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本发明公开了一种去除半导体蚀刻设备ESC静电吸附盘表面高温沉积的硅、氧、氮化钛及氟化物沉积膜工艺，包括将ESC静电吸附盘非清洗部位用耐酸碱胶带进行保护；然后放入纯水中；再浸泡在混合酸溶液A中；冲洗后蘸取混合溶液B对陶瓷面进行擦拭；冲洗后蘸取...
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