IGBT功率器件制造技术

本发明专利技术属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT功率器件，包括由若干个元胞结构周期性排列组成的元胞区，所述元胞结构包括：n型外延层；位于所述n型外延层内的两个第一沟槽以及介于两个所述第一沟槽之间的至少三个栅沟槽，所述栅沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度；位于所述n型外延层内的n型电荷存储区，每个所述栅沟槽的底部均设有一个所述n型电荷存储区；所述第一沟槽内设有绝缘层和导电层，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极；位于所述n型外延层内且介于相邻两个所述栅沟槽之间的p型体区，所述p型体区内设有n型发射极区。所述p型体区内设有n型发射极区。所述p型体区内设有n型发射极区。

【技术实现步骤摘要】
IGBT功率器件


[0001]本专利技术属于半导体功率器件
，特别是涉及一种IGBT功率器件。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)功率器件是由金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor，MOS)晶体管和双极型晶体管复合而成的一种器件，IGBT功率器件的输入极为MOS晶体管，输出极为PNP型晶体管，它融合了这两种晶体管器件的优点，既具有MOS晶体管驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型晶体管饱和压降低和容量大的优点。
[0003]IGBT功率器件通常在p型体区下方形成n型电荷存储层，用以调节IGBT功率器件的导通压降，n型电荷存储层的掺杂浓度越高，IGBT功率器件正向导通压降越小、关断时间越短。相关技术中，n型电荷存储层位于p型体区下方，需要通过高能离子注入工艺形成，工艺难度大，不易控制。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种IGBT功率器件，以降低n型电荷存储层的制造工艺难度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.IGBT功率器件，其特征在于，包括由若干个元胞结构周期性排列组成的元胞区，所述元胞结构包括：n型外延层；位于所述n型外延层内的两个第一沟槽以及介于两个所述第一沟槽之间的至少三个栅沟槽，所述栅沟槽的深度小于所述第一沟槽的深度；位于所述n型外延层内的n型电荷存储区，每个所述栅沟槽的底部均设有一个所述n型电荷存储区；所述第一沟槽内设有绝缘层和导电层，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极；位于所述n型外延层内且介于相邻两个所述栅沟槽之间的p型体区，所述p型体区内设有n型发射极区。2.如权利要求1所述的IGBT功率器件，其特征在于，所述第一沟槽与相邻的所述栅沟槽毗邻，所述栅极与所述导电层被所述绝缘层绝缘隔离。3.如权利要求1所述的IGBT功率器件，其特征在于，所述第一沟槽与相邻的所述栅沟槽被所述n型外延层分隔开。4.如权利要求3所述的IGBT功率器件，其特征在于，还包括p型掺杂区，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林敏之，刘伟，袁愿林，刘磊，
申请(专利权)人：苏州东微半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：