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本申请实施例公开了一种半导体结构及其制造方法。该方法包括：在衬底上形成沟槽；在所述沟槽内填充牺牲介质层；逐步蚀刻所述牺牲介质层以逐步暴露所述沟槽的侧壁，暴露的所述沟槽的侧壁至少部分氧化生成氧化物介质层，所述氧化物介质层在所述沟槽内的厚度由所...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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