一组新型的桥连亚联苯基聚合物制造技术

提供了具有二元或多元桥连的亚联苯基重复单元的发光聚合物，它尤其适合于用作电致发光聚合物。提供了合成该多元桥连的亚联苯基聚合物所需的单体，提供了利用这些聚合物的电致发光器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一组新型的桥连亚联苯基聚合物
技术介绍
有机发光二极管(OLED)可用于电子显示器、建筑物照明、招牌、和其中需要有效、轻质、瘦的波形因数的光源的其它应用。通过在两 个电极之间夹杂荧光或者磷光有机膜，形成0LED，其中所述两个电极 中的至少一个是透明的。来自阳极的空穴和来自阴极的电子在有机膜 内重组并产生光。若有机膜是聚合物膜，则该器件是聚合物-OLED或 p-0LED。本领域已知如何通过在夹层结构内包括各种其它层来改进 0LED和p-0LED的效率，其中包括，但不限于空穴注入层、空穴传输 层、緩沖层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、 激子阻挡层、光学层以增加光的提取效率等。本领域还已知，必需仔 细地设计有机膜，或者发射层的性能，以便l)允许空穴传输，2)允许 电子传输，3)防止激发态的非辐射延迟，和4)确保在器件操作过程中 没有出现不可逆的化学反应。要求1)-3)涉及器件效率，和要求4) 涉及器件寿命。发射层常常由数种物质或者组分组成，其中包括一种 或更多种电荷载流子、荧光或磷光材料，和或多或少的惰性基体。尽管理论表明0LED和p-OLED可具有高的效率，但商业器件仍具 有比常规荧光灯泡低的效率。在实践中，器件的效率取决于颜色且涉 及人眼的灵敏度，结果绿光器件的效率固有地高于红光或蓝光发射体 件。然而，希望改进所有颜色的效率。低效率的一个原因是能量从已 激发的发射化合物(不管它是荧光还磷光、小分子或者聚合物)转移到 具有较低能量激发态的材料上。具有较低能量激发态的材料可以是例 如杂质、缺陷或者准分子。常常出现的是，基体具有能量低于或者仅 仅略高于发射材料激发态的第 一三重激发态，和比发射材料的激发态 高的第一单重激发态。希望降低或者消除能量从所需的激发态转移到 其它较低能量的激发态和从所需的激发态转移到基体材料的三重态。作为时间的函数OLED和p-0LED亮度的降低是其商业应用的主要 障碍。许多因素影响寿命。重要的因素是发射层的氧化还原稳定性(亦 即，在发射层内氧化和还原态的稳定性)。尽管不希望束缚于理论，但 认为空穴为阳离子或者自由基阳离子形式，因为它们通过发射层增长。 自由基是具有奇数个电子的分子，且可以荷电(阴离子或阳离子)或者 为中性(自由基)。自由基通常比具有偶数个电子的分子反应性更大。 当电子通过发射层增长时，它们为阴离子或者自由基阴离子形式。自 由基阳离子可分解成阳离子和自由基，而自由基阴离子可分解成阴离 子和自由基。阳离子、自由基阳离子、阴离子、自由基阴离子，和自 由基全部是可以彼此或者与附近的中性分子经历不想要的化学反应的 反应性物种。这种化学反应可改变发射层的电子性能且可导致亮度下 降，效率下降，和(最终)器件故障。由于这一原因，希望降低或者消 除在0LED和p-0LED内这些活性物种的化学反应。甚至最有前景的p-0LED材料受限于短的寿命。例如，常常在 p-OLED应用中使用亚曱基桥连的聚亚苯基(聚芴，图l)和其它共轭单 元，G,例如4，4'-三苯基胺、3，6-苯并噻唑、2，5-(1，4-二烷氧基亚苯 基)，或第二桥连的联苯单元的共聚物。尽管据报道，基于这种聚芴共 聚物的这种绿光发射p-0LED的寿命超过10， 000小时，但基于这些体 系的红光和蓝光发射p-OLED寿命较短。通常以在在100cd/n^为起始 的设定电流密度下达到一半亮度时的时间测量为寿命。事实上，最好 的聚芴蓝色磷光体的寿命也不适合于商业p-OLED应用。由于这一原 因，希望改进p-OLED发射体材料，特别是发射蓝色范围内的那些材料 的稳定性。附图说明图1桥连聚亚苯基共聚物的一般结构<formula>formula see original document page 29</formula>蓝光发射体通常在功能上不同于红光和绿光发射体。在聚亚苯基 体系中，在绿光和红光发射聚合物的发射中心典型地为特殊重复单元，所述特殊重复单元具有发射绿光或者红光的合适能量的第一单重激发 态。然而，在蓝光发射的聚亚苯基体系，其中包括桥连的聚亚苯基中， 发射中心典型地为 一个或更多个相邻的亚苯基(或桥连的亚联苯基)重 复单元。在这一情况下，亚苯基(或桥连的亚联苯基)具有所有重复单 元或所存在的其它材料中最低的单重激发态。也就是说，大多数重复 单元是发射体。 专利技术概述一方面，本专利技术涉及一种聚合物组合物，它包括用下式表示的一类重复单元其中l-Rs独立地选自氢、卣素、烷基、取代烷基、芳基、取代 芳基、杂芳基、取代杂芳基、-CN、 -CHO、 -C0Ra、 -CRa-NRb、 -0Ra、 -SRa、 -S02Ra、 —P0RaRb、 -P03Ra、 -0C0Ra、 -C02Ra、 -NRaRb、 -N=CRaRb、 -NRaC0Rb 和-C0NRaRb，其中Ra和Rb独立地选自H、烷基、取代烷基、芳基、取 代芳基、杂芳基、取代杂芳基；相邻的R基形成或不形成环结构；R7 和R8—起形成或不形成环结构；任何R:-R8与或者不与聚合物内的相 邻重复单元形成环结构；任何Ra和Rb(若存在的话)一起形成或不形成 一个或更多个环结构；和或者(1)R 与R6—起形成环系，或者(2)R7与 R6—起形成环系，以及Rs与Id—起形成环系，其中两个环系共享或不 共享大于一个原子。另一方面，本专利技术涉及一种聚合物材料，与特征不在于这种稠环 结构的可比聚合物相比，本专利技术的聚合物材料具有较高的第一单重和/ 或三重激发态的至少一个双桥连或者三元桥连的联苯单元。再一方面，本专利技术包括一种具有二元-或者三元-桥连的联苯单元 的聚合物材料，它具有适合于作为在p-0LED应用中使用的荧光和磷光 发射体的基质主体。再一方面，本专利技术包括含二元-或者三元-桥连的联苯单元的低聚物材料，它具有适合于作为在p-0LED应用中使用的荧光和磷光发射体 的基质主体。另一方面，本专利技术包括含二元-或者三元-桥连的联苯重复单元和 荧光或磷光重复单元的共聚物材料。再一方面，本专利技术包括一种共聚物材料，它包括l)二元-或者三 元-桥连的联苯重复单元，2)荧光或磷光重复单元，和3)空穴和/或电 子传输重复单元。再一方面，本专利技术的实践提供具有改进的亮度和/或寿命的0LED 和p-0LED器件。再一方面，本专利技术提供生产具有二元-或者多元-桥连的亚联苯基 重复单元的发光聚合物的方法，所述发光聚合物尤其适合于在含所述 聚合物的电致发光器件中使用。专利技术详述本专利技术的一个目的是提供寿命长的蓝光发射聚合物。在以 100cd/W为起始达到一半亮度时的寿命应当大于l，OOO小时，优选大 于2, 000小时，更优选大于5， 000小时，甚至更优选大于IO，OOO小时， 再优选大于20， 000小时。常常以加速老化试验形式，在较高起始亮度 下测试p-OLED器件。在以1000cd/n^为起始达到一半亮度时的寿命应 当大于100小时，优选大于200小时，更优选大于500小时，甚至更 优选大于l，OOO小时，再优选大于2， 000小时。尽管不希望束縛于理论，但认为目前现有技术的蓝光发射聚亚苯 基和桥连聚亚苯基的短寿命可能是由于充当发射中心的聚合物导致 的。若聚合物本身具有最低的平伏单态本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种聚合物组合物，它包括选自下述的至少一类重复单元：　＊＊＊　其中Ｘ选自下述的组：　＊＊＊　其中Ｒ↓［１］－Ｒ↓［８］独立地选自氢、卤素、烷基、取代烷基、芳基、取代芳基、杂芳基、取代杂芳基、－ＣＮ、－ＣＨＯ、－ＣＯＲ ↓［ａ］、－ＣＲ↓［ａ］＝ＮＲ↓［ｂ］、－ＯＲ↓［ａ］、－ＳＲ↓［ａ］、－ＳＯ↓［２］Ｒ↓［ａ］、－ＰＯＲ↓［ａ］Ｒ↓［ｂ］、－ＰＯ↓［３］Ｒ↓［ａ］、－ＯＣＯＲ↓［ａ］、－ＣＯ↓［２］Ｒ↓［ａ］、－ＮＲ↓［ａ］Ｒ↓［ｂ］、－Ｎ＝ＣＲ↓［ａ］Ｒ↓［ｂ］、－ＮＲ↓［ａ］ＣＯＲ↓［ｂ］和－ＣＯＮＲ↓［ａ］Ｒ↓［ｂ］，其中Ｒ↓［ａ］和Ｒ↓［ｂ］独立地选自Ｈ、烷基、取代烷基、芳基、取代芳基、杂芳基和取代杂芳基；　相邻的Ｒ基形成或不形成环结构；　Ｒ↓［７］和Ｒ↓［８］一起形 成或不形成环结构；　任何Ｒ↓［１］－Ｒ↓［８］与或者不与聚合物内的相邻重复单元形成环结构；　任何Ｒ↓［ａ］和Ｒ↓［ｂ］（若存在的话）一起形成或不形成一个或更多个环结构；　Ｙ↑［－］是任何单价阴离子原子或基团；和　或者 （１）Ｒ↓［７］与Ｒ↓［６］一起形成环系，或者（２）Ｒ↓［７］与Ｒ↓［６］一起形成环系，以及　Ｒ↓［８］与Ｒ↓［１］一起形成环系，其中两个环系共享或不共享大于一个原子；和　任选地包括１－９９ｗｔ％独立地选自下式的共轭单元的一类或 更多类重复单元：　＊＊＊　其中共轭单元可带有独立地选自烷基、取代烷基、全氟烷基、烷氧基、取代烷氧基、芳基、取代芳基、芳氧基、取代芳氧基、杂芳基、取代杂芳基、烷基羰氧基、氰基和氟中的取代基；　Ｕ独立地选自－Ｏ－和－Ｓ－；　 　和Ｖ、Ｒ↓［９］和Ｒ↓［１０］各自独立地选自烷基、取代烷基、芳基、取代芳基、杂芳基或取代杂芳基。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：ML马洛克三世，VJ李，
申请(专利权)人：萨美甚株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]