光刻胶厚度的计算方法技术

本发明专利技术提供一种光刻胶厚度的计算方法，所述方法包括：提供晶圆，并在不同转速下于晶圆表面形成光刻胶层；获取形成于不同转速下的所述光刻胶层的厚度量测值；通过计算得到不同转速下的所述光刻胶层的厚度理论值；基于不同转速下的所述厚度量测值及所述厚度理论值进行拟合，得到理论修正值的拟合方程。通过本发明专利技术解决了以现有的光刻胶厚度计算方法计算光刻胶厚度得到的结果不精确的问题。胶厚度得到的结果不精确的问题。胶厚度得到的结果不精确的问题。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶厚度的计算方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种光刻胶厚度的计算方法。

技术介绍

[0002]光刻胶作为半导体生产过程中必不可少的材料，为适应不同的场景，需要不断的对其厚度进行调整，比如，为获得较高的分辨率，光刻胶厚度必须足够薄；而为满足深沟槽(deep trench)刻蚀和高能注入的要求，光刻胶厚度必须足够厚。当前，存在上百种不同种类和粘度的商业化光刻胶，其厚度范围从几百埃延展至几十微米。通常，对于一款固定粘度的光刻胶，FAB厂光刻工程师通过调节匀胶转速可获得预期的厚度，使用的计算公式如下：
[0003][0004]其中，T表示光刻胶的胶厚，ω表示用于匀胶的转速，从公式中可以得出胶厚的平方与转速成反比，实际应用中，使用已知的胶厚和转速就可以计算出想要的胶厚所对应的转速。
[0005]然而，上述公式源于流体模型，只考虑了在旋涂过程中光刻胶的机械损失(粘滞力与离心力平衡)，为考虑溶剂的蒸发。只有当涂胶腔室空气中的溶剂浓度为100％时，粘剂的挥发才可以忽略，但是该情形在实际中是不可能实现的(腔室在不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶厚度的计算方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆，并在不同转速下于晶圆表面形成光刻胶层；获取形成于不同转速下的所述光刻胶层的厚度量测值；通过计算得到不同转速下的所述光刻胶层的厚度理论值；基于不同转速下的所述厚度量测值及所述厚度理论值进行拟合，得到理论修正值的拟合方程。2.根据权利要求1所述的光刻胶厚度的计算方法，其特征在于，通过计算得到不同转速下的所述光刻胶层的厚度理论值的方法包括：利用下述公式进行计算以得到不同转速下的所述厚度理论值：其中，ω1表示参考转速，为预设设定的已知的所述光刻胶层所对应的转速，T1表示在所述参考转速ω1下形成的所述光刻胶层的厚度量测值，ω
m
表示形成所述光刻胶层的任意转速，T
m
表示在所述任意转速ω
m
下形成的所述光刻胶层的厚度理论值。3.根据权利要求2所述的光刻胶厚度的计算方法，其特征在于，基于不同转速下所述厚度量测值及所述厚度理论值进行拟合，得到所述理论修正值的拟合方程的方法包括：通过线性拟合或二项式拟合得到所述理论修正值的拟合方程。4.根据权利要求3所述的光刻胶厚度的计算方法，其特征在于，通过线性拟合得到的所述理论修正值的线性拟合方程为：其中，T表...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊航，宋振伟，张其学，郭星，冯晨，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：