一种钙钛矿电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种钙钛矿电池及其制备方法，所述钙钛矿电池包括依次层叠设置的背电极、电子传输层、界面钝化层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和导电基底层；所述界面钝化层和/或钙钛矿吸收层包括薁基化合物。本发明专利技术所述钙钛矿电池具有优异的光伏发电效率和稳定性，可靠性高。可靠性高。可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿电池及其制备方法


[0001]本专利技术涉及钙钛矿电池
，尤其涉及一种钙钛矿电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]太阳能作为一种“取之不尽、用之不竭”的清洁能源，拥有巨大的发展潜力和市场。作为一个天然核反应堆，太阳释放出称为光子的能量包，光子暴露一小时会产生足够的能量来满足地球上每年的全球能源需求。当光子撞击太阳能电池的表面时，半导体材料中价带的电子被激发到导带。当电荷载流子流过太阳能电池时，形成了一个电路，成功地将阳光转化为有用的电能。自1950年以来，硅半导体一直是太阳能电池中使用的主要材料。然而，由于晶硅、砷化镓、碲化镉、铜铟镓锡电池，工艺流程复杂、制备成本高、材料纯度要求严苛等弊端，钙钛矿太阳能电池应运而生。
[0003]钙钛矿具有较强的光吸收能力，光谱吸收范围广，可以吸收全光谱可见光，并且能在温和条件下实现溶液法低成本的制备，这些特性都决定了，它是制备太阳能电池的绝佳材料。在过去的十余年中，钙钛矿的光伏发电效率却能从3％提升至25.7％，接近晶硅电池的26.7％的最高效率。相比于前几代光电转换材料，钙钛矿太本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿电池，其特征在于，所述钙钛矿电池包括依次层叠设置的背电极、电子传输层、界面钝化层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和导电基底层；所述界面钝化层和/或钙钛矿吸收层包括薁基化合物。2.根据权利要求1所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述薁基化合物含有羧基和/或羰基以及氨基。3.根据权利要求1或2所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述薁基化合物包括2
‑
氨基
‑
1,3
‑
二羧基薁、2
‑
氨基
‑
1,3
‑
二乙氧羰基薁或2
‑
氨基薁中的任意一种或至少两种的组合。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述背电极包括金电极；优选地，所述背电极的厚度为60
‑
100nm；优选地，所述电子传输层包括碳层和锡层；优选地，所述碳层包括碳60；优选地，所述锡层包括二氧化锡；优选地，所述碳层的厚度为10
‑
30nm；优选地，所述锡层的厚度为3
‑
15nm。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述界面钝化层的厚度为1
‑
10nm；优选地，所述钙钛矿吸收层还包括铅卤化合物；优选地，所述铅卤化合物包括MA
x
FA1‑
x
PbI3、FA1‑
x
Cs
x
PbI3、MAPbI3、(FAPbI3)1‑
x
(MAPbBr3)
x
、CsPbI2Br、CsPbI3、CsPbBr3或Cs
0.05
(FA1‑
x
MA
x
)
0.95
Pb(I1‑
y
Bry)3中的任意一种或至少两种的组合；其中，x和y的取值各自独立为0
‑
1，且不等于0和1；优选地，所述钙钛矿吸收层中，以所述铅卤化合物的总质量为100％计，所述薁基化合物的质量百分数为0.1％
‑
5％；优选地，所述钙钛矿吸收层的厚度为300
‑
500nm；优选地，所述空穴传输层包括含镍化合物；优选地，所述含镍化合物包括氧化镍；优选地，所述导电基底层包...

【专利技术属性】
技术研发人员：闻佳，邵君，孙志刚，鲁文秀，张晓晖，王学雷，
申请(专利权)人：无锡极电光能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：