半导体结构及其制造方法技术

本申请实施例公开了一种半导体结构及其制造方法。该方法包括：在衬底上形成沟槽；在所述沟槽内填充牺牲介质层；逐步蚀刻所述牺牲介质层以逐步暴露所述沟槽的侧壁，暴露的所述沟槽的侧壁至少部分氧化生成氧化物介质层，所述氧化物介质层在所述沟槽内的厚度由所述沟槽的底部向所述沟槽开口处延伸的方向上依次增大；在所述氧化物介质层表面形成导电层，所述导电层形成在所述沟槽内。导电层形成在所述沟槽内。导电层形成在所述沟槽内。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本申请实施例涉及半导体技术，涉及但不限于一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着超大规模集成电路技术的迅速发展，半导体器件的尺寸在不断减小。由于半导体器件的急剧减小，晶体管栅氧化层的厚度减小至2nm甚至更薄。在半导体器件按比例缩小尺寸的同时，工作电压并未相应地等比例降低，导致短沟道器件的栅致漏极泄漏(GIDL，Gate
‑
Induced
‑
Drain
‑
Leakage)电流效应非常强烈，影响了半导体器件的可靠性。因此，如何减小半导体器件中的GIDL电流效应，成为了亟需解决的问题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种半导体结构的制造方法，该方法包括：
[0005]在衬底上形成沟槽；
[0006]在所述沟槽内填充牺牲介质层；
[0007]逐步蚀刻所述牺牲介质层以逐步暴露所述沟槽的侧壁，暴露的所述沟槽的侧壁至少本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成沟槽；在所述沟槽内填充牺牲介质层；逐步蚀刻所述牺牲介质层以逐步暴露所述沟槽的侧壁，暴露的所述沟槽的侧壁至少部分氧化生成氧化物介质层，所述氧化物介质层在所述沟槽内的厚度由所述沟槽的底部向所述沟槽开口处延伸的方向上依次增大；在所述氧化物介质层表面形成导电层，所述导电层形成在所述沟槽内。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述衬底上形成间隔排布的有源区和填充在所述有源区之间的隔离结构，所述沟槽形成在所述有源区和所述隔离结构中。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化物介质层形成在所述有源区的所述沟槽的侧壁。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲介质层包括无掺杂非晶碳层或掺杂非晶碳层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述逐步蚀刻所述牺牲介质层以逐步暴露所述沟槽的侧壁，暴露的所述沟槽的侧壁氧化生成氧化物介质层，包括：采用含氧等离子体蚀刻所述牺牲介质层，并通过控制所述含氧等离子体的流量逐步刻蚀所述牺牲介质层；所述含氧等离子氧化所述沟槽的侧壁生成所述氧化物介质层。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述含氧等离子体包括水蒸气等离子体。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：回蚀刻所述氧化物介质层和所述导电层至目标深度，形成目标结构。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述氧化物介质层表面形成导电层，所述导电层形成在所述沟槽内，包括：在形成所述氧化物介质层后，在所述沟槽内填充光阻材料，所述光阻材料的顶表面低于所述衬底的表面；去除被所述光阻材料暴露的所述氧化物介质层；去除所述光阻材料；在所述沟槽内沉积导电层。9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述氧化物介质层表面形成导电层，所述导电层形成在所述沟槽内，包括：在形成所述氧化物介质层后，在所述沟槽内填充光阻材料，所述光阻材料的顶表面低于所述衬底的表面；去除所述光阻材料上方所述氧化物介质层和部分所述隔离结构；去除所述光阻材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢经文，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：