阵列材料及其制备方法、太阳能电池、光伏组件及光伏系统技术方案

本发明专利技术涉及一种阵列材料及其制备方法、太阳能电池、光伏组件及光伏系统，该阵列材料含有纳米棒构建形成的阵列结构，所述纳米棒包括棒芯及位于所述棒芯的至少部分表面上的壳层，所述棒芯的组分包括p型半导体材料，所述壳层的组分包括MoO3。该阵列材料作为空穴传输材料制备太阳能电池时，在保证良好的空穴传输能力的同时，能提高太阳能电池的稳定性，进而提高太阳能电池的光电转化效率。太阳能电池的光电转化效率。太阳能电池的光电转化效率。

【技术实现步骤摘要】
阵列材料及其制备方法、太阳能电池、光伏组件及光伏系统


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，特别涉及一种阵列材料及其制备方法、太阳能电池、光伏组件及光伏系统。

技术介绍

[0002]钙钛矿太阳能电池具有优异的光电特性、高光吸收系数、载流子寿命长及扩散长度较长等诸多特点，已成为第三代新型太阳能电池中的佼佼者，其中，反式钙钛矿太阳能电池由于具有稳定性好、迟滞效应低等优点，而越来越受到人们的关注，主要包括为正式钙钛矿太阳能电池和反式钙钛矿太阳能电池。
[0003]氧化镍等金属氧化物是制备反式钙钛矿太阳能电池时常用的空穴传输层材料，然而，传统的空穴传输层材料不稳定且缺陷过多，会降低太阳能电池的光电转化效率及其稳定性。
[0004]因此，传统技术仍有待改进。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要提供一种阵列材料及其制备方法、太阳能电池、光伏组件及光伏系统，旨在提高太阳能电池的光电转化效率。
[0006]本申请是通过如下的技术方案实现的。
[0007]本申请的第一方面，提供一种阵列材料，所述阵列材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列材料，其特征在于，所述阵列材料含有纳米棒构建形成的阵列结构，所述纳米棒包括棒芯及位于所述棒芯的至少部分表面上的壳层，所述棒芯的组分包括p型半导体材料，所述壳层的组分包括MoO3。2.如权利要求1所述的阵列材料，其特征在于，所述棒芯的长度为30nm～100nm。3.如权利要求1所述的阵列材料，其特征在于，所述阵列材料具有多孔结构，所述多孔结构中的至少部分孔洞的孔径为100nm～500nm。4.如权利要求1～3任一项所述的阵列材料，其特征在于，在所述纳米棒中，所述壳层的厚度为10nm～50nm；可选地，所述壳层的厚度为10nm～40nm；可选地，所述壳层的厚度为15nm～30nm。5.如权利要求1～3任一项所述的阵列材料，其特征在于，所述p型半导体材料为p型半导体氧化物。6.如权利要求1～3任一项所述的阵列材料，其特征在于，所述p型半导体材料包括氧化镍、氧化铜、氧化亚铜、氰化铜及碘化铜中的至少一种。7.如权利要求1～6任一项所述的阵列材料的制备方法，包括如下步骤：将所述p型半导体材料的前驱物经第一沉积处理，然后退火处理，得到所述棒芯；将所述MoO3的前驱物在所述棒芯的表面进行第二沉积处理，形成所述壳层，得到所述阵列材料。8.如权利要求1～6任一项所述的阵列材料作为空穴传输材料的应用。9.如权利要求8所述的应用，其特征在于，所述阵列材料作为空穴传输材料在制备太阳能电池中的应用。10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括依次设置的空穴传输层和钙...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭文明，梁伟风，马俊福，涂保，陈长松，陈国栋，郭永胜，
申请(专利权)人：宁德时代新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：