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本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT功率器件，包括由若干个元胞结构周期性排列组成的元胞区，所述元胞结构包括：n型外延层；位于所述n型外延层内的两个第一沟槽以及介于两个所述第一沟槽之间的至少三个栅沟槽，所述栅沟槽的深度小于...
该专利属于苏州东微半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州东微半导体股份有限公司授权不得商用。

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