在量子器件上形成的自组装单层制造技术

提供了可以促进在量子器件上形成自组装单层的器件、方法、和/或计算机实施的方法。根据实施例，器件可以包括在衬底上形成的量子位。所述器件可以进一步包括形成在所述量子位上的自组装单层。上的自组装单层。上的自组装单层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在量子器件上形成的自组装单层


[0001]本主题公开涉及在集成电路上形成的自组装单层及其形成方法。更具体地，本主题公开涉及在量子器件上形成的自组装单层及其形成方法。

技术实现思路

[0002]以下呈现概述以提供对本专利技术的一个或多个实施例的基本理解。本概述并不旨在标识关键或重要的元素，或描绘特定实施例的任何范围或权利要求的任何范围。其唯一的目的是以简化的形式呈现概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。在此描述的一个或多个实施例中，描述了促进在量子器件上形成自组装单层的器件和/或方法(例如，计算机实施的方法)。
[0003]根据实施例，一种器件可以包括在衬底上形成的量子位。该器件可以进一步包括形成在该量子位上的自组装单层。这样的器件的优点是它可以有助于该量子位的改进的相干时间和/或改进的寿命中的至少一者。
[0004]在一些实施例中，该自组装单层形成在该量子位或该衬底中的至少一个上以防止该量子位或该衬底中的至少一个的氧化。这样的器件的优点是它可以有助于该量子位的改进的相干时间和/或改进的寿命中的至少一者。
[0005]根据一个实施例，一种方法可以包括从形成在衬底上的量子位中去除一个或多个氧化物层。该方法可以进一步包括在该量子位上沉积自组装单层。这种方法的优点在于它可以被实施为协助该量子位的改进的相干时间和/或改进的寿命中的至少一者。
[0006]在一些实施例中，以上方法可以进一步包括从该量子位或该衬底中的至少一个去除至少一个氧化物层并且将该自组装单层沉积在该量子位或该衬底中的至少一个上以防止该量子位或该衬底中的至少一个的氧化。这种方法的优点在于它可以被实施为协助该量子位的改进的相干时间和/或改进的寿命中的至少一者。
[0007]根据一个实施例，一种器件可以包括形成在衬底上的一个或多个超导部件。该器件可以进一步包括一个形成在该一个或多个超导部件上的自组装单层。这种器件的优点是它可以有助于该一个或多个超导部件的改进的相干时间和/或改进的寿命中的至少一者。
[0008]在一些实施例中，该自组装单层被形成在该一个或多个超导部件中的至少一个或该衬底上以便防止该一个或多个超导部件中的至少一个或该衬底的氧化。这种器件的优点是它可以有助于该一个或多个超导部件的改进的相干时间和/或改进的寿命中的至少一者。
[0009]根据一个实施例，一种方法可以包括从形成在衬底上的一个或多个超导部件中去除一个或多个氧化物层。该方法可以进一步包括在该一个或多个超导部件上沉积自组装单层。这种方法的优点在于它可以被实施来促进该一个或多个超导部件的改进的相干时间和/或改进的寿命中的至少一者。
[0010]在一些实施例中，以上方法可以进一步包括从该一个或多个超导部件中的至少一个或该衬底上去除至少一个氧化物层并且使用一种基于溶液的自组装单层沉积法或一种
基于气相的自组装单层沉积法中的至少一个来将该自组装单层沉积在该一个或多个超导部件中的至少一个或该衬底上。这种方法的优点在于它可以被实施来促进这些超导部件的改进的相干时间和/或改进的寿命中的至少一者。
[0011]根据实施例，器件可以包括形成在凸块(bump)键合的器件的衬底上的量子位。该器件可以进一步包括形成在该量子位上的自组装单层。这样的器件的优点是它可以有助于该量子位的改进的相干时间和/或改进的寿命中的至少一者。
[0012]在一些实施例中，该自组装单层形成在该量子位或该衬底中的至少一个上以防止该量子位或该衬底中的至少一个的氧化。这样的器件的优点是它可以有助于该量子位的改进的相干时间和/或改进的寿命中的至少一者。
附图说明
[0013]本专利或申请文件包含至少一幅彩色附图。具有彩色附图的本专利或专利申请公开的副本将在请求和支付必要费用后由局里提供。
[0014]图1A示出了根据在此所描述的一个或多个实施例的示例、非限制性器件的截面侧视图，该器件可以包括在衬底上和/或在形成在该衬底上的一个或多个超导部件上的一个或多个氧化物层。
[0015]图1B示出了根据本文描述的一个或多个实施方式的在从一个或多个表面去除一个或多个氧化物层之后的图1A的示例非限制性器件的横截面侧视图。
[0016]图1C展示了在一个或多个超导部件和/或该衬底的一个或多个表面上该形成一个或多个自组装单层之后图1B的实例非限制性器件的截面侧视图。
[0017]图2展示了在该一个或多个超导部件和/或该衬底的一个或多个表面上形成一个或多个自组装单层之后图1B的实例非限制性器件的截面侧视图。
[0018]图3A示出了根据本文描述的一个或多个实施例的示例非限制性器件的截面侧视图，该器件可以包括具有在一个或多个衬底上和/或在一个或多个超导部件上的一个或多个氧化物层的凸块接合装置，该一个或多个超导部件形成在该一个或多个衬底上。
[0019]图3B展示了根据在此描述的一个或多个实施例的形成在该一个或多个衬底上的一个或多个超导部件和/或在一个或多个衬底的一个或多个表面上形成一个或多个自组装单层之后图3A的示例非限制性器件的截面侧视图。
[0020]图4示出了根据本文所述的一个或多个实施例的可促进硅(Si)衬底表面的H封端以及在该表面上形成一个或多个自组装单层的示例非限制性方法的示图。
[0021]图5示出了根据本文描述的一个或多个实施方式的可以促进在量子器件上形成自组装单层的示例性、非限制性方法的流程图。
[0022]图6A、图6B和图6C示出了根据在此描述的一个或多个实施例的、可以包括来自量子器件的实现方式的实验数据的示例性、非限制性信息的图，该量子器件包括形成在该量子器件上的自组装单层。
[0023]图7A示出了根据本文描述的一个或多个实施例的在去除氧化物层之后可包括来自包括H封端表面的量子器件的实施方式的实验数据的实例非限制性信息的示图。
[0024]图7B示出了根据本文描述的一个或多个实施例的可以包括来自量子器件的实施方式的实验数据的实例非限制性信息的示图，该量子器件包括形成在量子器件上的自组装
单层。
[0025]图7C示出了根据在此描述的一个或多个实施例的示例性、非限制性信息的图解，该信息可以包括来自一个量子器件的实施方式的实验数据，该量子器件包括形成在该量子器件上的自组装单层。
[0026]图8示出了根据在本文中描述的一个或多个实施例的可以促进在量子器件上形成自组装单层的示例性、非限制性计算机实施的方法的流程图。
[0027]图9示出了根据在本文中描述的一个或多个实施例的可以促进在量子器件上形成自组装单层的示例性、非限制性计算机实施的方法的流程图。
[0028]图10示出了可以促进本文所述的一个或多个实施例的示例性非限制性操作环境的框图。
具体实施方式
[0029]以下详细说明仅是说明性的并且不旨在限制实施例和/或实施例的应用或使用。此外，不打算被在先前背景或概述部分或具体实施方式部分中呈现的任何明确或隐含的信息约束。
[0030]现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种器件，包括：形成在衬底上的量子位；以及形成在所述量子位上的自组装单层。2.根据前一权利要求所述的器件，其中，所述自组装单层形成在所述量子位和所述衬底上。3.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中，所述自组装单层包括有机自组装单层。4.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中，所述自组装单层选自由炔、烯烃、醇和硫醇组成的组。5.根据前述权利要求中任一项所述的器件，其中，所述自组装单层形成在所述量子位或所述衬底中的至少一个上，以防止所述量子位或所述衬底中的至少一个的氧化，由此促进所述量子位的改进的相干时间或所述量子位的改进的寿命中的至少一个。6.一种方法，包括：从形成在衬底上的量子位去除一个或多个氧化物层；以及在所述量子位上沉积自组装单层。7.根据前述权利要求所述的方法，进一步包括：从所述衬底去除一个或多个第二氧化物层；以及在所述衬底上沉积所述自组装单层。8.根据前述权利要求6至7中任一项所述的方法，其中，所述自组装单层包括选自由炔、烯烃、醇和硫醇组成的组中的有机自组装单层。9.根据前述权利要求6至8中任一项所述的方法，进一步包括：从所述量子位或所述衬底中的至少一个去除至少一个氧化物层；以及使用基于溶液的自组装单层沉积法或基于气相的自组装单层沉积法中的至少一种，将所述自组装单层沉积在所述量子位或所述衬底中的至少一个上。10.根据前述权利要求6至8中任一项所述的方法，进一步包括：从所述量子位或所述衬底中的至少一个去除至少一个氧化物层；以及将所述自组装单层沉积在所述量子位或所述衬底中的至少一个上，以防止所述量子位或所述衬底中的至少一个的氧化，由此有助于所述量子位的改进的相干时间或所述量子位的改进的寿命中的至少一个。11.一种器件，包括：形成在衬底上的一个或多个超导部件；以及形成在所述一个或多个超导部件上的自组装单层。12.根据前一权利要求所述的器件，其中，所述自组装单层形成在所述一个或多个超导部件和所述衬底上。13.根据前述权利要求11至12中任一项所述的器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：