一种发光二极管制造技术

本申请提供了一种发光二极管，包括半导体叠层、设置在半导体叠层上的通孔和第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的第一焊盘、第二焊盘和第二电极块。半导体叠层包括第一半导体层，发光层和第二半导体层，第一绝缘层包括第一开口部和第二开口部，第一焊盘通过第一开口部与第一半导体层电连接，第二焊盘通过第二开口部与第二半导体层电连接，第二焊盘包括第二焊盘连接部和多个朝第一焊盘延伸的第二焊盘延伸部，第二电极块设置在相邻的第二焊盘延伸部之间。通过多个设置在第二焊盘连接部之间的第二电极块，以提高发光二极管的散热能力，提高发光二极管的可靠性。高发光二极管的可靠性。高发光二极管的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管


[0001]本申请涉及半导体相关
，尤其涉及一种发光二极管。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有成本低、光效率高、节能环保等优点，而被广泛应用于车载、背光、植物照明以及大功率照明灯领域。因驱动电流大、散热要求高、芯片内阻要求低、或者在黄光/红光波段具有高反射率等需求，通常将反射率最高的金属Ag作为金属反射层的主要材料。
[0003]传统的LED芯片为平非坦化设计，因表面焊盘大面积与绝缘层接触，在后续封装回流焊的过程中，容易出现因封装基板翘曲而导致的表面焊盘与绝缘层出现断裂或分离的异常，进而导致不同极性的金属层，相互连接而出现局部短路的异常。现有技术的解决方案是将LED芯片平坦化设计，即将P电极和N电极分割设计，在外延结构局部位置形成从P型层延伸至N型层的通孔，将P电极和N电极的表面焊盘设置在同一水平面上，进而避免基板的翘曲导致绝缘层断裂引起漏电或死灯异常。然而，为了满足平坦化的设计需求，环形设计的P电极电流注入方式会压缩了P侧表面焊盘的面积，直接影响到LED芯片的散热能力，进而影响LED芯片的可靠性。
[0004]因此，如何提供一种发光二极管，能够进一步提高LED芯片的散热能力，提高发光二极管的可靠性，成为本领域亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]本申请的目的是提供发光二极管，其能够进一步提高LED芯片的散热能力，提高发光二极管的可靠性。
[0006]第一方面，本申请提供了一种发光二极管，其包括：
[0007]半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、发光层及第二半导体层；
[0008]通孔，贯穿所述第二半导体层以及发光层，显露出所述第一半导体层的部分表面；
[0009]第一绝缘层，设置在所述半导体叠层上，具有第一开口部和第二开口部，所述第一开口部露出所述第一半导体层的部分表面；
[0010]第一焊盘，形成于所述半导体叠层上，通过所述第一开口部与所述第一半导体层电连接，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第一焊盘的投影与所述通孔的投影不重叠；
[0011]第二焊盘，形成于所述半导体叠层上，与所述第一焊盘相对设置，通过所述第二开口部与所述第二半导体层电连接；所述第二焊盘包括第二焊盘连接部和多个朝所述第一焊盘延伸的第二焊盘延伸部，在相邻所述第二焊盘延伸部之间设有第二电极块，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第二焊盘、通孔以及第二电极块的投影互不重叠。
[0012]在一种可能的实施方式中，所述第一焊盘包括第一焊盘连接部和多个朝所述第二焊盘延伸的第一焊盘延伸部，在相邻所述第一焊盘延伸部之间设有第一电极块，在垂直于
所述半导体叠层方向的平面上，所述第一焊盘、通孔以及第一电极块的投影互不重叠。
[0013]在一种可能的实施方式中，所述发光二极管还包括第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极通过所述第一开口部与所述第一半导体层电连接，所述第二连接电极通过所述第二开口部与所述第二半导体层电连接。
[0014]在一种可能的实施方式中，所述第一绝缘层包括第一绝缘部和第二绝缘部，所述第一绝缘部环绕于所述第二绝缘部周围，并以环形的第二开口部相间隔。
[0015]在一种可能的实施方式中，所述第一连接电极位于所述第一绝缘部上，所述第二连接电极位于所述第二绝缘部上，并将所述第二开口部部分填充；在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第一连接电极的投影位于所述第一绝缘部的投影面内，所述第二绝缘部的投影位于所述第二连接电极的投影面内。
[0016]在一种可能的实施方式中，所述第二开口部包括靠近所述第一绝缘部的外边缘和靠近所述第二绝缘部的内边缘，所述第一连接电极与所述外边缘的最小距离范围介于1μm～15μm之间，所述第二连接电极覆盖所述内边缘并距离所述内边缘的最小距离范围介于1μm～15μm之间。
[0017]在一种可能的实施方式中，所述第一绝缘层包括多个第二开口部，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第二开口部的投影位于所述第二连接电极的投影面内。
[0018]在一种可能的实施方式中，所述第二连接电极包括第二电极连接部和多个朝所述第一焊盘延伸的第二电极延伸部，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第二开口部的投影位于所述第二电极延伸部的投影面内。
[0019]在一种可能的实施方式中，所述第一绝缘层包括多个第二开口部，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第二开口部的投影位于所述第一焊盘和第二焊盘的投影之间。
[0020]在一种可能的实施方式中，所述第二开口部的个数与所述第二焊盘延伸部的个数相同。
[0021]在一种可能的实施方式中，所述第二连接电极覆盖所述第二开口部并将其内部完全填充。
[0022]在一种可能的实施方式中，所述发光二极管还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层形成于所述第一连接电极和所述第二连接电极上，所述第二绝缘层包括第三开口部以露出所述第一连接电极的部分表面和第四开口部以露出所述第二连接电极的部分表面，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第三开口部的投影位于所述第一连接电极的投影面内，所述第四开口部的投影位于所述第二连接电极的投影面内。
[0023]在一种可能的实施方式中，所述第二连接电极的边缘距离第四开口部的边缘的最小距离范围介于4μm～12μm之间。
[0024]在一种可能的实施方式中，所述第一焊盘位于所述第三开口部内，所述第二焊盘位于所述第四开口部内。
[0025]在一种可能的实施方式中，所述发光二极管还包括金属层，所述金属层包括反射层与阻挡层，所述反射层设置在所述第二半导体层上，所述阻挡层包覆所述反射层，所述第一绝缘层包覆所述阻挡层，并在所述第二开口部处显露部分所述阻挡层，所述第二连接电极通过所述第二开口部与阻挡层电连接。
[0026]在一种可能的实施方式中，所述发光二极管还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层包覆所述半导体叠层的边缘和部分表面，且位于所述第二半导体层与所述反射层之间，具有多个不连续的第五开口部，所述反射层通过所述第五开口部与所述第二半导体层电连接。
[0027]在一种可能的实施方式中，所述发光二极管还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述第二半导体层与所述第三绝缘层之间，且所述透明导电层、反射层及阻挡层均避开所述通孔。
[0028]在一种可能的实施方式中，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述透明导电层的竖直投影面积大于所述反射层的竖直投影面积。
[0029]在一种可能的实施方式中，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述透明导电层、反射层及阻挡层的投影均位于所述第二半导体层的投影面内。
[0030]在一种可能的实施方式中，所述反射层包括银金属反射层。
[0031]在一种可能的实施方式中，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第一开口部的投影面位于所述通孔的投影内。
[0032]在一种可能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、发光层及第二半导体层；通孔，贯穿所述第二半导体层以及发光层，显露出所述第一半导体层的部分表面；第一绝缘层，设置在所述半导体叠层上，具有第一开口部和第二开口部，所述第一开口部露出所述第一半导体层的部分表面；第一焊盘，形成于所述半导体叠层上，通过所述第一开口部与所述第一半导体层电连接，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第一焊盘的投影与所述通孔的投影不重叠；第二焊盘，形成于所述半导体叠层上，与所述第一焊盘相对设置，通过所述第二开口部与所述第二半导体层电连接；所述第二焊盘包括第二焊盘连接部和多个朝所述第一焊盘延伸的第二焊盘延伸部，在相邻所述第二焊盘延伸部之间设有第二电极块，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第二焊盘、通孔以及第二电极块的投影互不重叠。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一焊盘包括第一焊盘连接部和多个朝所述第二焊盘延伸的第一焊盘延伸部，相邻所述第一焊盘延伸部之间设有第一电极块，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第一焊盘、通孔以及第一电极块的投影互不重叠。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极通过所述第一开口部与所述第一半导体层电连接，所述第二连接电极通过所述第二开口部与所述第二半导体层电连接。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层包括第一绝缘部和第二绝缘部，所述第一绝缘部环绕于所述第二绝缘部周围，并以环形的第二开口部相间隔。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一连接电极位于所述第一绝缘部上，所述第二连接电极位于所述第二绝缘部上，并将所述第二开口部部分填充；在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第一连接电极的投影位于所述第一绝缘部的投影面内，所述第二绝缘部的投影位于所述第二连接电极的投影面内。6.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第二开口部包括靠近所述第一绝缘部的外边缘和靠近所述第二绝缘部的内边缘，所述第一连接电极与所述外边缘的最小距离范围介于1μm～15μm之间，所述第二连接电极覆盖所述内边缘并距离所述内边缘的最小距离范围介于1μm～15μm之间。7.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层包括多个第二开口部，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第二开口部的投影位于所述第二连接电极的投影面内。8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第二连接电极包括第二电极连接部和多个朝所述第一焊盘延伸的第二电极延伸部，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第二开口部的投影位于所述第二电极延伸部的投影面内。9.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第一绝缘层包括多个第二开口部，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第二开口部的投影位于所述第一焊盘和第二焊盘的投影之间。10.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第二开口部的个数与所述第
二焊盘延伸部的个数相同。11.根据权利要求7～10任意一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第二连接电极覆盖所述第二开口部并将其内部完全填充。12.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层形成于所述第一连接电极和所述第二连接电极上，所述第二绝缘层包括第三开口部以露出所述第一连接电极的部分表面和第四开口部以露出所述第二连接电极的部分表面，在垂直于所述半导体叠层方向的平面上，所述第三开口部的投影位于所述第一连接电极的投影面内，所述第四开口部的投影位于所述第二连接电极的投影面内。13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述第二连接电极的边缘距离第四开口部的边缘的最小距离范围介于4μm～12μm之间。14.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述第一焊盘位于所述第三开口部内，所述第二焊盘位于所述第四开口部内。15.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，还包括金属层，所述金属层包括反射层与阻挡层，所述反射层设置在所述第二半导体层上，所述阻挡层包覆所述反射层，所述第一绝缘层包覆所述阻挡层，并在所述第二开口部处显露部分所述阻挡层，所述第二连接电极通过所述第二开口部与阻挡层电连接。16.根据权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层包覆所述半导体叠层的边缘和部分表面，且位于所述第二半导体层与所述反射层之间，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李燕，朱秀山，刘小亮，荆琪，李俊贤，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：