【技术实现步骤摘要】
感光分子及其应用
[0001]本申请实施例涉及感光材料
,特别是涉及一种感光分子、光产酸剂、感光树脂组合物、固化膜和电子器件。
技术介绍
[0002]化学增幅(Chemical Amplification,CA)型感光树脂组合物具有高的感光性和灵敏度,可以在光刻工艺中形成清晰的超精细图案,其基本原理为光产酸剂(Photo acid Generator,PAG)受到光源照射产酸,而后在烘烤的过程中,产生的酸持续催化交联剂发生交联、或交联剂和聚合物树脂发生交联,导致聚合物树脂的曝光区域和未曝光区域在显影液中形成明显的溶解度差异,即曝光区域由于发生交联溶解性急剧下降,而非曝光区域依然保持较好的溶解性,从而显示出光刻图案。
[0003]近年来半导体封装领域的感光介质材料也逐渐使用化学增幅型的光产酸剂。感光介质材料作为半导体封装材料的重要组成部分之一,不仅需要具有良好的光刻性能,还需要固化后的树脂具有良好的综合性能。其中,PAG的综合性能对光刻性能的影响至关重要,针对i
‑
line(365nm)感光树脂 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种感光分子,其特征在于,所述感光分子的分子结构包括萘酰亚胺结构、与所述萘酰亚胺结构中氮原子连接的取代磺酸基、以及与所述萘酰亚胺结构中萘环连接的杂环基X,与所述杂环基连接的R2;所述杂环基X包括含有O、N或S的杂环基;所述R2包括卤素、芳基、芳烷基、烷芳基、卤代芳基、烷氧基芳基、环氧烷基、环氧芳基、羟基烷基、羟基芳基、羟基烷基取代羟基芳基、氨基芳基、烷基醚基、芳基醚基、环氧烷氧基、环氧烷氧基取代芳基、或含烷氧基硅烷中的一个基团。2.如权利要求1所述的感光分子,其特征在于,所述取代磺酸基表示为
‑
SO3R1,所述R1包括烷基、芳基、烷基芳基、卤代烷基或卤代芳基中的一个基团。3.如权利要求1或2所述的感光分子,其特征在于,所述杂环基X为含有三个氮原子的五元或六元杂环基,且其中的一个氮原子与萘环的碳原子连接。4.如权利要求1或2所述的感光分子,其特征在于,所述杂环基X为含有四个氮原子的五元或六元杂环基,且其中的一个氮原子与萘环的碳原子连接。5.如权利要求1
‑
4任一项所述的感光分子,其特征在于,所述含烷氧基硅烷的基团包括含γ
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氨丙基三乙氧基硅烷、γ
‑
氨丙基三甲氧基硅烷、N
‑
(β
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氨乙基)
‑
γ
‑
氨丙基三甲氧基硅烷、N
‑
(β
‑
氨乙基)
‑
γ
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氨丙基甲基二甲氧基硅烷、γ
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缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ
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甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ
‑
巯丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三(β
‑
甲氧基乙氧基)硅烷中的一个基团。6.如权利要求1
‑
5任一项所述的感光分子,其特征在于,所述感光分子的分子结构还包括与所述萘酰亚胺结构中萘环连接的R3,R3包括氢、卤素、烷基、烯基、炔基、芳基、芳烷基、烷芳基、烯芳基、芳烯基、炔芳基、芳炔基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基烷基、烷氧基芳基、环氧烷基、羟基烷基、羟基芳基、羟基烷基取代羟基芳基、氨基烷基、氨基芳基、氰基烷基、氰基芳基、羧基烷基、羧基芳基、酯基烷基、酯基芳基、烷基羰基、芳基羰基、烷基醇基、烷基醚基、芳基醚基、环氧烷氧基、环氧烷氧基取代芳基、或含烷氧基硅烷中的一个基团。7.如权利要求6所述的感光分子,其特征在于,所述R1、R2、R3为含碳基团时,碳原子数为1
‑
20。8.一种感光分子,其特征在于,所述感光分子的分子结构包括萘酰亚胺结构、与所述萘酰亚胺结构中氮原子连接的所述取代磺酸基、以及与所述萘酰亚胺结构中萘环连接的杂环基X,与所述杂环基连接的R2;所述感光分子采用如下方法制备得到:将4
‑
溴
‑
1,8
‑
萘二甲酸酐中的溴取代位接枝取代杂环基
‑
X
‑
R2,并在酐基酰胺化后接枝取代磺酸基,得到感光分子;其中,X包括含有O、N或S的杂环基;R2包括卤素、芳基、芳烷基、烷芳基、卤代芳基、烷氧基芳基、环氧烷基、环氧芳基、羟基烷基、羟基芳基、羟基烷基取代羟基芳基、氨基芳基、烷基醚基、芳基醚基、环氧烷氧基、环氧烷氧基取代芳基、或含烷氧基硅烷中的一个基团。9.一种感光分子的制备方法,其特征在于,包括:将4
‑
溴
‑
1,8
‑
萘二甲酸酐中的溴取代位接枝取代杂环基
‑
X
‑
R2,并在酐基...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘付林,赵建章,秦德君,吴琦,许成强,张雪,胡梦雨,
申请(专利权)人:大连理工大学,
类型:发明
国别省市:
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