使用硅粉和高频加热装置的硅部件的接合方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种使用硅粉和高频加热装置的硅部件的接合方法，本发明专利技术的特征在于，包括如下的步骤，即，在下部环和上部环的接合面形成结合凹凸结构；将上述下部环和上部环装配在硅部件接合装置；向下部环和上部环的接合面的结合凹凸结构放入单晶硅粉末；以及加热熔接上述下部环与上部环之间的接合面，而本发明专利技术具有如下的优点，即，通过使用所述组装结构的硅粉和高频加热装置熔接结合硅部件，从而可提高蚀刻及成膜的质量。刻及成膜的质量。刻及成膜的质量。

【技术实现步骤摘要】
使用硅粉和高频加热装置的硅部件的接合方法


[0001]本专利技术涉及一种使用硅粉(powder)和高频加热装置的硅部件的接合方法。

技术介绍

[0002]通常，半导体器件通过在半导体基板(即，硅晶圆)形成半导体薄膜、导电薄膜或绝缘薄膜并蚀刻其中一部分来制造。
[0003]在进行薄膜的形成工序和蚀刻工序时，将使用等离子技术，例如在蚀刻工序中，通过向等离子蚀刻腔体供给反应气体并向腔体施加高频电源，来使得反应气体处于被激发的等离子状态。
[0004]在这种半导体制造工序中，在所使用的蚀刻及在薄膜形成工序方面，为了提高蚀刻效率和成膜效率，对所使用的腔体使用各种硅部件，以支撑晶圆及均匀分布等离子、引入和排出导入气体等。
[0005]尤其，作为硅部件之一，在韩国授权技术公报第20
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0478935 号中公开的C环(C
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Ring)作为消耗性硅部件，槽加工时需要激光或放电等高级设备或先进的技术，由于槽加工部分处于漂浮在空中的状态，而没有单独的固定装置，因此难以稳定地固定，而对于脆性大的硅而言，具有如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种使用硅粉和高频加热装置的硅部件的接合方法，其特征在于，包括如下的步骤：在下部环和上部环的接合面形成结合凹凸结构；将上述下部环和上部环装配在硅部件接合装置；向下部环和上部环的接合面的结合凹凸结构放入单晶硅粉末；以及加热熔接上述下部环与上部环之间的接合面。2.根据权利要求1所述的使用硅粉和高频加热装置的硅部件的接合方法，其特征在于，上述在下部环和上部环的接合面形成结合凹凸结构的步骤中，在上部环的下部面形成突出部，在上述下部环的上部面形成凹槽，以与上述突出部相结合。3.根据权利要求2所述的使用硅粉和高频加热装置的硅部件的接合方法，其特征在于，上述凹槽为圆形槽，以下部环的上部面中心圆周线为中心对称而成并形成于下部环的上部面的整体宽度。4.根据权利要求2所述的使用硅粉和高频加热装置的硅部件的接合方法，其特征在于，在上述凹槽中，从下部环的上部面形成的最深处为3mm～5mm，在最深处的下部环的上部面的宽度方向上，相同深度的长度达到下部环上部面的总宽度的70％以内。5.根据权利要求1或2所述的使用硅粉和高频加热装置的硅部件的接合方法，其特征在于，在上述上部环的底面形成定位上部突起，在上述下部环的上部面的一部分形成定位下部槽，以与上述上部环的定位上部突起相结合，上述定位下部槽形成在下部环的中心圆周线与外侧圆周线之间的外侧中心线与外侧圆周线之间，或者形成在下部环的中心圆周线与内侧圆周线之间的内侧中心线与内侧圆周线之间。6.根据权利要求5所述的使用硅粉和高频加热装...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳浩正，申东男，吴世光，申英范，姜泰宇，
申请(专利权)人：股份公司LINTECH，
类型：发明
国别省市：