一种LED发光器件制备方法及LED发光器件技术

本发明专利技术提供了一种LED发光器件制备方法及LED发光器件，所述制备方法包括以下步骤：提供一衬底；对衬底的一端面进行抛光、清洗处理，以使在衬底上形成一抛光面；在抛光面上制备黏附层，并将若干发光芯片组贴附在黏附层上；在若干发光芯片组上填充固晶材料，以使在发光芯片组上形成固晶层，并对固晶层进行刻蚀处理以露出发光芯片组的连接电极；在固晶层上制备布线层，以调整若干发光芯片组的正负极，并在布线层上制备保护层，并对保护层进行刻蚀处理以露出若干发光芯片组的正负极，得到中间LED发光器件；对衬底远离抛光面的另一端面进行减薄处理，并在减薄处理后的端面上制备增透膜，得到目标LED发光器件。目标LED发光器件。目标LED发光器件。

【技术实现步骤摘要】
一种LED发光器件制备方法及LED发光器件


[0001]本专利技术涉及半导体LED
，具体涉及一种LED发光器件制备方法及LED发光器件。

技术介绍

[0002]显示屏就是由若干个可组合拼接的显示单元构成的屏体，LED显示屏是直接透过RGB三色LED来混色的，红、绿、蓝三基色，256级灰度的全彩色显示屏可以显示一千六百多万种颜色。在色彩显示度上相对于传统的液晶面板显示效果更好。
[0003]LED显示屏的封装是指发光芯片的封装，LED封装的功能主要包括：机械保护，以提高可靠性；加强散热，以降低芯片结温，提高LED性能；光学控制，提高出光效率，优化光束分布；供电管理，包括交流/直流转变，以及电源控制等。经过多年的发展和沉淀，半导体芯片封装技术已经越来越成熟，如今已有数百种封装类型。而在这数百种封装类型中，扇出型封装日益火热起来，其更被认为是延续和超越摩尔定律的关键技术方案。
[0004]目前，扇出型封装结构的器件的出光面通常为蓝宝石、石英、玻璃或者高折射率透明硅胶等材料，这种高折射率材料作为出光面，会造成光在界面发生全反射而降低透光率。

技术实现思路

[0005]基于此，本专利技术的目的是提供一种LED发光器件制备方法及LED发光器件，以解决现有技术中高折射率材料作为衬底出光面,会造成光在界面发生全反射而降低光的透射率的问题。
[0006]本专利技术一方面提供一种LED发光器件制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；对所述衬底的一端面进行抛光、清洗处理，以使在所述衬底上形成一抛光面；在所述抛光面上制备黏附层，并将若干发光芯片组贴附在所述黏附层上；在若干所述发光芯片组上填充固晶材料，以使在所述发光芯片组上形成固晶层，并对所述固晶层进行刻蚀处理以露出所述发光芯片组的连接电极；在所述固晶层上制备布线层，以调整若干所述发光芯片组的正负极，并在所述布线层上制备保护层，并对所述保护层进行刻蚀处理以露出若干所述发光芯片组的正负极，得到中间LED发光器件；对所述衬底远离所述抛光面的另一端面进行减薄处理，并在减薄处理后的端面上制备增透膜，得到目标LED发光器件。
[0007]本专利技术的有益效果是：本专利技术提供一种LED发光器件制备方法，包括以下步骤：对衬底的一端面进行抛光、清洗处理，以使在衬底上形成一抛光面；在所述衬底的抛光面上制备黏附层，并将若干发光芯片组贴附在所述黏附层上；黏附层可以提高衬底与外延材料的粘接特性，将在若干所述发光芯片组上填充固晶材料，以在所述发光芯片组上形成固晶层，并对所述固晶层进行刻蚀，以将所述发光芯片组的连接电极露出；制备固晶层可以将若干发光芯片组固接成一个整体，提高发光芯片组的强度；在所述固晶层上制备布线层，以调整若干所述发光芯片组的正负极，并在所述布线层上制备保护层，并对所述保护层上进行处理以露出若干所述发光芯片组的正负极，得到中间LED发光器件；保护层可以有效防止LED
发光器件发生损坏，对衬底的另一端面进行减薄处理，并在减薄处理后的端面上制备增透膜，以得到目标LED发光器件，在LED发光器件的衬底出光面制备增透膜，减少发光芯片组发出的光从衬底的透光面发出时发生全反射，提升LED发光器件的透光率。
[0008]优选的，所述增透膜由Al2O3层、MgF2层、SiO2层、H4层、SiN
a
层中的一层或多层构成，其中1.3≤a≤2。
[0009]优选的，多层结构的所述增透膜的各层折射率沿远离所述衬底的方向逐渐减小。
[0010]优选的，所述增透膜的制备步骤为：将所述中间LED发光器件转移至真空腔中，并对所述真空腔进行抽真空处理；在所述真空腔内的真空度小于第一预设真空度时，在所述真空腔内对所述中间LED发光器件进行清洗；将清洗后的所述中间LED发光器件转移至蒸镀腔内，在所述蒸镀腔内的真空度小于第二预设真空度时，在蒸镀腔内将所述增透膜蒸镀至所述衬底的另一端面上。
[0011]优选的，所述第一预设真空度为1
×
10
^
‑5Torr，所述第二预设真空度为3
×
10
^
‑3Torr。
[0012]优选的，所述中间LED发光器件的清洗时间为8
‑
10min。
[0013]优选的，所述增透膜包括SiO2层和MgF2层，所述SiO2层蒸镀在所述衬底的另一端面上，所述MgF2层蒸镀在所述SiO2层的端面上。
[0014]优选的，所述SiO2层的折射率为1.5
‑
1.7。
[0015]优选的，所述增透膜的蒸镀时间为1h
‑
5h。
[0016]本专利技术另一方面还提供一种LED发光器件，由上述任意一种LED发光器件制备方法制得，所述LED发光器件包括依次叠设在衬底一端面上的黏附层、若干发光芯片组、固晶层、布线层、保护层以及设于所述衬底另一端面上的增透膜。
[0017]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0018]图1为本专利技术提供的实施方式LED发光器件断面结构示意图；图2为本专利技术提供的实施方式LED发光器件的单个发光芯片组的结构示意图；图3为本专利技术提供的实施方式LED发光器件制备方法的流程图；图4为本专利技术提供的实施方式LED发光器件制备方法的增透膜的制备流程图；图5为现有技术提供的对照例LED发光器件断面结构示意图。
[0019]主要元件符号说明：衬底10黏附层20发光芯片组30红光芯片31蓝光芯片32绿光芯片33固晶层40布线层50保护层60增透膜70如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。
具体实施方式
[0020]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的若干实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容更加透彻全面。
[0021]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0022]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0023]请参阅图1至图2，本专利技术实施方式提供一种LED 发光器件包括：衬底10，依次叠设在衬底10抛光面上的黏附层20、若干发光芯片组30、固晶层40、布线层50、保护层60，以及设于衬底10另一端面的增透膜70。
[0024]具体的，在本实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED发光器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底；对所述衬底的一端面进行抛光、清洗处理，以使在所述衬底上形成一抛光面；在所述抛光面上制备黏附层，并将若干发光芯片组贴附在所述黏附层上；在若干所述发光芯片组上填充固晶材料，以使在所述发光芯片组上形成固晶层，并对所述固晶层进行刻蚀处理以露出所述发光芯片组的连接电极；在所述固晶层上制备布线层，以调整若干所述发光芯片组的正负极，并在所述布线层上制备保护层，并对所述保护层进行刻蚀处理以露出若干所述发光芯片组的正负极，得到中间LED发光器件；对所述衬底远离所述抛光面的另一端面进行减薄处理，并在减薄处理后的端面上制备增透膜，得到目标LED发光器件。2.根据权利要求1所述的LED发光器件制备方法，其特征在于，所述增透膜由Al2O3层、MgF2层、SiO2层、H4层、SiN
a
层中的一层或多层构成，其中1.3≤a≤2。3.根据权利要求2所述的LED发光器件制备方法，其特征在于，多层结构的所述增透膜的各层折射率沿远离所述衬底的方向逐渐减小。4.根据权利要求2或3所述的LED发光器件制备方法，其特征在于，所述增透膜的制备步骤为：将所述中间LED发光器件转移至真空腔中，并对所述真空腔进行抽真空处理；在所述真空腔内的真空度小于第一预设真空度时，在所述真空腔内对所述中间LED发光器件进行清洗；将清洗后的所述中间...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪恒青，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：