用于制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术的目的是提供一种用于制造半导体器件的方法，在方法中，能够防止由膜形成之前的表面形状产生的台阶所引起的断开，控制在大尺寸基板上形成绝缘膜的成本的增加，提高材料的使用效率，和减少废物量。在本发明专利技术中，通过滴注包括绝缘体的合成物形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上选择性地形成第二绝缘膜，通过使用第二绝缘膜作为掩膜，来刻蚀第一绝缘膜以形成开口。其后，通过在开口上滴注合成物形成导电膜，且将其中具有绝缘膜的下层引线和上层引线互相连接。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用以喷墨法为代表的点滴滴注方法制造半导体器件的方法，尤其涉及形成构成半导体器件的绝缘膜的技术。(2)
技术介绍
近年来，使用薄膜晶体管的半导体器件已经广泛应用于诸如电视机之类的大尺寸液晶显示器件以及诸如手机之类的便携式终端，同时也进行了积极地开发。点滴滴注法具有各种优点，诸如不需要掩膜、基板的尺寸容易增加、材料的高使用率、有可能减少设备投资量以及使制造设备的尺寸最小。因此，点滴滴注方法可应用于彩色滤色膜或等离子体显示器的引线、电极等的制造。在制造半导体器件的传统方法中，要使用很复杂的步骤来形成电路等的图形。例如，在下文简单描述了制造半导体器件的步骤，其中下层的引线和上层的引线用它们之间的绝缘膜彼此互相连接。最初，在绝缘表面上形成要作为引线基底的导电膜，通过使用旋涂在绝缘膜的整个表面上形成光刻胶。随后，在导电膜上指定用于引线的区域，并通过曝光和显影形成光刻胶图形，以通过刻蚀导电膜形成所需引线。然后，采用CVD、溅射、旋涂等方法在引线上形成绝缘膜，并在绝缘膜上形成光刻胶。然后，选择性地刻蚀绝缘膜以形成开口，通过把在其上面进行曝光和显影处理的光刻胶用作如上的掩膜，以使下层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：通过滴注包括绝缘体的合成物形成第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；通过在所述第二绝缘膜上进行曝光和显影形成掩膜图形；以及通过使用所述第二绝缘膜作为掩 膜，通过刻蚀所述第一绝缘膜形成开口。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]