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本发明提供一种功率半导体器件绝缘封装结构及绝缘封装方法，功率半导体器件绝缘封装结构包括：导电底板；位于导电底板一侧的绝缘层；位于绝缘层背离导电底板的一侧表面的导电层；位于导电底板的一侧表面的壳体，壳体与导电底板形成容置空间，功率半导体器件、...该专利属于国网江西省电力有限公司国网江西省电力有限公司吉安供电分公司所有，仅供学习研究参考，未经过国网江西省电力有限公司国网江西省电力有限公司吉安供电分公司授权不得商用。