用于衬底切分的设备及方法技术

公开了一种用于切分衬底的方法和设备。该用于切分衬底的方法包括：设置用于在目标衬底内形成第一改造区的目标高度，目标高度是从目标衬底的上表面至第一改造区的距离；向包括第一膜和与第一膜接触的第二膜的第一样本衬底辐射激光束，并且基于致使在第一膜的与第二膜接触的上表面上形成激光束的会聚点的样本条件设置目标条件；以及根据目标条件用激光束辐射目标衬底，以在目标衬底内形成第一改造区，其中，第二膜的厚度是目标高度。第二膜的厚度是目标高度。第二膜的厚度是目标高度。

【技术实现步骤摘要】
用于衬底切分的设备及方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年9月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
‑
2021
‑
0128921的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。


[0003]本公开涉及一种用于切分衬底的方法和用于切分衬底的设备。

技术介绍

[0004]可通过各种工艺制造半导体。例如，半导体制造工艺可包括切割晶圆等的工序。可按照各种方式切割晶圆。可用刀片切割晶圆。可替换地，可用激光切割晶圆。为了用激光切割晶圆，可使用在晶圆内会聚激光束的隐形切分方法。晶圆内的会聚了激光束的一部分中可能出现裂纹。晶圆可基于裂纹部分被切分。

技术实现思路

[0005]本公开的各方面提供了一种准确度改进的用于切分衬底的方法。
[0006]本公开的各方面还提供了一种准确度改进的用于切分衬底的设备。
[0007]根据本公开的一方面，一种用于切分衬底的方法包括：设置用于在目标衬底内形成第一改造区的目标高度，目标高度是从目标衬底的上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于切分衬底的方法，包括：设置用于在目标衬底内形成第一改造区的目标高度，所述目标高度是从所述目标衬底的上表面至所述第一改造区的距离；向包括第一膜和与所述第一膜接触的第二膜的第一样本衬底辐射激光束，并且基于致使在所述第一膜的与所述第二膜接触的上表面上形成所述激光束的会聚点的样本条件设置目标条件；以及根据所述目标条件用所述激光束辐射所述目标衬底，以在所述目标衬底内形成所述第一改造区，其中，所述第二膜的厚度是所述目标高度。2.根据权利要求1所述的用于切分衬底的方法，其中，所述目标衬底包括与所述第二膜相同的材料。3.根据权利要求1所述的用于切分衬底的方法，其中，所述第一膜对所述激光束的反射率大于所述第一膜对所述激光束的吸收率。4.根据权利要求1所述的用于切分衬底的方法，还包括：设置所述样本条件，其中：设置所述样本条件的步骤包括以下中的至少一个：设置所述第一样本衬底与用于使用所述激光束辐射所述第一样本衬底的光学系统之间的第一距离，和设置所述光学系统的校正环值中的至少一个。5.根据权利要求4所述的用于切分衬底的方法，其中，设置所述目标条件的步骤还包括：根据所述样本条件用所述激光束辐射第二样本衬底以在所述第二样本衬底内形成第二改造区，获取所述第二改造区的成像数据，以及基于所述成像数据调整所述样本条件和设置所述目标条件。6.根据权利要求5所述的用于切分衬底的方法，其中，基于所述成像数据调整所述样本条件和设置所述目标条件的步骤包括：基于所述成像数据获取所述第二样本衬底与所述光学系统之间的第二距离和所述第二改造区的长度，以及基于所述第二距离和所述第二改造区的长度调整所述激光束的功率。7.根据权利要求4所述的用于切分衬底的方法，其中，所述激光束是第一激光束，并且设置所述样本条件的步骤还包括：监视由辐射至所述第一样本衬底的所述第一激光束被所述第一膜的所述上表面反射导致的第二激光束，以设置所述样本条件。8.根据权利要求7所述的用于切分衬底的方法，其中，设置所述样本条件的步骤还包括：重复地设置所述第一样本衬底与用所述第一激光束辐射所述第一样本衬底的光学系统之间的第一距离，根据设置的第一距离移动所述第一样本衬底和所述光学系统中的至少一个，然后获取通过对辐射至所述第一样本衬底的所述第一激光束被所述第一膜的所述上
表面反射所得的第二激光束成像获得的成像数据，以及基于重复地成像的所述成像数据设置根据运动的校正值。9.根据权利要求4所述的用于切分衬底的方法，其中，设置所述样本条件的步骤还包括：监视辐射至所述第一样本衬底特定时长的所述激光束被所述第一膜的所述上表面反射所得的第二激光束，以设置随时间的校正值。10.根据权利要求4所述的用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张城豪，徐敏焕，李璋辉，权宁喆，裴祥佑，大久保彰律，李贞彻，朱愿暾，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：