一种LDMOS器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种LDMOS器件及其制备方法，所述LDMOS器件包括半导体本体、栅极结构、第一场板、金属硅化物阻挡层、第二场板、层间介质层以及第三场板，所述第一场板、第二场板、第三场板的底面至半导体本体的距离依次增加，即场板下的介质层厚度从栅极到漏区依次增加，从而能够使电场的分布更加均匀，提高LDMOS器件的性能；另外，本发明专利技术的LDMOS器件的制备方法利用现有BCD工艺中介质层的不同厚度，在不同厚度的介质层上制备出呈阶梯状分布的场板，与现有的制备方法相比，没有增加任何的附加工艺步骤，节省了制造成本。节省了制造成本。节省了制造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种LDMOS器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路领域，具体涉及一种LDMOS器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]LDMOS(Lateral Double
‑
Diffused MOSFET，横向扩散金属氧化物半导体)是一种横向功率器件，具有高耐压、高输入阻抗、良好的安全工作区、低功耗等优势，通常作为高压功率器件广泛应用在电机驱动、汽车电子、工业控制、开关电源等功率集成电路中。
[0003]LDMOS的结构性能直接影响到功率集成电路的性能，衡量LDMOS性能的主要参数有导通电阻和击穿电压，为了兼顾LDMOS具有较好的耐压特性和较低的导通电阻，通常在LDMOS的漏区和栅极之间设置场板，且为了使电场分布更加均匀，场板下的氧化层厚度需要从栅极到漏区依次增加，然而，制造不同厚度的氧化层需要增加额外的掩膜版以及额外的工序步骤，导致成本增加。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术提出一种LDMOS器件及其制备方法，所述LDMOS器件包括半导体本体、栅极结构、第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：半导体本体；栅极结构，位于所述半导体本体的表面，包括栅极氧化层以及位于所述栅极氧化层表面的栅极；第一场板，位于所述栅极氧化层表面，且与所述栅极在第一方向上并列排布；金属硅化物阻挡层，位于所述栅极氧化层表面并覆盖部分所述第一场板；第二场板，位于所述金属硅化物阻挡层表面；层间介质层，位于所述半导体本体的表面并覆盖所述栅极结构、第一场板、第二场板及金属硅化物阻挡层；第三场板，位于所述层间介质层的表面。2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述半导体本体包括衬底，所述衬底中设置有相互邻接的体区和漂移区；所述体区内设置由第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区组成的源极；所述漂移区内设置有具有第二导电类型的漏区。3.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，层间介质层表面还设置有源极金属层和漏区金属层，其中，所述源极金属层位于所述源极的上方，所述漏区金属层位于所述漏区的上方，且所述第三场板位于所述源极金属层与所述漏区金属层之间。4.根据权利要求3所述的LDMOS器件，其特征在于，所述源极金属层还延伸至所述第二场板的上方与所述第二场板部分重叠，且自所述源极金属层所在一侧至所述漏区金属层所在一侧，二者重叠部分的面积逐步递减。5.根据权利要求3所述的LDMOS器件，其特征在于，所述层间介质层中还形成有接触孔，且所述源极金属层与所述源极通过所述接触孔相连，所述漏区金属层与所述漏区通过所述接触孔相连。6.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅极与所述第一场板的两侧还形成有侧墙。7.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一场板由多晶硅材料制成。8.根据权利要求4所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第二场板包括第一部分，以及位于所述第一部分表面的第二部分，所述第一部分由绝缘材料制成。9.根据权利要求8所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第二部分表面还形成有接触孔，所述接触孔连接所述第二部分与所述源极金属层。10.根据权利要求8或9所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第二部分由金属材料制成。11.根据权利要求8或9所述的LDMOS器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：奉竹青，江兴川，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：