场效应晶体管、含有此类场效应晶体管的装置及其形成方法制造方法及图纸

本申请案涉及场效应晶体管、含有此类场效应晶体管的装置及其形成方法。场效应晶体管及含有此类场效应晶体管的集成电路装置可包含：半导体材料，其具有第一导电性类型；第一源极/漏极区，其具有第二导电性类型；第二源极/漏极区，其具有所述第二导电性类型；第一触点，其连接到所述第一源极/漏极区；导体，其上覆于所述半导体材料的有源区域且具有包围所述第一触点的环形部分及从所述导体的所述环形部分的外周长延伸的突刺部分；第二触点，其连接到所述导体的所述环形部分外的所述第二源极/漏极区；电介质，其在所述导体与所述有源区域之间；及第三触点，其上覆于所述有源区域且连接到所述导体的所述突刺部分。述导体的所述突刺部分。述导体的所述突刺部分。

【技术实现步骤摘要】
场效应晶体管、含有此类场效应晶体管的装置及其形成方法


[0001]本公开大体上涉及集成电路，且特定来说，在一或多个实施例中，本公开涉及场效应晶体管、含有此类场效应晶体管的装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]存储器(例如存储器装置)通常被提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及快闪存储器。
[0003]快闪存储器已发展成用于广泛电子应用的非易失性存储器的普遍来源。快闪存储器通常使用允许高存储密度、高可靠性及低功耗的单晶体管存储器单元。通过电荷存储结构(例如浮动栅极或电荷陷阱)的编程(其通常称为写入)或其它物理现象(例如相变或极化)，存储器单元的阈值电压(Vt)中的变化确定每一存储器单元的数据状态(例如数据值)。快闪存储器及其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏机、家用电器、载具、无线装置、移动电话及可拆卸存储器模块，且非易失性存储器的用途继续扩展。
[0004]NAND快闪存储器是快闪存储器装置的常见类型，因此需要布置基本存储器单元配置的逻辑形式。通常，NAND快闪存储器装置的存储器单元阵列经布置使得阵列的一行的每一存储器单元的控制栅极连接在一起以形成例如字线的存取线。阵列的列包含一起串联连接于一对选择门(例如源极选择晶体管与漏极选择晶体管)之间的存储器单元串(通常称为NAND串)。每一源极选择晶体管可连接到源极，而每一漏极选择晶体管可连接到例如列位线的数据线。在存储器单元串与源极之间及/或在存储器单元串与数据线之间使用多于一个选择门的变化是已知的。
[0005]存储器的各种操作通常是并行执行的，无论是否将数个数据数位输入到存储器、是否将数个数据数字编程到存储器单元阵列、是否从存储器单元阵列读取数个数据数字及是否从存储器输出数个数据数字。用于执行此类操作的电路系统可重复，其中在所述操作中涉及用于每一数据数字的一个此电路。如果对应于操作中涉及的一个数据数字的电路展现了与对应于所述操作中涉及的剩余数据数字的每一剩余电路相同的操作特性，那么可使这些操作更加可靠。然而，工业可变性可能会阻碍这一目标。

技术实现思路

[0006]本公开的方面提供一种场效应晶体管，其包括：半导体材料，其具有第一导电性类型；第一源极/漏极区，其具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型；第二源极/漏极区，其具有所述第二导电性类型；第一触点，其连接到所述第一源极/漏极区；导体，其上覆于所述半导体材料的有源区域，其中所述导体包括包围所述第一触点的环形部分及从所述导体的所述环形部分的外周长延伸的突刺部分；第二触点，其连接到所述导体的所述环形部分外的所述第二源极/漏极区；电介质，其在所述导体与所述有源区域之间；以及第三
触点，其上覆于所述有源区域且连接到所述导体的所述突刺部分。
[0007]本公开的另一方面提供一种场效应晶体管，其包括：半导体材料，其具有第一导电性类型；第一源极/漏极区，其具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型；具有所述第二导电性类型的第二源极/漏极区的第一部分，其与所述第一源极/漏极区的第一侧间隔开；具有所述第二导电性类型的所述第二源极/漏极区的第二部分，其与所述第一源极/漏极区的与所述第一侧相对的第二侧间隔开；多个第一触点，其连接到所述第一源极/漏极区；第一多个第二触点，其连接到所述第二源极/漏极区的所述第一部分；第二多个第二触点，其连接到所述第二源极/漏极区的所述第二部分；导体，其上覆于所述半导体材料的有源区域，其中所述导体包括包围所述多个第一触点且延伸于所述第一多个第二触点与所述第二多个第二触点之间的环形部分，以及从所述环形部分的外周长延伸且没有任何部分上覆于邻近于所述有源区域的隔离区的突刺部分；电介质，其在所述导体与所述有源区域之间；沟道区，其下伏于所述导体的所述环形部分且延伸于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区的所述第一部分之间且延伸于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区的所述第二部分之间，以及第三触点，其连接到所述导体的所述突刺部分。
[0008]本公开的另一方面提供一种存储器，其包括：存储器单元阵列；电路系统，其用于存取所述存储器单元阵列；及控制器，其与用于存取所述存储器单元阵列的所述电路系统通信；其中用于存取所述存储器单元阵列的所述电路系统包括场效应晶体管，其包括：第一源极/漏极区，其具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型；第二源极/漏极区，其具有所述第二导电性类型；第一触点，其连接到所述第一源极/漏极区；导体，其上覆于所述半导体材料的有源区域，其中整个所述导体都上覆于所述有源区域，且其中所述导体包括包围所述第一触点的环形部分及从所述导体的所述环形部分的外周长延伸的突刺部分；第二触点，其连接到所述导体的所述环形部分外的所述第二源极/漏极区；电介质，其在所述导体与所述有源区域之间；以及第三触点，其连接到所述导体的所述突刺部分。
[0009]本公开的另一方面提供一种形成场效应晶体管的方法，其中所述方法包括：在半导体材料中形成隔离区，借此界定所述半导体材料中的有源区域；形成上覆于所述有源区域的电介质；形成上覆于所述电介质的导体；图案化所述导体及上覆于所述有源区的所述电介质以界定上覆于所述有源区域的所述导体的环形部分及从所述导体的所述环形部分延伸且上覆于所述有源区域的所述导体的突刺部分；在被所述导体的所述环形部分包围的所述有源区域的第一部分中形成第一源极/漏极区；在所述导体的所述环形部分外的所述有源区域的第二部分中形成第二源极/漏极区；形成连接到所述第一源极/漏极区的第一触点；形成连接到所述第二源极/漏极区的第二触点；及形成连接到所述导体的所述突刺部分的第三触点。
附图说明
[0010]图1是根据实施例的与作为电子系统的部分的处理器通信的存储器的简化框图。
[0011]图2A到2B是如可用于参考图1描述的类型的存储器中的存储器单元阵列的部分的示意图。
[0012]图3是相关技术的一对匹配的场效应晶体管的顶视图。
[0013]图4描绘图3的一对匹配的场效应晶体管的操作特性可如何不同。
[0014]图5A到5B是相关技术的额外场效应晶体管的顶视图。
[0015]图6A到6C是根据实施例的场效应晶体管的顶视图。
[0016]图6D到6F描绘根据实施例的具有各种形状的突刺。
[0017]图7是根据用于论述图8A到8G、9A到9G、10A到10G、11A到11G及12A到12G的实施例的场效应晶体管的顶视图。
[0018]图8A到8G是根据实施例的在各个制造阶段处沿着线A
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A截取的图7的场效应晶体管的横截面图。
[0019]图9A到9G是根据实施例的在各个制造阶段处沿着线B
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B截取的图7的场效应晶体管的横截面图。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管，其包括：半导体材料，其具有第一导电性类型；第一源极/漏极区，其具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型；第二源极/漏极区，其具有所述第二导电性类型；第一触点，其连接到所述第一源极/漏极区；导体，其上覆于所述半导体材料的有源区域，其中所述导体包括包围所述第一触点的环形部分及从所述导体的所述环形部分的外周长延伸的突刺部分；第二触点，其连接到所述导体的所述环形部分外的所述第二源极/漏极区；电介质，其在所述导体与所述有源区域之间；以及第三触点，其上覆于所述有源区域且连接到所述导体的所述突刺部分。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述半导体材料具有第一导电性类型，所述第一源极/漏极区具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型，且所述第二源极/漏极区具有所述第二导电性类型。3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述导体的所述突刺部分具有在第一方向上从所述导体的所述环形部分的所述外周长延伸的第一部分，以及在不同于所述第一方向的第二方向上从所述导体的所述突刺部分的所述第一部分延伸的第二部分。4.根据权利要求3所述的场效应晶体管，其中所述导体的所述突刺部分的所述第一部分与所述导体的所述突刺部分的所述第二部分形成L形。5.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其中所述导体的所述突刺部分的所述第一部分短于所述导体的所述突刺部分的所述第二部分。6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中整个所述导体上覆于所述有源区域。7.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述电介质是高K电介质。8.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其进一步包括形成于所述导体的所述突刺部分中的接触区，其中所述第三触点通过所述接触区连接到所述导体的所述突刺部分。9.根据权利要求8所述的场效应晶体管，其中所述导体包括具有特定导电性类型及第一导电性水平的导电掺杂半导体材料，且其中所述接触区包括具有所述特定导电性类型及高于所述第一导电性水平的第二导电性水平的所述导体的导电掺杂区。10.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中所述特定导电性类型是所述第二导电性类型。11.一种场效应晶体管，其包括：半导体材料，其具有第一导电性类型；第一源极/漏极区，其具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型；具有所述第二导电性类型的第二源极/漏极区的第一部分，其与所述第一源极/漏极区的第一侧间隔开；具有所述第二导电性类型的所述第二源极/漏极区的第二部分，其与所述第一源极/漏极区的与所述第一侧相对的第二侧间隔开；多个第一触点，其连接到所述第一源极/漏极区；第一多个第二触点，其连接到所述第二源极/漏极区的所述第一部分；第二多个第二触点，其连接到所述第二源极/漏极区的所述第二部分；
导体，其上覆于所述半导体材料的有源区域，其中所述导体包括包围所述多个第一触点且延伸于所述第一多个第二触点与所述第二多个第二触点之间的环形部分，以及从所述环形部分的外周长延伸且没有任何部分上覆于邻近于所述有源区域的隔离区的突刺部分；电介质，其在所述导体与所述有源区域之间；沟道区，其下伏于所述导体的所述环形部分且延伸于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区的所述第一部分之间且延伸于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区的所述第二部分之间，以及第三触点，其连接到所述导体的所述突刺部分。12.根据权利要求11所述的场效应晶体管，其中所述导体的所述突刺部分从所述导体的所述环形部分的所述外周长的边缘延伸，所述边缘在所述场效应晶体管的长度的方向上延伸。13.根据权利要求11所述的场效应晶体管，其中所述导体的所述突刺部分具有在第一方向上从所述导体的所述环形部分的所述外周长延伸的第一部分及在不同于所述第一方向的第二方向上从所述导体的所述突刺部分的所述第一部分延伸的第二部分。14.根据权利要求13所述的场效应晶体管，其中所述导体的所述突刺部分进一步具有在不同于所述第二方向的第三方向上从所述导体的所述突刺部分的所述第二部分延伸的第三部分。15.根据权利要求13所述的场效应晶体管，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：