用于离子阱芯片的支架组件及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种用于离子阱芯片的支架组件及制造方法，支架组件包括：第一支撑部和第二支撑部，所述第一支撑部与所述第二支撑部间隔设置；第三支撑部，所述第三支撑部设置于所述第一支撑部与所述第二支撑部之间并将所述第一支撑部与所述第二支撑部连接；其中所述第三支撑部上形成有用于支撑芯片的芯片安装位，所述第一支撑部、所述第二支撑部以及所述第三支撑部中的至少一个构造为聚酰亚胺件，所述聚酰亚胺件的介电常数为a且满足：a≤3.4。根据本发明专利技术设计的用于离子阱芯片的支架组件的至少部分采用介电常数小于等于3.4的聚酰亚胺件，综合性能好且介电损耗低，更适合现有高精密数控设备精细加工。密数控设备精细加工。密数控设备精细加工。

【技术实现步骤摘要】
用于离子阱芯片的支架组件及制造方法


[0001]本专利技术涉及离子阱量子计算
，尤其是涉及一种用于离子阱芯片的支架组件及制造方法。

技术介绍

[0002]相关技术中，离子阱芯片是精确操控离子实现量子计算的核心装置，芯片支架所用材料和结构形式及加工工艺直接影响系统的核心性能，而芯片支架的加工工艺直接关系芯片相对位置进而影响阱深，现有技术中的离子阱芯片支架常用Si
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SiO2、AlN陶瓷、Al2O3陶瓷等材料，存在机械强度低、易脆裂、放气量偏大、尺寸精度低、成品率低等问题，并且采用上述材料离子阱芯片支架的介电性能较差，影响离子阱芯片束缚离子的能力。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出了一种用于离子阱芯片的支架组件。根据本专利技术设计的用于离子阱芯片的支架组件的至少部分采用介电常数小于等于3.4的聚酰亚胺件，综合性能好且介电损耗低，更适合现有高精密数控设备精细加工。
[0004]本专利技术的另一个目的在于提出了一种用于离子阱芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于离子阱芯片的支架组件，其特征在于，包括：第一支撑部(11)和第二支撑部(12)，所述第一支撑部(11)与所述第二支撑部(12)间隔设置；第三支撑部，所述第三支撑部设置于所述第一支撑部(11)与所述第二支撑部(12)之间并将所述第一支撑部(11)与所述第二支撑部(12)连接；其中所述第三支撑部上形成有用于支撑芯片的芯片安装位，所述第一支撑部(11)、所述第二支撑部(12)以及所述第三支撑部中的至少一个构造为聚酰亚胺件，所述聚酰亚胺件的介电常数为a且满足：a≤3.4。2.根据权利要求1所述的用于离子阱芯片的支架组件，其特征在于，所述第一支撑部(11)和所述第二支撑部(12)的膨胀系数为b且满足：b≤3
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‑5/℃。3.根据权利要求1所述的用于离子阱芯片的支架组件，其特征在于，所述第三支撑部介电常数为c且满足：c＜3。4.根据权利要求1或3所述的用于离子阱芯片的支架组件，其特征在于，所述第三支撑部包括：本体部，所述本体部构造为块状聚酰亚胺发泡件；包覆层，所述包覆层包覆于所述本体部的至少部分外周，所述包覆层构造为聚酰亚胺发泡薄膜件。5.根据权利要求4所述的用于离子阱芯片的支架组件，其特征在于，所述第三支撑部还包括：胶粘剂层，所述胶粘剂层设置于所述包覆层的至少部分外周。6.根据权利要求1所述的用于离子阱芯片的支架组件，其特征在于，所述第一支撑部(11)和所述第二支撑部(12)均包括：底板(111)，所述底板(111)在水平方向延伸；立板(112)，所述立板(112)设置于所述底板(111)上且朝向垂直于所述底板(111)的方向延伸，所述第三支撑部连接于相邻的两个所述立板(112)之间。7.根据权利要求6所述的用于离子阱芯片的支架组件，其特征在于，两个所述立板(112)彼此正对且每个所述立板(112)上设置有在厚度方向贯通的支架轴线通孔(3)。8.根据权利要求7所述的用于离子阱芯片的支架组件，其特征在于，所述第三支...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴亚，刘志超，李晓刚，
申请(专利权)人：国仪量子合肥技术有限公司，
类型：发明
国别省市：