去除半导体蚀刻设备ESC静电吸附盘表面高温沉积的硅、氧、氮化钛及氟化物沉积膜工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种去除半导体蚀刻设备ESC静电吸附盘表面高温沉积的硅、氧、氮化钛及氟化物沉积膜工艺，包括将ESC静电吸附盘非清洗部位用耐酸碱胶带进行保护；然后放入纯水中；再浸泡在混合酸溶液A中；冲洗后蘸取混合溶液B对陶瓷面进行擦拭；冲洗后蘸取混合溶液C对陶瓷面进行擦拭；冲洗后将ESC静电吸附盘倒扣浸泡在混合溶液D中；冲洗结束后将部分耐酸碱胶带去除；接通纯水冲洗氦气孔；打磨；停止氦气孔纯水冲洗；蘸取混合溶液E对ESC静电吸附盘陶瓷面进行擦拭；再进行后续超声清洗及烘干。本工艺在充分保护部件本体不被腐蚀损耗的情况下，去除表面已经沉积的硅、氧、氮化钛及氟化物残膜，并对表面由于上机高温导致的彩膜进行有效去除。去除。

【技术实现步骤摘要】
去除半导体蚀刻设备ESC静电吸附盘表面高温沉积的硅、氧、氮化钛及氟化物沉积膜工艺


[0001]本专利技术涉及半导体精密设备关键部件清洗翻新
，具体涉及去除半导体蚀刻设备ESC静电吸附盘表面高温沉积的硅、氧、氮化钛及氟化物沉积膜工艺。

技术介绍

[0002]半导体等离子刻蚀(Plasma Dry ETCH)，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的具有腐蚀性气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，形成了等离子，电离气体原子通过电场加速轰击芯片表面，使芯片表面原子或分子与等离子气氛中的活性原子接触并发生反应，形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻；ESC静电吸附盘是设备腔体反应时，唯一接触芯片的核心部件，其结构复杂，价格昂贵。
[0003]由于半导体蚀刻设备的腔体反应时会不断在ESC静电吸附盘表面沉积各种气体分子，因此需要定期更换ESC静电吸附盘部件，如果每次更换新的部件，将会给半导体制造公司增加巨大的成本，浪费资源，所以清洗翻新工艺对于该部件的循环使用具有重大意义。
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.去除半导体蚀刻设备ESC静电吸附盘表面高温沉积的硅、氧、氮化钛及氟化物沉积膜工艺，其特征在于，包括：步骤一：将ESC静电吸附盘背面的电极孔及氦气孔用耐酸碱胶带进行保护，再对整体背面和侧面用耐酸碱胶带进行保护；步骤二：将保护好的ESC静电吸附盘浸没在55
°‑
65
°
纯水中一段时间，在浸没期间内对纯水进行鼓泡搅拌；步骤三：配置混合溶液A；步骤四：将ESC静电吸附盘从纯水中取出，并沥干残余液体后，浸泡在混合酸溶液A中3～4小时；步骤五：将ESC静电吸附盘从混合溶液A中取出，使用气水枪进行冲洗，冲洗压力为0.4～0.5mpa；步骤六：配置混合溶液B；步骤七：冲洗结束后用无尘布蘸取混合溶液B对ESC静电吸附盘陶瓷面进行擦拭；步骤八：擦拭结束后用气水枪对ESC静电吸附盘陶瓷面进行冲洗，冲洗压力为0.4～0.5mpa；步骤九：配置混合溶液C；步骤十：冲洗结束后用无尘布蘸取混合溶液C对ESC静电吸附盘陶瓷面进行擦拭；步骤十一：擦拭结束后用气水枪对ESC静电吸附盘陶瓷面进行冲洗，冲洗压力为0.4～0.5mpa；步骤十二：配置混合溶液D；步骤十三：冲洗结束后，将ESC静电吸附盘倒扣浸泡在混合溶液D中一段时间；步骤十四：浸泡结束后用气水枪对ESC静电吸附盘陶瓷面进行冲洗，冲洗压力为0.4～0.5mpa；步骤十五：冲洗结束后将整体背面和侧面的耐酸碱胶带去除，同时将氦气孔的耐酸碱胶带也去除；步骤十六：对ESC静电吸附盘整体使用气水枪进行冲洗，冲洗压力为0.4～0.5mpa；步骤十七：安装ESC静电吸附盘的氦气孔冲洗及吹扫治具，并接通纯水冲洗氦气孔，冲洗压力为0.1～0.2mpa；步骤十八：使用金刚石打磨片对ESC静电吸附盘陶瓷面进行打磨，并保持氦气孔纯水冲洗，直到打磨结束；步骤十九：对ESC静电吸附盘整体使用气水枪进行冲洗，冲洗压力为0.4～0.5mpa；步骤二十：停止氦气孔纯水冲洗，并将ESC静电吸附盘从治具上取下；步骤二十一：用工业菜瓜布对ESC静电吸附盘侧面以及背面的阳极氧化面进行打磨；步骤二十二：打磨结束后，对ESC静电吸附盘整体使用气水枪进行冲洗，冲洗压力为0.4～0.5mpa；步骤二十三：冲洗结束后，用高纯氮气枪将ESC静电吸附盘表面及氦气孔内水分吹干；步骤二十四：对ESC静电吸附盘整体背面和侧面用耐酸碱胶带进行保护；步骤二十五：配置混合溶液E；步骤二十六：用无尘布蘸取混合溶液E对ESC静电吸附盘陶瓷面进行擦拭；
步骤二十七：擦拭结束后用气水枪对ESC静电吸附盘陶瓷面进行冲洗，冲洗压力为0.4～0.5mpa；步骤二十八：冲洗结束后将ESC静电吸附盘整体背面和侧面的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱光宇，贺贤汉，王松朋，李泓波，
申请(专利权)人：富乐德科技发展大连有限公司，
类型：发明
国别省市：