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本发明提供一种光刻胶厚度的计算方法，所述方法包括：提供晶圆，并在不同转速下于晶圆表面形成光刻胶层；获取形成于不同转速下的所述光刻胶层的厚度量测值；通过计算得到不同转速下的所述光刻胶层的厚度理论值；基于不同转速下的所述厚度量测值及所述厚度理论...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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