【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请享受以日本专利申请2021
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150214(申请日：2021年9月15日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含该基础申请的全部内容。
[0002]实施方式涉及一种半导体装置。
技术介绍
[0003]以往，已知有如下构造：在栅电极以及FP(Field Plate)电极被配置在半导体部的内部的MOSFET(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor)等半导体装置中，在半导体部的表面上设置与内部的栅电极电连接的外部栅电极以及与FP电极电连接的源电极。
技术实现思路
[0004]实施方式提供一种能够扩大有效的元件面积的半导体装置。
[0005]实施方式的半导体装置具备：第1电极；半导体部，设置在上述第1电极上；第2电极，设置在上述半导体部内，从上方观察沿着第1方向延伸；第3电极，设置在上述半导体部内，沿着上述第1方向延伸，包括...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：第1电极；半导体部，设置在上述第1电极上；第2电极，设置在上述半导体部内，从上方观察沿着第1方向延伸；第3电极，设置在上述半导体部内，沿着上述第1方向延伸，包括：第1部分及第2部分，上述第2电极在上述第1方向上配置在上述第1部分与上述第2部分之间；以及第1中间部，在上述第1部分与上述第2部分之间位于上述第2电极的下方；第4电极，设置在上述半导体部的上方，包括：焊盘部，从上方观察在与上述第1方向交叉的第2方向上与上述第2电极以及上述第2部分分离；以及凸部，从上述焊盘部突出而覆盖上述第2电极，并与上述第2电极连接；第5电极，设置在上述半导体部的上方，与上述第4电极分离，包括：第1覆盖部，从上方观察覆盖上述半导体部中与上述第2部分邻接的第1接触部，并与上述第1接触部连接；以及第2覆盖部，覆盖上述第1部分，并与上述第1部分连接；以及第1绝缘膜，设置在上述半导体部与上述第2电极之间、上述半导体部与上述第3电极之间以及上述第2电极与上述第3电极之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述第1覆盖部进一步覆盖上述第2部分，并进一步与上述第2部分连接。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，上述凸部从上述焊盘部的从上述第2部分朝向上述第1部分的方向上的端部突出。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，在上述第5电极设置有凹部，该凹部位于上述第1覆盖部与上述第2覆盖部之间，并配置有上述凸部。5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，具备：第6电极，设置在上述半导体部内，在上述第2方向上与上述第2电极相邻，并沿着上述第1方向延伸；第7电极，设置在上述半导体部内，沿着上述第1方向延伸，包括：第3部分及第4部分，上述第6电极在上述第1方向上配置在上述第3部分与上述第4部分之间；以及第2中间部，在上述第3部分与上述第4部分之间位于上述第6电极的下方；以及第2绝缘膜，设置在上述半导体部与上述第6电极之间、上述半导体部与上述第7电极之间以及上述第6电极与上述第7电极之间，上述凸部从上方观察覆盖上述第6电极，并与上述第6电极连接，上述第3部分在上述第2方向上与上述第1部分相邻，上述第2覆盖部从上方观察进一步覆盖上述第3部分，并进一步与上述第3部分连接。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，上述第2覆盖部从上方观察进一步覆盖上述半导体部中位于上述第2电极与上述第6电极之间的第2接触部，并进一步与上述第2接触部连接。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，上述半导体部包括：第1导电形的第1半导体层；
第2导电形的第2半导体层，设置在上述第1半导体层的上层部，隔着上述第1绝缘膜与上述第2电极相邻；以及上述第1导电形的第3半导体层，设置在上述第2半导体层的上层部，在上述第2接触部设置有上述第3半导体层。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，上述第3半导体层进一步设置在上述第1覆盖部的下方，上述第1覆盖部进一步与上述第3半导体层连接。9.一种半导体装置，具备：第1电极；半导体部，设置在上述第1电极上；第2电极，设置在上述半导体部内，从上方观察沿着第1方向延伸；第3电极，包括在上述第1方向上与上述第2电极的上述第1方向的相反方向上的第1端部相邻的部分；第4电极，设置在上述半导体部内，从上方观察在与上述第1方向交叉的第2方向上与上述第2电极的上述第1端部相邻，并沿着上述...
【专利技术属性】
技术研发人员：畑田大辉，大麻浩平，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：
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