晶圆的涂胶设备及其涂胶方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆的涂胶设备及其涂胶方法，其中，晶圆的涂胶设备包括壳体、遮挡件、排废组件和排风组件；壳体内可转动地设有承载台，承载台用于放置晶圆，壳体的顶部对应承载台设有开口；遮挡件具有遮挡部，遮挡部与所述开口适配，遮挡部与所述开口配合连接可密封壳体的顶部；排风组件设于壳体的底部并与所述壳体连通，排风组件包括密封垫，密封垫用于打开或关闭排风组件；排废组件设于壳体的底部并与所述壳体连通，所述排废组件包括隔挡件，所述隔挡件用于打开或关闭所述排废组件。本发明专利技术规避了晶圆在涂布过程中气流对膜面的影响，避免涂布、曝光、显影后出现滚胶不良的现象，从而可提升晶圆和硅片压合的良率。而可提升晶圆和硅片压合的良率。而可提升晶圆和硅片压合的良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆的涂胶设备及其涂胶方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种晶圆的涂胶设备及其涂胶方法。

技术介绍

[0002]现有的硅回流孔(ThroughSiliconVia，TSV)制备工艺中，在围墙(Cavity Wall，CV)制程时，由于光刻胶的成本和本身性质的原因，只能通过涂布作业过程中规避气流来保证膜面的相对平整。整个涂布工艺过程中，光刻胶在旋涂时，气流会使光刻胶的表面出现极其细微的凹凸起伏，所以在旋涂的整个过程中，都需要在工艺壳体(Cup)上方加装盖板(Cover)，在排风管路加装自动开关(AutoDamper)，以达到规避气流，保证膜面平整性的目的。
[0003]但目前通过现场实际工艺来看，即使加装Cover和AutoDamper，在涂布、曝光、显影后的滚胶过程中，依旧会出现滚胶不良的现象，最终会导致晶圆和硅片压合失败，不能形成密闭空室，导致晶圆和硅片压合的良率降低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种晶圆的涂胶设备及其涂胶方法，规避了晶圆在涂布过程中气流对膜面的影响，避免涂布、曝光、显影后出现滚胶不良的现象，从而可提升晶圆和硅片压合的良率。
[0005]为实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种晶圆的涂胶设备，包括壳体、遮挡件、排废组件和排风组件；
[0006]所述壳体内可转动地设有承载台，所述承载台用于放置晶圆，所述壳体的顶部对应所述承载台设有开口；
[0007]所述遮挡件具有遮挡部，所述遮挡部与所述开口适配，所述遮挡部与所述开口配合连接可密封所述壳体的顶部；
[0008]所述排风组件设于所述壳体的底部并与所述壳体连通，所述排风组件包括密封垫，所述密封垫用于打开或关闭所述排风组件；
[0009]所述排废组件设于所述壳体的底部并与所述壳体连通，所述排废组件包括隔挡件，所述隔挡件用于打开或关闭所述排废组件。
[0010]在一些实施例中，所述壳体内还设有导流件，所述导流件的一端靠近所述承载台，所述导流件的侧壁靠近所述壳体的内侧壁形成导流通道；
[0011]所述排废组件包括排废管，所述排废管与所述导流通道导通。
[0012]在一些实施例中，所述排废组件还包括密封件和第一动力机构；
[0013]所述排废管的一侧壁开设有隔挡槽，所述隔挡槽从所述排废管的一侧壁延伸至所述排废管的另一侧壁；
[0014]所述密封件设于所述排废管的一侧壁并覆盖所述隔挡槽的槽口；
[0015]所述隔挡件活动的设于所述隔断槽，且所述隔挡件的一端穿过所述密封件与所述
第一动力机构连接；
[0016]所述第一动力机构使所述隔挡件移动以使所述隔挡件打开或关闭所述排废管。
[0017]在一些实施例中，所述排废组件还包括导液壳，所述导液壳具有连接部，所述连接部将所述密封件与所述排废管连接，所述连接部对应所述隔挡槽设有导液口；
[0018]所述排废管上开设有回流孔，所述回流孔靠近所述隔断槽，且所述回流孔与所述导液口导通。
[0019]在一些实施例中，所述导液壳上还设有清洗孔，所述清洗孔对应所述隔挡件设置，所述清洗孔外接清洗设备用于对所述导液壳的内部进行清洗。
[0020]在一些实施例中，所述排风组件还包括排风管，所述密封垫与所述排风管的内径适配，所述密封垫用于关闭或打开所述排风管。
[0021]在一些实施例中，所述排风组件还包括第二动力机构、连接杆、第一挡板和第二挡板；
[0022]所述第一挡板和所述第二挡板设于所述排风管内，且所述第一挡板和所述第二挡板之间设有所述密封垫；
[0023]所述第二动力机构设于所述排风管的外侧壁，所述第二动力机构通过所述连接杆与所述第一挡板连接，所述第二动力机构可带动所述密封垫摆动，以使所述排风管关闭或打开。
[0024]在一些实施例中，所述遮挡件朝向所述承载台的方向具有凸起结构。
[0025]本专利技术提供的晶圆的涂胶设备有益效果在于：通过在涂胶时关闭排废组件和排风组件，并且通过遮挡件遮挡开口，使壳体可提供一个相对密封的环境，规避了晶圆在涂布过程中气流对光刻胶表面造成的影响，避免涂布、曝光、显影后出现滚胶不良的现象，从而可提升晶圆和硅片压合的良率。
[0026]在第二方面，本专利技术实施例提供一种晶圆的涂胶方法，使用于所述的晶圆的涂胶设备，所述涂胶方法包括：
[0027]将所述排废组件和所述排风组件关闭；
[0028]将晶圆放置于所述承载台上；
[0029]在所述晶圆上打胶；其中，所述承载台以50
‑
100r/min的转速运动，以带动所述晶圆转动；
[0030]降低所述承载台的转速，并使所述遮挡件密封所述开口。
[0031]在一些实施例中，降低所述承载台的转速，并使所述遮挡件密封所述开口，包括：
[0032]降低所述承载台的转速直至所述承载台停止转动。
[0033]本专利技术提供的晶圆的涂胶方法的有益效果在于：通过在涂胶时关闭排废组件和排风组件，并且通过遮挡件遮挡开口，使壳体可提供一个相对密封的环境，规避了晶圆在涂布过程中气流对光刻胶表面造成的影响，避免涂布、曝光、显影后出现滚胶不良的现象，从而可提升晶圆和硅片压合的良率。
附图说明
[0034]图1为本专利技术提供的实施例晶圆的涂胶设备的结构示意图；
[0035]图2为本专利技术提供的实施例排废组件的剖视图；
[0036]图3为本专利技术提供的实施例排废组件的立体图；
[0037]图4为本专利技术提供的实施例排风组件的立体图；
[0038]图5为图4中A
‑
A处的剖视图；
[0039]图6为本专利技术提供的实施例晶圆的涂胶方法的流程图。
[0040]附图标记：
[0041]壳体1、承载台11、导流件12、导流通道13、遮挡件2、遮挡部21、排废组件3、隔挡件31、排废管32、回流孔321、密封件33、第一动力机构34、导液壳35、连接部351、导液口352、清洗孔353、排风组件4、密封垫41、排风管42、第二动力机构43、连接杆44、第一挡板45、第二挡板46、晶圆5、基座6、微型接头7。
具体实施方式
[0042]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。本文中所述“连接”除特别说明，可以是直接连接，也可以是间接连接，即通过中间物连接。
[0043]针对现有技术存在的问题，本专利技术的实施例提供了一种晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的涂胶设备，其特征在于，包括壳体、遮挡件、排废组件和排风组件；所述壳体内可转动地设有承载台，所述承载台用于放置晶圆，所述壳体的顶部对应所述承载台设有开口；所述遮挡件具有遮挡部，所述遮挡部与所述开口适配，所述遮挡部与所述开口配合连接可密封所述壳体的顶部；所述排风组件设于所述壳体的底部并与所述壳体连通，所述排风组件包括密封垫，所述密封垫用于打开或关闭所述排风组件；所述排废组件设于所述壳体的底部并与所述壳体连通，所述排废组件包括隔挡件，所述隔挡件用于打开或关闭所述排废组件。2.根据权利要求1所述的晶圆的涂胶设备，其特征在于，所述壳体内还设有导流件，所述导流件的一端靠近所述承载台，所述导流件的侧壁靠近所述壳体的内侧壁形成导流通道；所述排废组件包括排废管，所述排废管与所述导流通道导通。3.根据权利要求2所述的晶圆的涂胶设备，其特征在于，所述排废组件还包括密封件和第一动力机构；所述排废管的一侧壁开设有隔挡槽，所述隔挡槽从所述排废管的一侧壁延伸至所述排废管的另一侧壁；所述密封件设于所述排废管的一侧壁并覆盖所述隔挡槽的槽口；所述隔挡件活动的设于所述隔断槽，且所述隔挡件的一端穿过所述密封件与所述第一动力机构连接；所述第一动力机构使所述隔挡件移动以使所述隔挡件打开或关闭所述排废管。4.根据权利要求3所述的晶圆的涂胶设备，其特征在于，所述排废组件还包括导液壳，所述导液壳具有连接部，所述连接部将所述密封件与所述排废管连接，所述连接部对应所述隔挡槽设有导液口；所述排废管上开设有回流孔，所述回流孔靠近所述隔断槽，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赫思远，陈正道，
申请(专利权)人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：