一种电子设备制造技术

本发明专利技术公开了一种电子设备，包括，结构组件，所述结构组件限定所述电子设备的全部内部体积或者部分内部体积并具有压感单元，所述压感单元被配置为至少部分地限定所述电子设备的压感外表面；所述压感单元包括：金属触片，所述金属触片为片状非晶态合金，且所述金属触片沿其长度方向的厚度为均匀分布；压力传感器，所述压力传感器定位于所述金属触片下方，并被配置为沿所述电子设备的压感外表面检测压力。本发明专利技术中的电子设备采用平面触控的方式，改善了现有技术中曲面触控的缺点。了现有技术中曲面触控的缺点。

【技术实现步骤摘要】
一种电子设备


[0001]本专利技术属于电子设备
，具体涉及一种具有压感单元的电子设备。

技术介绍

[0002]电子设备已成为现代人们生活中不可或缺的日常工具。无论是作为移动终端的电脑、手机、穿戴式设备、对讲设备等，还是诸如游戏机、遥控器、耳机、键盘、鼠标等配套电子设备，均渗入到人类生活的方方面面，为普通人的生活提供沟通交流的便利和生活消遣的娱乐。
[0003]电子设备具有多种用途，随着科技的发展，电子设备越来越多被配置为符合人体工学的设计，如智能手机多采用触摸式的屏幕以便于人们的使用。除了触摸式的电子屏幕，电子设备中的许多控制键仍旧需要采用物理按压触控的方式进行设计，以符合人们的使用习惯，如电子设备中大多数的音量键、电源开关键、HOME键等均设置为外露式的物理按键。现有产品中的物理按键由于长期的设计惯性以及按键材质的限制——常用材料包括不锈钢、塑胶料等，总是被设计为具有凸起的外露式物理按键。现有的物理按键尽管使用广泛，但是其缺点在电子设备加工制造领域是显而易见的——按键处的壳体或者框架结构需要开孔，加工步骤繁琐且难度高、凸起结构占用过多设计和加工的空间、按键处与壳体或者框架结构之间存在缝隙，影响外观、存在的缝隙结构容易导致靠近带电体时产生静电问题。再加上常用按键材质，如不锈钢、塑胶料各自具有与生俱来的缺陷，不锈钢材料硬度虽高弹性却有限，多次按压后容易发生不可逆的形变，且一旦装配上出现瑕疵，按压时会有顿挫感，降低用户体验；塑胶材料制成的按键更是存在强度低、按压手感生硬的问题，在高端移动终端领域已鲜有使用。
[0004]本专利技术所述即为针对上述现有技术中存在的问题而提出的解决方法。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种新型的电子设备，旨在解决现有的电子设备按键触控目前所存在的容易发生形变、占用设计和加工空间、按压手感差等技术问题。
[0006]为了实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0007]本专利技术一方面提供了一种电子设备，包括，
[0008]结构组件，所述结构组件限定所述电子设备的全部内部体积或者部分内部体积并具有压感单元，所述压感单元被配置为至少部分地限定所述电子设备的压感外表面；
[0009]所述压感单元包括：
[0010]金属触片，所述金属触片为平片状非晶态合金，且所述金属触片沿其长度方向的厚度为均匀分布；
[0011]压力传感器，所述压力传感器定位于所述金属触片下方，并被配置为沿所述电子设备的压感外表面检测压力。
[0012]进一步地，所述压感单元包括第一区域和第二区域；
[0013]所述第一区域设于所述电子设备的可见部分，和/或，
[0014]所述第二区域设于所述第一区域的周测，且被配置为至少部分地围绕所述第一区域；
[0015]所述金属触片设于所述第一区域；
[0016]所述第二区域设有固定部，所述固定部被配置为固定于所述结构组件内。
[0017]进一步地，所述金属触片厚度范围为0.05
‑
0.3mm，其最大形变量小于等于0.5mm。
[0018]进一步地，所述金属触片承接所述电子设备用户对所述金属触片造成的任何压力形变，所述压力传感器检测该压力信号并将其传至所述电子设备的处理器。
[0019]进一步地，所述结构组件为所述电子设备的壳体、外框、中框中的一种或者多种。
[0020]进一步地，所述第一区域设于所述电子设备的侧边部。
[0021]进一步地，所述第二区域的材质为非非晶态合金材料。
[0022]本专利技术再一方面提供了符合本专利技术中金属触片使用的材质：
[0023]所述金属触片的材质为以下组成的非晶态合金中的一种：
[0024]通式Zr
a
Al
b
Ni
c
Cu
d
M
e
，M为Y、Si、Ag、La、Ca、Hf、B中的1至3种元素，其中a、b、c、d、e为各原子百分比，62≤a≤74，8≤b≤9.5，6≤c≤10，6≤d≤20，1≤e≤3；
[0025]通式Zr
a
Ti
b
Cu
c
Be
d
M
e
，M为Y、Si、Ag、La、Ca、Hf、B中的1至3种元素，其中a、b、c、d、e为各原子百分比，42≤a≤58，10≤b≤12，8≤c≤20，5≤d≤25，1≤e≤5；
[0026]通式Zr
a
Al
b
Ni
c
Cu
d
Ti
e
M
f
，M为Y、Si、Ag、La、Ca、Hf、B中的1至3种元素，其中a、b、c、d、e、f为各原子百分比，42≤a≤58，8≤b≤20，8≤c≤12，8≤d≤20，3≤e≤10，1≤f≤5；
[0027]通式Zr
a
Al
b
Ni
c
Cu
d
Nb
e
M
f
，M为Y、Si、Ag、La、Ca、Hf、B中的1至3种元素，其中a、b、c、d、e、f为各原子百分比，42≤a≤58，8≤b≤20，8≤c≤12，8≤d≤20，3≤e≤10，1≤f≤5；
[0028]通式Zr
a
Al
b
Ni
c
Cu
d
Be
e
M
f
，M为Y、Si、Ag、La、Ca、Hf、B中的1至3种元素，其中a、b、c、d、e、f为各原子百分比，30≤a≤41，18≤b≤25，10≤c≤20，10≤d≤25，15≤e≤25，2≤f≤8；
[0029]通式Zr
a
Ti
b
Ni
c
Cu
d
Be
e
M
f
，M为Y、Si、Ag、La、Ca、Hf、B中的1至3种元素，其中a、b、c、d、e、f为各原子百分比，30≤a≤41，18≤b≤25，10≤c≤20，10≤d≤25，15≤e≤25，2≤f≤8；
[0030]通式Ni
a
Mo
b
Nb
c
B
d
M
e
，M为Ta和/或Er，其中a、b、c、d、e为各原子百分比，45≤a≤55，10≤b≤25，8≤c≤18，5≤d≤10，10≤e≤20；
[0031]通式Ni
a
Cr
b
Mo
c
B
d
，其中a、b、c、d为各原子百分比，53≤a≤68，20≤b≤40，5≤c≤15，1≤d≤10；
[0032]通式Ni
a
Cr
b
Mo
c
B
d...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子设备，其特征在于，包括，结构组件，所述结构组件限定所述电子设备的全部内部体积或者部分内部体积并具有压感单元，所述压感单元被配置为至少部分地限定所述电子设备的压感外表面；所述压感单元包括：金属触片，所述金属触片为平片状非晶态合金，且所述金属触片沿其长度方向的厚度为均匀分布；压力传感器，所述压力传感器定位于所述金属触片下方，并被配置为沿所述电子设备的压感外表面检测压力。2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述压感单元包括第一区域和第二区域；所述第一区域设于所述电子设备的可见部分，和/或，所述第二区域设于所述第一区域的周测，且被配置为至少部分地围绕所述第一区域；所述金属触片设于所述第一区域；所述第二区域设有固定部，所述固定部被配置为固定于所述结构组件内。3.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述金属触片厚度范围为0.05
‑
0.3mm，其最大形变量小于等于0.5mm。4.根据权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述金属触片承接所述电子设备用户对所述金属触片造成的任何压力形变，所述压力传感器检测该压力信号并将其传至所述电子设备的处理器。5.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，所述结构组件为所述电子设备的壳体、外框、中框中的一种或者多种。6.根据权利要求5所述的电子设备，其特征在于，所述第一区域设于所述电子设备的侧边部。7.根据权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述第二区域的材质为非非晶态合金材料。8.根据权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述金属触片的材质为以下组成的非晶态合金中的一种：通式Zr
a
Al
b
Ni
c
Cu
d
M
e
，M为Y、Si、Ag、La、Ca、Hf、B中的1至3种元素，其中a、b、c、d、e为各原子百分比，62≤a≤74，8≤b≤9.5，6≤c≤10，6≤d≤20，1≤e≤3；通式Zr
a
Ti
b
Cu
c
Be
d
M
e
，M为Y、Si、Ag、La、Ca、Hf、B中的1至3种元素，其中a、b、c、d、e为各原子百分比，42≤a≤58，10≤b≤12，8≤c≤20，5≤d≤25，1≤e≤5；通式Zr
a
Al
b
Ni
c
Cu
d
Ti
e
M
f
，M为Y、Si、Ag、La、Ca、Hf、B中的1至3种元素，其中a、b、c、d、e、f为各原子百分比，42≤a≤58，8≤b≤20，8≤c≤12，8≤d≤20，3≤e≤10，1≤f≤5；通式Zr
a
Al
b
Ni
c
Cu
d
Nb
e
M
f
，M为Y、Si、Ag、La、Ca、Hf、B中的1至3种元素，其中a、b、c、d、e、f为各原子百分比，42≤a≤58，8≤b≤20，8≤c≤12，8≤d≤20，3≤e≤10，1≤f≤5；通式Zr
a
Al
b
Ni
c
Cu
d
Be
e
M
f
，M为Y、Si、Ag、La、Ca、Hf、B中的1至3种元素，其中a、b、c、d、e、f为各原子百分比，30≤a≤41，18≤b≤25，10≤c≤20，10≤d≤25，15≤e≤25，2≤f≤8；通式Zr
a
Ti
b
Ni
c
Cu
d
Be
e
M
f
，M为Y、Si、Ag、La、Ca、Hf、B中的1至3种元素，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷承林，
申请(专利权)人：深圳市铄成新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：