咔唑盐及其衍生物以及在制备太阳能电池中的应用制造技术

技术编号:37130864 阅读:9 留言:0更新日期:2023-04-06 21:29
本申请公开了一种太阳能电池,包括有机层,所述有机层含有至少一种如式I化合物:其中A

【技术实现步骤摘要】
咔唑盐及其衍生物以及在制备太阳能电池中的应用


[0001]本申请涉及太阳能电池
,具体涉及一种咔唑盐及其衍生物以及在制备太阳能电池中的应用。

技术介绍

[0002]有机

无机杂化钙钛矿太阳能电池引起特殊的光电性能而备受关注,比如光吸收系数大,自由载流子扩散长度长,具有双极性特性及高浓度的缺陷容忍等。因此,其效率迅速从2009年的3.8%攀升至25%以上。随着时间推移,钙钛矿太阳能电池在效率和稳定性方面越来越受到限制。这主要是因为钙钛矿的体表仍存在很多缺陷未得到有效解决,从而导致器件存在很多问题,比如严重的VOC损失、较大的迟滞现象及较差的稳定性。

技术实现思路

[0003]针对上述问题,本申请提出了一种太阳能电池,由于其有机层中含有如下文所示的式I化合物,式I化合物为咔唑盐及其衍生物,咔唑盐及其衍生物具有较高的空穴提取性能,降低了界面非辐射复合缺陷,抑制相分离,从而降低器件的VOC损失并提高器件效率。
[0004]本申请提供一种太阳能电池,包括有机层,所述有机层含有至少一种式I化合物:
[0005][0006]其中A
+
为Li
+
、K
+
、Na
+
、Rb
+
、Cs
+
、NH
4+
,优选为Li
+
、K
+
或Cs
+

[0007]R1、R2独立地选自氢、卤素、烷基、烷氧基、磺酸基、烯基、炔基、芳基或杂芳基中的一种,
[0008]n≥1。
[0009]进一步地,所述式I化合物选自以下结构中的一种:
[0010][0011]进一步地,所述有机层包括依次层叠设置的空穴传输层、界面修饰层以及钙钛矿吸收层,且所述界面修饰层内含有所述式I化合物。
[0012]进一步地,所述空穴传输层内掺杂有所述式I化合物和/或所述钙钛矿吸收层内掺
杂有所述式I化合物,
[0013]优选地,当所述钙钛矿吸收层内掺杂有所述式I化合物时,所述式I化合物的掺杂浓度为0.01%

0.1%;
[0014]优选地,当所述空穴传输层内掺杂有所述式I化合物时,所述式I化合物的掺杂浓度为0.01%

50%。
[0015]进一步地,所述有机层包括层叠设置的空穴传输层和钙钛矿吸收层,且所述空穴传输层和钙钛矿吸收层中至少有一层内掺杂有式I化合物,优选地,所述式I化合物的掺杂浓度为0.01%

50%。
[0016]进一步地,所述空穴传输层的空穴传输材料选自氧化钼层、[双(4

苯基)(2,4,6

三甲基苯基)胺](PTAA)层、碘化铜层、2,2',7,7'

四[N,N

二(4

甲氧基苯基)氨基]‑
9,9'

螺二芴)层、PEDOT层、PEDOT:PSS层、P3HT层、P3OHT层、P3ODDT层、NiOx层或CuSCN层;优选为KX3

3([2

(3,6

二甲氧基

9H

咔唑
‑9‑
基)乙基]膦酸)、PTAA(聚[双(4

苯基)(2,4,6

三甲基苯基)胺])或者NiOx中的一种。
[0017]进一步地,所述钙钛矿吸收层的钙钛矿材料的化学通式为AB(X
n
Y1‑
n
)3,其中A选自CH3NH3、C4H9NH3、NH2=CHNH2或碱金属中的一种或多种;B选自Pb或Sn的二价金属离子;X、Y均为卤素,且X与Y不相同;n为1、2或3。
[0018]进一步地,所述空穴传输层背离所述钙钛矿吸收层一侧的表面层叠有基底。
[0019]进一步地,所述基底为电池衬底或晶硅底电池。
[0020]进一步地,所述晶硅底电池选自PERC电池、TOPCon电池、HJT电池、IBC电池或HBC电池中的一种。
[0021]本申请提供一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
[0022]提供基底;
[0023]在所述基底的一侧表面上制备有机层;
[0024]所述有机层中含有至少一种式I化合物。
[0025]进一步地,将含有所述式I化合物的溶液与溶剂混合得到混合液,将所述混合液施加于基底上得到有机层,优选地,所述溶剂为乙醇、正丙醇、异丙醇或2

甲氧基乙醇。
[0026]本申请提供一种咔唑盐及其衍生物,其结构如下式I:
[0027][0028]其中A
+
为Li
+
、K
+
、Na
+
、Rb
+
、Cs
+
、NH
4+
,优选为Li
+
、K
+
或Cs
+

[0029]R1、R2独立地选自氢、卤素、烷基、烷氧基、磺酸基、烯基、炔基、芳基或杂芳基中的一种,
[0030]n≥1。
[0031]进一步地,所述咔唑盐及其衍生物选自以下结构中的一种:
[0032][0033]本申请提供一种咔唑盐及其衍生物在光电器件中的应用。
[0034]本申请提供的太阳能电池,在所述有机层中引入式I化合物,其中式I化合物为咔唑盐及其衍生物具有较高的空穴提取性能,可以降低界面非辐射复合缺陷,抑制相分离,从而降低器件的VOC损失并提高器件效率。式I化合物中的A离子为锂离子、钾离子、钠离子、铷离子、铯离子等碱金属离子会逐渐渗透进钙钛矿晶格减少空位缺陷,可能对离子迁移有一定抑制作用,从而抑制钙钛矿太阳能电池器件的迟滞并改善稳定性。式I化合物中的R1以及R2可以为烷烃、甲氧基、乙氧基、铵盐、磺酸盐等基团可钝化界面缺陷,降低界面势垒,增强空穴载流子的传输,从而提高器件性能。
附图说明
[0035]附图用于更好地理解本申请,不构成对本申请的不当限定。其中:
[0036]图1为本申请提供的单层太阳能电池的结构示意图。
[0037]图2为本申请提供的叠层太阳能电池的结构示意图。
[0038]附图标记说明
[0039]1‑
基底,2

第一透明导电层,3

空穴传输层,4

界面修饰层,5

钙钛矿吸收层,6

电子阻挡/钝化层,7

电子传输层,8

缓冲层,9

第二透明导电层,10

背电极。
具体实施方式
[0040]以下对本申请的示范性本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括有机层,所述有机层含有至少一种式I化合物:其中A
+
为Li
+
、K
+
、Na
+
、Rb
+
、Cs
+
、NH
4+
,优选为Li
+
、K
+
或Cs
+
;R1、R2独立地选自氢、卤素、烷基、烷氧基、磺酸基、烯基、炔基、芳基或杂芳基中的一种,n≥1。2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述式I化合物选自以下结构中的一种:3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其特征在于,所述有机层包括依次层叠设置的空穴传输层、界面修饰层以及钙钛矿吸收层,且所述界面修饰层内含有所述式I化合物。4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述空穴传输层内掺杂有所述式I化合物和/或所述钙钛矿吸收层内掺杂有所述式I化合物,优选地,当所述钙钛矿吸收层内掺杂有所述式I化合物时,所述式I化合物的掺杂浓度为0.01%

0.1%;优选地,当所述空穴传输层内掺杂有所述式I化合物时,所述式I化合物的掺杂浓度为0.01%

50%。5.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其特征在于,所述有机层包括层叠设置的空穴传输层和钙钛矿吸收层,且所述空穴传输层和钙钛矿吸收层中至少有一层内掺杂有式I化合物,优选地,所述式I化合物的掺杂浓度为0.01%

50%。6.根据权利要求4或5所述的太阳能电池,其特征在于,所述空穴传输层的空穴传输材料选自氧化钼层、[双(4

苯基)(2,4,6

三甲基苯基)胺](PTAA)层、碘化铜层、2,2',7,7'

四[N,N

二(4

甲氧基苯基)氨基]

9,9'

螺二芴)层、PEDOT层、PEDOT:PSS层、P3HT层、P3OHT层、P3ODDT层、NiOx层或CuSCN层;优选为KX3

3([2

(3,6

二甲氧基<...

【专利技术属性】
技术研发人员:张华董鑫何永才丁蕾王永磊顾小兵何博徐希翔
申请(专利权)人:隆基绿能科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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