功率器件、制备方法和车辆技术

本申请公开了一种功率器件、制备方法和车辆，功率器件包括：衬底，所述衬底包括元胞结构和耐压终端，所述衬底的中央区域形成所述元胞结构，所述衬底的远离所述中央区域的部分形成所述耐压终端；所述耐压终端的边缘位置设有台阶部；第一钝化层，所述第一钝化层沉积于所述台阶部上，所述第一钝化层中注入有离子，以调制所述耐压终端处的所述衬底中的载流子分布。本申请在耐压终端的边缘位置设置台阶部，充分利用衬底的立体结构，减少耐压终端的面积。台阶部上沉积第一钝化层，并在第一钝化层中注入带电离子，使带电离子钉扎在第一钝化层内，不随外加电场移动，达到调制衬底内部的载流子分布的目的，有效实现耐压终端的耐压的有效性和稳定性。稳定性。稳定性。

【技术实现步骤摘要】
功率器件、制备方法和车辆


[0001]本申请涉及半导体器件
，更具体地，涉及一种功率器件、该功率器件的制备方法和具有该功率器件的车辆。

技术介绍

[0002]功率器件的种类很多，包括绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、快恢复二极管(FRD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等，其广泛应用于高电压、大电流的工业场景。这些高压半导体器件的结构千差万别，但是针对高电压、大电流应用场景时，通常需要考虑结构的耐压设计。
[0003]目前，现有技术中的功率器件的耐压终端设计在芯片顶面，属于平面设计，占用面积比较大。在缩短平面耐压终端面积的同时，平面耐压终端的结构会越来越复杂，可靠性受到挑战，耐压性能受到限制。

技术实现思路

[0004]本申请的一个目的是提供一种功率器件及其制备方法的新技术方案，至少能够解决现有技术中功率器件的耐压终端结构复杂且耐压性能有限的问题。
[0005]根据本申请的第一方面，提供了一种功率器件，包括：衬底，所述衬底包括元胞结构和耐压终端，所述衬底的中央区域形成所述元胞结构，所述衬底的远离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括元胞结构和耐压终端，所述衬底的中央区域形成所述元胞结构，所述衬底的远离所述中央区域的部分形成所述耐压终端；所述耐压终端的边缘位置设有台阶部；第一钝化层，所述第一钝化层沉积于所述台阶部上，所述第一钝化层中注入有离子，以调制所述耐压终端处的所述衬底中的载流子分布。2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述衬底具有在厚度方向相对布置的第一表面和第二表面，所述台阶部在所述第一表面和所述第二表面之间倾斜延伸，且所述第一表面在所述第二表面上的正投影覆盖所述第二表面。3.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述第一钝化层在所述台阶部上均匀沉积，以使所述第一钝化层的形状与所述台阶部的形状相对应。4.根据权利要求3所述的功率器件，其特征在于，所述台阶部为多个连续圆滑过渡的台阶，多个所述台阶在所述衬底的厚度方向上倾斜延伸，第一钝化层在每个所述台阶上均匀沉积。5.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述第一钝化层在所述衬底的厚度方向上的沉积量不同，以使所述第一钝化层与所述台阶部合围成的截面形状为矩形。6.根据权利要求3或5所述的功率器件，其特征在于，所述第一钝化层中注入的离子靠近所述第一钝化层和所述衬底的边界位置。7.根据权利要求4所述的功率器件，其特征在于，所述衬底在所述第一表面上设有多个间隔开布置的沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：周海佳，刘春江，张建利，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：