量子比特组件制备方法、量子比特组件、量子芯片及设备技术

本申请关于一种量子比特组件制备方法、量子比特组件、量子芯片及设备，涉及微纳加工技术领域。量子比特组件制备方法包括：在衬底上制备至少两个区域的波导膜层，波导膜层的侧面是从顶部向外延伸的斜面；通过多兰桥光刻胶结构制备与波导膜层不相连的量子比特结构；量子比特结构包含三层结构，该三层结构包含相互交叉的第一超导部分和第二超导部分，以及第一超导部分和第二超导部分之间的绝缘层；去除第一超导部分上表面的第一目标区域的绝缘层，以及第二超导部分上表面的第二目标区域的绝缘层；在波导膜层、量子比特结构、以及波导膜层和所述量子比特结构之间的衬底上蒸镀连接层，获得量子比特组件。本方案能够提高制备出的量子比特组件的性能。特组件的性能。特组件的性能。

【技术实现步骤摘要】
量子比特组件制备方法、量子比特组件、量子芯片及设备


[0001]本申请涉及微纳加工
，特别涉及一种量子比特组件制备方法、量子比特组件、量子芯片及设备。

技术介绍

[0002]约瑟夫森结是目前常用的量子比特结构，其可以通过多兰桥(Dolan Bridge)的光刻胶结构进行制备。
[0003]在相关技术中，可以利用电子束曝光的方法在衬底表面的双层电子束光刻胶上做出含有底切的多兰桥光刻胶结构图形，然后采用先倾斜镀超导金属膜，然后氧化形成绝缘层，再垂直蒸镀超导金属膜的双倾角蒸镀方法制备出约瑟夫森结。
[0004]然后，上述制备约瑟夫森结的方案中，为了能够使约瑟夫森结能够与波导膜层相连通，需要限制波导膜层的厚度，从而影响制备出的量子比特组件的性能。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供了一种量子比特组件制备方法、量子比特组件、量子芯片及设备，可以提高量子比特组件的性能，该技术方案如下。
[0006]一方面，提供了一种量子比特组件制备方法，所述方法包括：
[0007]在衬底上制备至少两个区域的波导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子比特组件制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上制备至少两个区域的波导膜层，所述波导膜层的侧面是从顶部向外延伸的斜面；通过多兰桥光刻胶结构制备与所述波导膜层不相连的量子比特结构；所述量子比特结构包含三层结构，所述三层结构包含相互交叉的第一超导部分和第二超导部分，以及所述第一超导部分和所述第二超导部分之间的绝缘层；并且，所述第一超导部分和所述第二超导部分的外表面分别覆盖有绝缘层；去除所述第一超导部分上表面的第一目标区域的绝缘层，以及所述第二超导部分上表面的第二目标区域的绝缘层；在所述波导膜层、所述量子比特结构、以及所述波导膜层和所述量子比特结构之间的衬底上蒸镀连接层，获得量子比特组件；所述连接层用于将所述第一超导部分和所述第二超导部分分别与不同区域的所述波导膜层相连通。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上制备至少两个区域的波导膜层，包括：在所述衬底上蒸镀第一超导材料；在所述第一超导材料上层涂敷第一光刻胶；通过光刻显影的方式去除刻蚀区域的第一光刻胶；对所述刻蚀区域的第一超导材料进行湿法刻蚀；清洗以去除所述第一光刻胶，获得至少两个区域的所述波导膜层。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述通过多兰桥光刻胶结构制备与所述波导膜层不相连的量子比特结构，包括：在所述波导膜层以及所述衬底上制备不包含所述量子结构的多兰桥光刻胶结构；基于所述多兰桥光刻胶结构，通过双倾角蒸镀的方式制备所述量子比特结构。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述波导膜层以及所述衬底上制备不包含所述量子结构的多兰桥光刻胶结构，包括：在所述波导膜层以及所述衬底上涂敷第二光刻胶；在所述第二光刻胶上涂敷第三光刻胶；对所述第二光刻胶和所述第三光刻胶进行曝光显影定影处理，获得所述多兰桥光刻胶结构。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述多兰桥光刻胶结构，通过双倾角蒸镀的方式制备所述量子比特结构，包括：基于所述多兰桥光刻胶结构垂直蒸镀第二超导材料，获得所述第一超导部分；在所述第一超导部分表面制备所述绝缘层；基于所述多兰桥光刻胶结构倾斜蒸镀所述第二超导材料；清洗以去除所述多兰桥光刻胶结构，以及所述多兰桥光刻胶结构上的所述第二超导材料，获得所述量子比特结构。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述倾斜蒸镀的倾斜角度范围为20
°
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【专利技术属性】
技术研发人员：张文龙，戴茂春，
申请(专利权)人：腾讯科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：