半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底和鳍式结构；进行一次或多次的深宽比调整处理，在露出的鳍式结构的顶部和侧壁上形成第一伪栅层，位于鳍式结构相对侧壁上的第一伪栅层围成V型沟槽；深宽比调整处理包括：在露出的鳍式结构的顶部和侧壁上形成伪栅膜，位于鳍式结构相对侧壁上的伪栅膜之间具有间隙；对伪栅膜进行氧化处理，适于将部分厚度的伪栅膜转化为氧化层；去除氧化层；在第一伪栅层上形成填充V型沟槽的第二伪栅层，第二伪栅层与第一伪栅层构成伪栅结构，伪栅结构横跨鳍式结构。本发明专利技术实施例通过改变调整伪栅膜深宽比的方法，提高了伪栅结构在相邻鳍式结构之间的填充性能、以及伪栅结构的成膜质量。量。量。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]多年以来，场效应晶体管(Field Effect Transistor)一直是用来制造专用集成电路(ASIC)芯片、微处理器芯片、静态随机存取存储器(SRAM)芯片以及类似产品主导的半导体技术。特别地，互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术主导着半导体工艺业。
[0003]在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor)、全包围栅极(GAA)晶体管。
[0004]鳍式场效应晶体管的结构通常包括在基底上形成的多个分立的鳍部。并且，在鳍式场效应晶体管的形成过程中，需要在鳍部和鳍部之间形成伪栅结构，伪栅结构用于为形成器件栅极占据空间位置。
[0005]但是，目前形成的半导体器件性能有待提高。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括衬底以及位于所述衬底上多个分立的鳍式结构，所述鳍式结构用于提供沟道；进行一次或多次的深宽比调整处理，在露出的所述鳍式结构的顶部和侧壁上形成第一伪栅层，位于所述鳍式结构相对侧壁上的所述第一伪栅层围成V型沟槽；所述深宽比调整处理包括：在露出的所述鳍式结构的顶部和侧壁上形成伪栅膜，位于所述鳍式结构相对侧壁上的所述伪栅膜之间具有间隙；对所述伪栅膜进行氧化处理，适于将部分厚度的所述伪栅膜转化为氧化层；去除所述氧化层；在所述第一伪栅层上形成填充所述V型沟槽的第二伪栅层，所述第二伪栅层与所述第一伪栅层构成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍式结构。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一伪栅层的材料包括无定型硅或多晶硅。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述氧化层包括：在含氧氛围中，对所述伪栅膜进行氧化处理。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含氧氛围包括氧气或者一氧化氮。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含氧氛围为氧气，进行氧化处理的工艺参数包括：氧气的气体流量小于或等于50ml/min。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述氧化层包括：利用氧自由基，对所述伪栅膜进行氧化处理。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，进行氧化处理的工艺参数包括：腔室温度为240℃至550℃。8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述氧化层的工艺包括气体刻蚀工艺；刻蚀气体包括氢氟气体。9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述伪栅膜的步骤中，所述伪栅膜的厚度为1nm至10nm。10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述深宽比调整处理的步骤中，在形成伪栅膜的步骤中，所述伪栅膜的厚度为第一厚度；在对所述伪栅膜进行氧化处理的过程中，位于所述鳍式结构顶部上的所述伪栅膜的被氧化厚度为第...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨鹏飞，李俊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：