WFV的影响看作是对器件有效功函数的影响，根据金属晶粒的直径D、器件栅面积S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米片环栅场效应晶体管金属功函数波动电路仿真方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：1)基于BSIM
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CMG模型对纳米片环栅场效应晶体管进行全局参数提取，得到所有Target在工业误差范围内并能够应用于沟道长度Lg变化的器件的全局模型及核心参数PHIG；2)修正核心参数PHIG；利用公式(1)和公式(2)分别得到金属功函数影响下核心参数PHIG涨落的均值和方差：μ(PHIG)＝PHIG
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(1)其中，公式中PHIG为已得到的全局模型中无波动下的核心参数PHIG，为有效功函数的涨落，能够直接反映在PHIG的变化上；D为金属晶粒的直径，nstack为纳米片的层数，W为沟道宽度，L为沟道长度，为金属栅材料两种晶向对应的功函数之差，使用金属TiN<100>和<111>所对应的功函数之差，根据对晶粒统计分布的结果，两种晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐思逸，孙亚宾，石艳玲，李小进，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：