LDMOS器件以及LDMOS器件的制作方法技术

本申请提供了一种LDMOS器件以及LDMOS器件的制作方法，该LDMOS器件包括基底、多个阻挡层、多个间隔设置的竖直场板以及水平场板，其中，基底包括衬底以及衬底部分表面上的间隔设置的多个栅极结构；多个阻挡层位于基底的一侧，且多个阻挡层与多个栅极结构一一对应，另外，各阻挡层覆盖对应的栅极结构的部分侧面以及远离衬底的部分表面，且阻挡层覆盖衬底的靠近栅极结构的部分表面；竖直场板的第一端与对应的阻挡层接触，一个阻挡层对应多个竖直场板；水平场板位于竖直场板的远离阻挡层的一侧，且水平场板与多个竖直场板的第二端接触。解决了现有技术中的LDMOS的击穿电压较低的问题，保证了LDMOS器件的性能较好。保证了LDMOS器件的性能较好。保证了LDMOS器件的性能较好。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS器件以及LDMOS器件的制作方法


[0001]本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种LDMOS器件以及LDMOS器件的制作方法。

技术介绍

[0002]在LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体）功率器件中，主要通过优化两个方面来提高器件的性能，第一个为优化导通电阻，保证导通电阻较低，第二个为优化击穿电压，保证击穿电压较高，但是，这两个优化方向是彼此冲突的，较高的掺杂浓度可以降低导通电阻，但是，较低的掺杂浓度可以提高击穿电压，另外，拉大耗尽层的宽度也可以提高击穿电压，因此，在保证导通电阻的情况下，难以实现击穿电压的提高。
[0003]在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
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的理解，因此，
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中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

技术实现思路

[0004]本申请的主要目的在于提供一种LDMOS器件以及LDMOS器件的制作方法，以解决现有技术中的LDMOS的击穿电压较低的问题。
[0005]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种LDMOS器件，所述LDMOS器件包括基底、多个阻挡层、多个间隔设置的竖直场板以及水平场板，其中，所述基底包括衬底以及所述衬底部分表面上的间隔设置的多个栅极结构；多个所述阻挡层位于所述基底的一侧，多个所述阻挡层与多个所述栅极结构一一对应，各所述阻挡层覆盖对应的所述栅极结构的部分侧面以及远离所述衬底的部分表面，且所述阻挡层覆盖所述衬底的靠近所述栅极结构的部分表面；所述竖直场板的第一端与对应的所述阻挡层接触，一个所述阻挡层对应多个所述竖直场板；所述水平场板位于所述竖直场板的远离所述阻挡层的一侧，所述水平场板与多个所述竖直场板的第二端接触。
[0006]可选地，所述阻挡层包括第一水平部、倾斜部以及第二水平部，其中，所述第一水平部覆盖所述栅极结构的远离所述衬底的部分表面；所述倾斜部的远离所述衬底的端部与所述第一水平部的端部连接，所述倾斜部覆盖所述栅极结构的一个侧面；所述第二水平部的端部与所述倾斜部的靠近所述衬底的端部连接，所述第二水平部覆盖部分所述衬底的表面，多个所述竖直场板的第一端与所述第二水平部接触。
[0007]可选地，所述LDMOS器件还包括介质层，所述介质层覆盖所述衬底、所述栅极结构以及所述阻挡层的靠近所述水平场板的表面，且所述介质层的远离所述基底的表面为平面，所述水平场板位于所述介质层的远离所述基底的表面上，多个所述竖直场板位于所述介质层中。
[0008]可选地，所述基底还包括源区以及多个漏区，其中，所述源区位于多个所述栅极结
构之间的所述衬底中；一个所述漏区位于多个所述栅极结构一侧的所述衬底中，一个所述漏区位于多个所述栅极结构另一侧的所述衬底中。
[0009]可选地，所述LDMOS器件还包括源极以及多个漏极，其中，所述源极贯穿所述介质层，所述源极的一端与所述源区接触，所述源极的另一端与所述水平场板接触；多个所述漏极贯穿所述介质层，且多个所述漏极的靠近所述衬底的一端与多个所述漏区一一对应接触。
[0010]可选地，所述基底还包括两个隔离层，两个所述隔离层分别位于多个所述竖直场板的两侧的所述衬底中。
[0011]可选地，所述栅极结构包括栅氧层、栅极以及侧墙结构，其中，所述栅氧层位于所述衬底的靠近所述水平场板的部分表面上；所述栅极位于所述栅氧层的远离所述衬底的表面上，所述阻挡层覆盖对应的所述栅极的远离所述衬底的部分表面；所述侧墙结构覆盖所述栅氧层以及所述栅极的侧壁，且所述阻挡层覆盖部分所述侧墙结构。
[0012]可选地，所述水平场板的材料包括Al以及Cu中至少一种，所述竖直场板的材料包括钨。
[0013]可选地，所述衬底的材料包括硅，所述阻挡层包括SAB（Salicide Block，硅化金属阻止层）。
[0014]根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种LDMOS器件的制作方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括衬底以及所述衬底部分表面上的间隔设置的多个栅极结构；在所述基底的裸露表面上形成多个阻挡层，多个所述阻挡层与多个所述栅极结构一一对应，各所述阻挡层覆盖对应的所述栅极结构的部分侧面以及远离所述衬底的部分表面，且所述阻挡层覆盖所述衬底的靠近所述栅极结构的部分表面；在所述阻挡层的远离所述衬底的表面上形成多个间隔设置的竖直场板，所述竖直场板的第一端与对应的所述阻挡层接触，一个所述阻挡层对应多个所述竖直场板；在所述竖直场板的远离所述阻挡层的一侧形成水平场板，所述水平场板与多个所述竖直场板的第二端接触。
[0015]可选地，在所述基底的裸露表面上形成多个阻挡层之后，在所述阻挡层的远离所述衬底的表面上形成多个间隔设置的竖直场板之前，所述方法还包括：在所述衬底、所述栅极结构以及所述阻挡层的裸露表面上形成预备介质层，且所述预备介质层的远离所述基底的表面为平面，所述水平场板位于所述预备介质层的远离所述基底的表面上，多个所述竖直场板位于所述预备介质层中。
[0016]可选地，在所述阻挡层的远离所述衬底的表面上形成多个间隔设置的竖直场板，包括：去除部分所述预备介质层，形成多个间隔设置的通孔，多个所述通孔使得部分所述阻挡层裸露，剩余的所述预备介质层形成介质层；在多个所述通孔中沉积金属材料，得到多个所述竖直场板。
[0017]可选地，在所述竖直场板的远离所述阻挡层的一侧形成水平场板，包括：在所述介质层的远离所述基底的表面上形成金属层；去除部分所述金属层，使得剩余的所述金属层在所述介质层中的投影覆盖多个所述竖直场板的表面，剩余的所述金属层形成所述水平场板。
[0018]可选地，在所述基底的裸露表面上形成多个阻挡层，包括：在所述衬底以及多个所述栅极结构的裸露表面上形成预备阻挡层；去除部分所述预备阻挡层，使得部分所述栅极
结构以及部分所述衬底裸露，剩余的所述预备阻挡层形成多个所述阻挡层。
[0019]可选地，所述预备阻挡层的厚度范围为500埃
‑
700埃。
[0020]在本专利技术实施例中，所述的LDMOS器件，包括基底、多个阻挡层、多个间隔设置的竖直场板以及水平场板，其中，所述基底包括衬底以及所述衬底部分表面上的间隔设置的多个栅极结构；多个所述阻挡层位于所述基底的一侧，且多个所述阻挡层与多个所述栅极结构一一对应，另外，各所述阻挡层覆盖对应的所述栅极结构的部分侧面以及远离所述衬底的部分表面，且所述阻挡层覆盖所述衬底的靠近所述栅极结构的部分表面；所述竖直场板的第一端与对应的所述阻挡层接触，一个所述阻挡层对应多个所述竖直场板；所述水平场板位于所述竖直场板的远离所述阻挡层的一侧，且所述水平场板与多个所述竖直场板的第二端接触。相比现有技术中的LDMOS的击穿电压较低的问题，本申请的所述LDMOS器件，通过设置包括所述衬底以及间隔设置的多个所述栅极结构，再通过在所述衬底以及所述栅极结构的表面上形成多个所述阻挡层，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括：基底，包括衬底以及所述衬底部分表面上的间隔设置的多个栅极结构；多个阻挡层，位于所述基底的一侧，多个所述阻挡层与多个所述栅极结构一一对应，各所述阻挡层覆盖对应的所述栅极结构的部分侧面以及远离所述衬底的部分表面，且所述阻挡层覆盖所述衬底的靠近所述栅极结构的部分表面；多个间隔设置的竖直场板，所述竖直场板的第一端与对应的所述阻挡层接触，一个所述阻挡层对应多个所述竖直场板；水平场板，位于所述竖直场板的远离所述阻挡层的一侧，所述水平场板与多个所述竖直场板的第二端接触。2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述阻挡层包括：第一水平部，所述第一水平部覆盖所述栅极结构的远离所述衬底的部分表面；倾斜部，所述倾斜部的远离所述衬底的端部与所述第一水平部的端部连接，所述倾斜部覆盖所述栅极结构的一个侧面；第二水平部，所述第二水平部的端部与所述倾斜部的靠近所述衬底的端部连接，所述第二水平部覆盖部分所述衬底的表面，多个所述竖直场板的第一端与所述第二水平部接触。3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括：介质层，覆盖所述衬底、所述栅极结构以及所述阻挡层的靠近所述水平场板的表面，且所述介质层的远离所述基底的表面为平面，所述水平场板位于所述介质层的远离所述基底的表面上，多个所述竖直场板位于所述介质层中。4.根据权利要求3所述的LDMOS器件，其特征在于，所述基底还包括：源区，位于多个所述栅极结构之间的所述衬底中；多个漏区，一个所述漏区位于多个所述栅极结构一侧的所述衬底中，一个所述漏区位于多个所述栅极结构另一侧的所述衬底中。5.根据权利要求4所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括：源极，贯穿所述介质层，所述源极的一端与所述源区接触，所述源极的另一端与所述水平场板接触；多个漏极，多个所述漏极贯穿所述介质层，且多个所述漏极的靠近所述衬底的一端与多个所述漏区一一对应接触。6.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述基底还包括：两个隔离层，分别位于多个所述竖直场板的两侧的所述衬底中。7.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅极结构包括：栅氧层，位于所述衬底的靠近所述水平场板的部分表面上；栅极，位于所述栅氧层的远离所述衬底的表面上，所述阻挡层覆盖对应的所述栅极的远离所述衬底的部分表面；侧墙结构，覆盖所述栅氧层以及所述栅极的侧壁，且所述阻挡层覆盖部分所述侧墙结构。8.根据权利要求1至7中...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓妍，张德培，陈筱菲，陈立业，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：