【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体器件绝缘封装结构及绝缘封装方法
[0001]本专利技术涉及功率半导体器件封装
，具体涉及一种功率半导体器件绝缘封装结构及绝缘封装方法。
技术介绍
[0002]为满足可再生能源的大规模开发和利用，传统电网正向以电力电子技术广泛应用为代表的智能电网方向发展，这对功率半导体器件提出了更高的要求。为了保护功率半导体器件并便于功率半导体器件与外界电路进行连接，通常需要将功率半导体器件进行封装，从而得到功率半导体器件封装结构。
[0003]而功率半导体器件封装结构中绝缘材料的介电常数差异容易引起电场强度的分布不均匀。当介电常数发生畸变时，会在畸变位置引起电场集中，从而发生局部放电。而局部放电所产生的高能电子和UV辐射会对周围的绝缘材料造成损坏，增大了绝缘材料被击穿的风险，进而无法保证功率半导体器件封装结构的绝缘性。具体的，现有覆铜板中绝缘基板的常用材料为陶瓷，常用的绝缘填充介质的材料为硅凝胶，陶瓷板的介电常数为8
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10，而硅凝胶的介电常数为2
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3左右，即陶瓷板与硅凝胶的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件绝缘封装结构，其特征在于，包括：导电底板；位于所述导电底板一侧的绝缘层；位于所述绝缘层背离所述导电底板的一侧表面的导电层；位于所述导电底板的一侧表面的壳体，所述壳体与所述导电底板形成容置空间，功率半导体器件、绝缘层以及导电层均位于所述容置空间内；填充所述容置空间的绝缘填充介质，所述绝缘层与所述绝缘填充介质的接触区域的介电常数与所述绝缘填充介质的介电常数的差值为0～1。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件绝缘封装结构，其特征在于，所述绝缘层的中心区域的介电常数大于所述绝缘层与所述绝缘填充介质的接触区域的介电常数。3.根据权利要求2所述的功率半导体器件绝缘封装结构，其特征在于，所述绝缘层包括高分子基体以及分散在所述高分子基体中的掺杂材料，所述高分子基体的介电常数与所述绝缘填充介质的介电常数的差值为0～1，所述掺杂材料的介电常数大于所述绝缘填充介质的介电常数，所述绝缘层与所述绝缘填充介质的接触区域的所述掺杂材料的掺杂浓度为0，所述绝缘层的中心区域的所述掺杂材料的掺杂浓度大于0。4.根据权利要求3所述的功率半导体器件绝缘封装结构，其特征在于，所述绝缘层的侧面和中心轴均垂直于所述导电层和所述导电底板，由所述侧面至所述中心轴所述绝缘层的介电常数递增；优选的，由所述侧面至所述中心轴，所述掺杂材料的掺杂浓度递增，所述绝缘层的高分子基体的材料相同。5.根据权利要求3或4所述的功率半导体器件绝缘封装结构，其特征在于，所述导电层包括第一引出区、第二引出区以及位于所述第一引出区和第二引出区之间的镂空区，所述绝缘层背离所述导电底板的部分表面暴露在所述镂空区；所述绝缘层包括依次层叠设置的若干绝缘子层，且沿着由所述导电层至所述导电底板的方向若干所述绝缘子层的介电常数递增；优选的，若干所述绝缘子层的高分子基体的材料相同，由所述导电层至所述导电底板的方向所述掺杂材料的掺杂浓度递增。6.根据权利要求3
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5任一项所述的功率半导体器件绝缘封装结构，其特征在于，所述绝缘填充介质的材料为硅凝胶，所述高分子基体的材料包括环氧树脂、聚苯硫醚、聚醚醚酮或聚苯砜；所述掺杂材料包括纳米氧化锌、纳米二氧化钛或碳纤维。7.根据权利要求1所述的功率半导体器件绝缘封装结构，其特征在于，所述绝缘层中各个位置的介电常数相同；优选的，所述绝缘层的材料为高分子材料，所述高分子材料的介电常数与所述绝缘填充介质的介电常数的差值为0～1；优选的，所述绝缘填充介质的材料为硅凝胶，所述高分子材料包括环氧树脂、聚苯硫醚、聚醚醚酮或者聚苯砜。8.根据权利要求1所述的功率半导体器件绝缘封装结构，其特征在于，所述绝缘层呈网格状分布，且相邻网格的介电常数不同。9.根据权利要求1
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8任一项所述的功率半导体器件绝缘封装结构，其特征在于，所述绝
缘层的内部设置有驻极体。10.根据权利要求1
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9任一项所述的功率半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：周扬，王磊，代安琪，唐新灵，林仲康，王亮，杜玉杰，支妍力，曾萍，
申请(专利权)人：国网江西省电力有限公司国网江西省电力有限公司吉安供电分公司，
类型：发明
国别省市：
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