包含半导体装置的划片区中的图案的设备及方法制造方法及图纸

本公开涉及包含半导体装置的划片区中的图案的设备和方法。描述包含划线中的结构的设备。实例设备包含：第一芯片和第二芯片；划片区，其在所述第一芯片与所述第二芯片之间；裂缝引导区，其在所述划片区中，所述裂缝引导区包含切割线，所述第一芯片和所述第二芯片将沿着所述切割线划分；及结构，其安置在所述裂缝引导区中且沿着所述切割线延伸。引导区中且沿着所述切割线延伸。引导区中且沿着所述切割线延伸。

【技术实现步骤摘要】
包含半导体装置的划片区中的图案的设备及方法


[0001]本公开涉及半导体的
，且更确切地说，涉及包含半导体装置的划片区中的图案的设备及方法。

技术介绍

[0002]高数据可靠性、高存储器存取速度、较低功耗和减小的芯片大小为半导体存储器所需要的特征。近年来，一些半导体装置包含具有在导电层之间展现弱电极化的低介电常数(k)的绝缘材料，例如碳氮化硅(SiOC)和碳氮化硅(SiCN)的低k膜。包含所述低k膜以减小导电层之间的寄生电容且因此实现半导体装置中的电子电路的高速操作。
[0003]然而，低k材料具有弱的热机械特性。举例来说，与二氧化硅(SiO2)膜和氮化硅(Si3N4)膜相比，低k膜对其邻近导电层或导电组件(例如，互连件)具有较低粘附性。另外，低k材料为脆性的。在半导体元件形成于半导体晶片上后，半导体晶片被切割成半导体芯片。在切割过程期间，可产生裂缝，且这类裂缝可通过低k膜与另一介电膜之间(例如，SiO2与SiOC膜之间、SiCN与SiO2膜之间等)的膜界面传播。裂缝可到达半导体装置的元件形成区，这可能导致半导体装置的较低良率。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：第一芯片和第二芯片；划片区，其在所述第一芯片与所述第二芯片之间；裂缝引导区，其在所述划片区中，所述裂缝引导区包含切割线，所述第一芯片和所述第二芯片将沿着所述切割线划分；及结构，其安置在所述裂缝引导区中且沿着所述切割线延伸。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述划片区进一步包括：第一衬垫区，其包含所述第一芯片的至少一个第一测试端子；及第二衬垫区，其包含所述第二芯片的至少一个第二测试端子；且其中所述结构安置在所述第一衬垫区与所述第二衬垫区之间。3.根据权利要求1所述的设备，所述结构在平行于所述切割线的第一方向上延伸，所述切割线垂直于到所述第一芯片的第二方向。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述结构包括安置在膜中的一或多个管线。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述结构包括大于所述膜的硬度的硬度。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述膜包括具有较低介电常数(k)的材料(低k材料)。7.根据权利要求5所述的设备，其中所述结构包括金属。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述结构跨越层延伸。9.根据权利要求8所述的设备，其中所述结构包括通孔。10.根据权利要求9所述的设备，其中所述通孔连接到所述层下方的另一图案。11.一种设备，其包括：电路区，其包含至少一个电路；至少一个侧表面；及电路边缘，其包含沿着所述侧表面延伸的结构。12.根据权利要求11...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉冈繁，川北惠三，R，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：