形成微电子装置的方法、及相关的微电子装置、存储器装置、电子系统、及其它方法制造方法及图纸

一种形成微电子装置的方法包括形成包括导电材料及上覆于所述导电材料的绝缘材料的线结构，所述线结构通过沟槽彼此分隔开。隔离材料形成于所述沟槽内部及外部的所述线结构的表面上，所述隔离材料仅部分地填充所述沟槽以形成插入于所述线结构之间的气隙。开口形成为延伸穿过所述隔离材料且暴露所述线结构的所述绝缘材料的部分。移除所述线结构的所述绝缘材料的暴露部分以形成延伸到所述线结构的所述导电材料的延伸开口。导电接触结构形成于所述延伸开口内。导电衬垫结构形成于所述导电接触结构上。还描述了其它方法、微电子装置、存储器装置及电子系统。储器装置及电子系统。储器装置及电子系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成微电子装置的方法、及相关的微电子装置、存储器装置、电子系统、及其它方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年6月18日申请的美国专利申请第16/905,452号“形成微电子装置的方法、及相关的微电子装置、存储器装置、电子系统、及其它方法(METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES,AND RELATED MICROELECTRONIC DEVICES,MEMORY DEVICES,ELECTRONIC SYSTEMS,AND ADDITIONAL METHODS)”的申请日的权益，所述美国专利申请涉及2020年6月18日申请的列出Kunal R.Parekh作为专利技术人的美国专利申请第16/905,385号“微电子装置，及相关的方法、存储器装置及电子系统(MICROELECTRONIC DEVICES,AND RELATED METHODS,MEMORY DEVICES,AND ELECTRONIC SYSTEMS)”。本申请还涉及2020年6月18日申请的列出Kunal R.Parekh作为专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成微电子装置的方法，其包括：形成包括导电材料及上覆于所述导电材料的绝缘材料的线结构，所述线结构通过沟槽彼此分隔开；在所述沟槽内部及外部的所述线结构的表面上形成隔离材料，所述隔离材料仅部分地填充所述沟槽以形成插入于所述线结构之间的气隙；将开口形成为延伸穿过所述隔离材料且暴露所述线结构的所述绝缘材料的部分；移除所述线结构的所述绝缘材料的暴露部分以形成延伸到所述线结构的所述导电材料的延伸开口；在所述延伸开口内形成导电接触结构；以及在所述导电接触结构上形成导电衬垫结构。2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述沟槽内部及外部的所述线结构的表面上形成隔离材料包括在所述导电材料及所述绝缘材料中的每一者的侧表面上及所述绝缘材料的上表面上形成所述隔离材料。3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：选择所述线结构的所述绝缘材料以包括介电氮化物材料；及选择所述隔离材料以包括介电氧化物材料。4.根据权利要求1所述的方法，其中将开口形成为延伸穿过所述隔离材料且暴露所述线结构的所述绝缘材料的部分包括将所述开口中的每一者形成为与所述开口下方的所述线结构中的一者水平对准。5.根据权利要求1所述的方法，其中将开口形成为延伸穿过所述隔离材料且暴露所述线结构的所述绝缘材料的部分包括将所述开口中的每一者形成为水平地延伸超出所述开口下方的所述线结构中的一者的水平边界。6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其进一步包括在移除所述线结构的所述绝缘材料的所述暴露部分以形成所述延伸开口之前在所述开口内形成间隔件结构，所述间隔件结构部分地填充所述开口且包括介电材料。7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括形成所述间隔件结构以至少部分地水平地介入于所述开口的剩余未填充部分与所述气隙之间。8.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其中移除所述线结构的所述绝缘材料的所述暴露部分以形成延伸开口包括形成所述延伸开口的竖直下部部分以水平地宽于所述延伸开口的竖直上部部分。9.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其中在所述延伸开口内形成导电接触结构包括：在所述延伸开口内部及外部形成导电接触材料，所述导电接触材料大体上填充所述延伸开口；及移除所述延伸开口的边界外部的所述导电接触材料的部分。10.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其中在所述导电接触结构上形成导电衬垫结构包括经由金属镶嵌程序形成所述导电衬垫结构。11.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其中在所述导电接触结构上形成导电衬垫结构包括将所述导电衬垫结构中的每一者形成为水平地延伸超出与其物理接触
的所述导电接触结构中的一者的水平边界。12.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其中在所述导电接触结构上形成导电衬垫结构包括形成所述导电衬垫结构以包括铜。13.一种微电子装置，其包括：导线结构，其在第一水平方向上延伸；绝缘线结构，其在所述导线结构上且在所述第一水平方向上延伸；部分填充沟槽，其在正交于所述第一水平方向的第二水平方向上介入于所述导线结构之间，所述部分填充沟槽包括：隔离材料，其在所述导线结构及所述绝缘线结构的侧表面上；及气隙，其由所述隔离材料环绕；导电接触结构，其竖直地延伸穿过所述绝缘线结构的部分且接触所述导线结构；以及导电衬垫结构，其在所述导电接触结构上。14.根据权利要求13所述的微电子装置，其中所述隔离材料在所述绝缘线结构的上表面上方水平地延伸。15.根据权利要求13所述的微电子装置，其中所述导电接触结构的竖直下部部分相对水平地窄于所述导电接触结构的竖直上部部分。16.根据权利要求15所述的微电子装置，其进一步包括物理上接触所述导电接触结构的所述竖直上部部分的侧表面而非物理上接触所述导电接触结构的所述竖直下部部分的侧表面的介电间隔件结构。17.根据权利要求13至17中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电衬垫结构包括铜。18.一种存储器装置，其包括：存储器阵列区域，其包括：包括竖直交错的导电结构与绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：