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本申请案涉及场效应晶体管、含有此类场效应晶体管的装置及其形成方法。场效应晶体管及含有此类场效应晶体管的集成电路装置可包含：半导体材料，其具有第一导电性类型；第一源极/漏极区，其具有第二导电性类型；第二源极/漏极区，其具有所述第二导电性类型；...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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